MOSFET將是下述內容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOSFET自開通的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內容如下。

一、MOSFET自開通指的是什么

MOSFET自開通是指在MOSFET的開通過程中，?不需要外部驅動電路提供額外的電壓或電流，?MOSFET自身就能夠實現(xiàn)開通狀態(tài)。?這種情況通常發(fā)生在MOSFET的開關周期中，?當其內部的寄生二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導通，?隨后MOSFET本身才導通，?實現(xiàn)了0電壓導通（?ZVS）?，?即零電壓開關。?這種自開通的特性使得MOSFET在開通時的開關損耗非常小，?幾乎可以忽略不計，?因此，?在設計和選擇MOSFET時，?主要需要考慮的是其導通電阻（?RDS(ON)）?所產生的導通損耗，?而不需要過多考慮電容值（?Crss）?。?此外，?為了實現(xiàn)MOSFET在整個開關周期都工作于ZVS狀態(tài)，?需要利用外部條件和電路特性，?確保其在開通和關斷過程中都能實現(xiàn)理想的開關條件，?從而最大限度地減少開關損耗，?提高能源利用效率。?

二、如何防止MOSFET自開通

有三種方法可以防止出現(xiàn)自開通現(xiàn)象：

（1）、在柵極和源極之間添加一個電容器

在柵極和源極之間插入的電容器會吸收因dv/dt 產生的漏柵電流。該電路如圖4.10中所示。由于柵源電容器與Cgs在MOSFET內部并聯(lián)連接，因此柵極電荷會增加。如果柵極電壓固定，您可以通過改變柵極電阻器值來保持MOSFET的開關速度不變，但這樣會增大消耗的驅動功率。

（2）米勒箝位電路

米勒箝位電路利用開關器件使MOSFET的柵極與源極之間的通路發(fā)生短路。通過在相關MOSFET的柵極和源極之間添加另一個MOSFET來實現(xiàn)短路。在圖4.11中，如果電壓降至預定義電壓以下，低于米勒電壓，則通過比較器提供邏輯高，開通柵極和源極之間的 MOSFET。而這樣又會使輸出MOSFET的柵源通路發(fā)生短路，并抑制通過反饋電容器 Crss 和柵極電阻器的電流導致的柵極電壓升高。

（3）可將關斷柵極電壓驅動到負值，避免其超過 Vth。但這種方法需要負電源。

我們使用圖4.12中所示的電路模擬自開通現(xiàn)象。自開通由iDG（dv/dt 電流）和柵極電阻造成，會導致發(fā)生誤開通。

在反向恢復模式中，如果Q2在電感負載電流通過Q1的二極管回流時開通，電感電流會流過Q2，導致相關的二極管關斷。我們研究了對關斷狀態(tài)的 MOSFET 施加高 dv／dt 電壓時會發(fā)生的情況。為促使發(fā)生自開通現(xiàn)象，圖 4.12 中只改變了與 Q1 相關的柵極電阻器 R4。

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