MOS管將是下述內容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內容如下。

一、MOS管

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

二、NMOS開關驅動電路

注：

Q5：一個NMOS管。

R25/100R 的作用：防止振蕩減少柵極充電的峰值電壓，保護NMOS管的D-S及不被擊穿防止震蕩，GPIO口輸出端可能有些雜散的電感，在電壓突變的情況下，可能會產生LC振蕩，當我們加入R25之后，會提高阻尼減少振蕩。

減少柵極充電的峰值電壓，當柵極的電壓拉高，首先對柵極的寄生電容進行充電，I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力，為了保護IC,添加R25之后，可能有效的增長充電的時間，進而減小充電時候的電流。

從導通到截止狀態(tài)，VDS電壓迅速增加，如果dVDS/dt過大，可能會燒壞器件，R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電，從而保護mos管。

R26 10K的作用：

下拉型抗干擾電阻，GPIO輸出狀態(tài)下，在Nmos端，可以看出mos端處于一個高阻態(tài)或者懸浮的一個狀態(tài)，為了避免意外打開mos管，加上了個10k下拉。

三、高邊NMOS防反

PMOS的高邊防反接使用自驅效應，但其存在待機電流偏大和電流反灌隱患，并且PMOS價格偏高，幾乎沒有使用驅動IC+PMOS高邊防反這種設計，所以為了均衡價格因素和Rdson，消除待機電流偏大和電流反灌隱患（若單純使用高邊NMOS，也會有待機電流和電流反灌問題），使用驅動IC+NMOS這種高邊防反接設計。但這里并不是否定低邊NMOS防反和高邊PMOS防反，實際上低邊NMOS防反和高邊PMOS防反使用的更多，驅動IC+NMOS這種方式一方面是為了應對測試機構的測試用例，一方面是應對可預見的實際問題。通常使用高邊PMOS防反接并沒有什么問題。

使用高邊NMOS防反接，通常沒有足夠高的電壓來驅動柵極，此時可以使用驅動IC來從高邊取電，輸出比S極更高的電壓來驅動NMOS導通，驅動IC有兩種：電荷泵型和Buck-Boost型，見圖11-1。帶驅動IC這種形式，雖然這增加了電路的復雜性，但N溝道MOSFET的導通電阻較低。

在大部分時間都處于正常連接供電場景中，由于電荷泵型和Buck-Boost型將額外消耗電流（需要不斷地工作產生驅動電壓維持NMOS的開啟），單純的高邊PMOS防反接效率反而更好。

圖：高邊NMOS防反驅動--->NMOS+驅動IC

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