近日，“國(guó)產(chǎn)替代”又傳來(lái)一則好消息！

據(jù)彭博社援引TechInsights報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在面臨美國(guó)出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，已成功采用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備取代了部分美系半導(dǎo)體設(shè)備。

該報(bào)道指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片，其自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三星、SK海力士等知名制造商相比，也具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)！

（相關(guān)報(bào)道截圖）

盡管取得了這些進(jìn)展，但彭博社和TechInsights表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍面臨技術(shù)障礙，其最新的使用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的3D NAND芯片比早期版本少了70層。而層數(shù)的減少，主要因?yàn)槭褂脟?guó)產(chǎn)設(shè)備導(dǎo)致了制造過(guò)程中缺陷增多、良率降低。

對(duì)此，長(zhǎng)江存儲(chǔ)回應(yīng)稱，公司正在不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，層數(shù)變化與設(shè)備產(chǎn)量無(wú)關(guān)；隨著制造工藝、流程及經(jīng)驗(yàn)的不斷成熟，會(huì)不斷增加堆疊層數(shù)。

（圖片來(lái)源：長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)）

根據(jù)官網(wǎng)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，是一家集芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、封裝測(cè)試及系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品于一體的存儲(chǔ)器IDM企業(yè)，主要為全球合作伙伴提供3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品和解決方案，其業(yè)務(wù)范圍覆蓋移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

● 2017年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)制造了中國(guó)首款3D NAND閃存；

● 2019年9月，搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主創(chuàng)新Xtacking® 架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)；

● 2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號(hào)作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時(shí)業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲(chǔ)密度和最高的單顆容量；

● 2022年10月，美國(guó)限制先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)華出口，隨后將中國(guó)3D NAND Flash制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入實(shí)體清單。

被制裁的兩年里，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍在穩(wěn)步發(fā)展。此前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直依賴ASML、泛林集團(tuán)等外國(guó)供應(yīng)商提供的關(guān)鍵工具和設(shè)備。但現(xiàn)如今，中國(guó)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商越來(lái)越多地承擔(dān)了生產(chǎn)流程的大部分，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)也已轉(zhuǎn)向國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商了，通過(guò)使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備、拓荊科技的沉積設(shè)備等，已成功用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片。

由此可以看出，美方芯片限制根本不能阻撓我國(guó)芯片前進(jìn)的腳步，反而會(huì)刺激我們加速突破的步伐，實(shí)現(xiàn)更多的“國(guó)產(chǎn)替代”。對(duì)此，不少外媒也評(píng)價(jià)道，“美方芯片限制基本落空了”。