一直以來(lái)，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)MOSFET的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

一、MOSFET的應(yīng)用電路

1、簡(jiǎn)單的MOSFET開(kāi)關(guān)電路

下圖顯示了 N 溝道 MOSFET 和 P 溝道 MOSFET 的最簡(jiǎn)單配置。

MOSFET 柵極通過(guò)電源電壓快速充電，從而將其打開(kāi)。但是，如果在打開(kāi) MOSFET 后不去管柵極會(huì)怎樣呢？一旦電源從柵極移除，MOSFET 仍保持導(dǎo)通狀態(tài)！

就像普通電容器一樣，柵極會(huì)保留電荷，直到電荷被移除或通過(guò)非常小的柵極漏電流泄漏出去，為了消除這些電荷，必須對(duì)柵極進(jìn)行放電。這可以通過(guò)將柵極連接回源極端子來(lái)完成。但是如果驅(qū)動(dòng)電路使柵極保持浮動(dòng)怎么辦？如果雜散電荷在柵極中積累得足以使柵極電壓超過(guò)閾值，則 MOSFET 會(huì)意外導(dǎo)通，這可能會(huì)損壞下游電路。因此，柵極和源極之間經(jīng)常會(huì)出現(xiàn) 下拉/上拉電阻 ，每當(dāng)柵極電壓被移除時(shí)，該電阻就會(huì)從柵極移除電荷。最好添加一個(gè)上拉/下拉電阻無(wú)論驅(qū)動(dòng)器的類(lèi)型如何，MOSFET 的柵極之間都會(huì)存在這種情況。 10K 很值。

2、MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路

MOSFET 的柵極非常敏感，因?yàn)閷艠O與溝道絕緣的氧化層非常薄。大多數(shù)功率MOSFET的額定柵源電壓僅為±20V！因此，在柵極上安裝齊納二極管是一個(gè)很好的預(yù)防措施

由于柵極電容與引線電感相結(jié)合會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生振鈴，可以通過(guò)添加與柵極串聯(lián)的小電阻（約 10Ω）來(lái)減輕振鈴。最終的 MOSFET 柵極電路如下圖所示。

MOSFET 的柵極通常不會(huì)吸取任何電流（除了小漏電流外），但當(dāng)用于需要快速打開(kāi)和關(guān)閉的開(kāi)關(guān)應(yīng)用時(shí)，柵極電容必須快速充電和放電。這需要一些電流，在這些情況下，需要柵極驅(qū)動(dòng)器，其可以采用分立電路、柵極驅(qū)動(dòng) IC或柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的形式。

二、MOSFET在什么應(yīng)用條件要考慮雪崩能量？

在實(shí)際的應(yīng)用中，雪崩的損壞大多是因?yàn)槎鄠€(gè)極端邊界條件共同的作用，例如：高溫下，系統(tǒng)輸出短路及過(guò)載測(cè)試，輸入過(guò)電壓測(cè)試以及動(dòng)態(tài)的老化測(cè)試中。過(guò)壓損壞通常直接理解為雪崩失效損壞，因?yàn)檠┍赖倪^(guò)程伴隨著過(guò)壓的現(xiàn)象，只有那些在MOSFET的D和S極產(chǎn)生較大的電壓尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量。

電壓尖峰產(chǎn)生的能量主要由電感和電流所決定，對(duì)于反激應(yīng)用，MOSFET關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰：VIN+輸出反射電壓+漏感，正常的情況下，有箝位電路，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量，不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。

但是，在一些極端條件下，測(cè)試輸出短路啟動(dòng)或工作中短路，然后短路保護(hù)起作用，系統(tǒng)關(guān)斷，然后重起，如此反復(fù)，輸出短路時(shí)，初級(jí)電感可能會(huì)飽和，產(chǎn)生較大的電流，箝位電路工作有可能不正常工作，漏感產(chǎn)生較大尖峰，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。

一些電機(jī)負(fù)載由于是感性負(fù)載，而且啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過(guò)程中產(chǎn)生極大的沖擊電流，因此這樣的應(yīng)用也要考慮器件的雪崩能量。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)?lái)的有關(guān)MOSFET的所有介紹，如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容，不妨在我們網(wǎng)站進(jìn)行探索哦。