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[導(dǎo)讀]人工智能在越來越多的硬件應(yīng)用中快速發(fā)展,推動(dòng)了對(duì)傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)無法滿足專業(yè)計(jì)算加速的前所未有的需求。在眾多競(jìng)爭(zhēng)性替代方案中,最有前景的一種方案是模擬存內(nèi)運(yùn)算(In-Memory Computing, IMC)。釋放多級(jí)阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的潛力,讓這一承諾在今天比以往更加真實(shí),硅谷新創(chuàng)公司TetraMem引領(lǐng)這一發(fā)展,正在解決阻礙這一解決方案發(fā)展的根本挑戰(zhàn)。該公司的獨(dú)特IMC采用多級(jí)RRAM技術(shù),提供更高效、低延遲的AI處理,滿足AR/VR、移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等現(xiàn)代應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求。

簡(jiǎn)介

人工智能在越來越多的硬件應(yīng)用中快速發(fā)展,推動(dòng)了對(duì)傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)無法滿足專業(yè)計(jì)算加速的前所未有的需求。在眾多競(jìng)爭(zhēng)性替代方案中,最有前景的一種方案是模擬存內(nèi)運(yùn)算(In-Memory Computing, IMC)。釋放多級(jí)阻變存儲(chǔ)器(RRAM)的潛力,讓這一承諾在今天比以往更加真實(shí),硅谷新創(chuàng)公司TetraMem引領(lǐng)這一發(fā)展,正在解決阻礙這一解決方案發(fā)展的根本挑戰(zhàn)。該公司的獨(dú)特IMC采用多級(jí)RRAM技術(shù),提供更高效、低延遲的AI處理,滿足AR/VR、移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等現(xiàn)代應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)背景

過去幾十年來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)取得了顯著進(jìn)步,特別是在滿足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)不斷增長(zhǎng)的需求方面。芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新突破了性能和效率的界限,然而,一些固有的持續(xù)挑戰(zhàn)仍然存在,例如馮·諾依曼瓶頸和存儲(chǔ)墻(memory wall),限制了CPU和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸速率,以及與先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)相關(guān)的不斷升級(jí)的功耗和熱管理問題。

IMC代表了一種突破性的計(jì)算方法轉(zhuǎn)變,改變了數(shù)據(jù)處理的方式。傳統(tǒng)的運(yùn)算架構(gòu)將存儲(chǔ)和處理單元分開,產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù)傳輸負(fù)擔(dān),特別是對(duì)于以數(shù)據(jù)為中心的人工智能應(yīng)用程序。另一方面,IMC將存儲(chǔ)器和處理器整合在同一實(shí)體中,通過交叉陣列架構(gòu)實(shí)現(xiàn)更快、更高效的數(shù)據(jù)運(yùn)算,進(jìn)一步消除矩陣運(yùn)算中的大量中間數(shù)據(jù)。這種方法對(duì)于大規(guī)模數(shù)據(jù)處理和實(shí)時(shí)分析至關(guān)重要的人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用特別有益。

為IMC選擇合適的存儲(chǔ)設(shè)備至關(guān)重要,SRAM和DRAM等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)由于其設(shè)備和單元限制及其易失性特性,并未針對(duì)存儲(chǔ)中操作進(jìn)行優(yōu)化。RRAM憑借其高密度、多級(jí)功能和非揮發(fā)性以及卓越的保持能力,無需刷新即可克服這些挑戰(zhàn)。RRAM的工作原理是通過控制電壓或電流來調(diào)整存儲(chǔ)單元的電阻變化,模仿人類大腦中突觸的行為,這一功能使RRAM特別適合模擬IMC。

TetraMem專注于多級(jí)RRAM(阻變存儲(chǔ)器)技術(shù),與傳統(tǒng)的單級(jí)單元存儲(chǔ)技術(shù)相比,該技術(shù)具有多種優(yōu)勢(shì)。RRAM能夠在每個(gè)單元中存儲(chǔ)多個(gè)比特,并在原地執(zhí)行高效的矩陣乘法運(yùn)算,這使其成為IMC的理想選擇。該技術(shù)解決了傳統(tǒng)數(shù)字運(yùn)算的許多限制,例如帶寬限制和能效不足等問題。

RRAM可編程電路設(shè)備會(huì)記住其最后的穩(wěn)定電阻值,此電阻值可以通過施加電壓或電流來調(diào)節(jié),施加在設(shè)備上的電壓和電流的大小和方向變化會(huì)改變其導(dǎo)電性,從而改變其電阻值。類似人類神經(jīng)元的功能,這種機(jī)制有多種應(yīng)用:存儲(chǔ)、模擬神經(jīng)元,以及TetraMem的存內(nèi)運(yùn)算IMC。RRAM的操作由離子驅(qū)動(dòng),通過控制導(dǎo)電絲的尺寸、離子濃度和高度,可以精確實(shí)現(xiàn)不同的單元電阻多級(jí)變化。

數(shù)據(jù)在與存儲(chǔ)相同的實(shí)體中進(jìn)行處理,中間數(shù)據(jù)移動(dòng)和存儲(chǔ)最少,從而實(shí)現(xiàn)低功耗。通過具有設(shè)備級(jí)顆粒內(nèi)核的交叉陣列架構(gòu)進(jìn)行大規(guī)模并行運(yùn)算可產(chǎn)生高吞吐量。通過物理定律(歐姆定律和基爾霍夫電流定律)進(jìn)行運(yùn)算,確保低延遲。TetraMem的非易失性存內(nèi)運(yùn)算單元相比傳統(tǒng)的數(shù)字馮·諾依曼架構(gòu)可大幅降低功耗。

顯著成就

TetraMem在RRAM技術(shù)的發(fā)展中取得了重要的里程碑。值得注意的是,該公司展示了一個(gè)前所未有的設(shè)備,每個(gè)單元具有11位,在單個(gè)設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了2000多個(gè)信息等級(jí),這一精度水平代表了存內(nèi)運(yùn)算IMC技術(shù)的重大突破。

近期在Nature《1》和Science《2》等著名期刊上發(fā)表的文章強(qiáng)調(diào)了TetraMem的創(chuàng)新方法。提高單元噪聲性能和增強(qiáng)多級(jí)信息IMC運(yùn)算技術(shù)是其重要的進(jìn)展領(lǐng)域。例如,TetraMem開發(fā)了專有算法來抑制隨機(jī)電報(bào)噪聲(telegraph noise),從而使RRAM單元具有更優(yōu)越的記憶保持和耐久性特征。

存內(nèi)運(yùn)算(IMC)的運(yùn)作

TetraMem的IMC技術(shù)采用交叉架構(gòu),其中陣列中的每個(gè)交點(diǎn)對(duì)應(yīng)于一個(gè)可編程的RRAM存儲(chǔ)單元。這種配置允許高度并行操作,這對(duì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算至關(guān)重要。在向量矩陣乘法(Vector-Matrix Multiplication, VMM)操作期間,輸入信號(hào)會(huì)應(yīng)用于交叉開關(guān)陣列,計(jì)算結(jié)果被收集到位線(bit lines)上。這種方法大大減少了在存儲(chǔ)和處理單元之間傳輸數(shù)據(jù)的需求,從而提高了計(jì)算效率。

實(shí)際應(yīng)用

TetraMem通過商業(yè)晶圓廠制造的首款評(píng)估SoC,MX100芯片(見下圖)展示了其IMC技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用。該芯片已在多個(gè)芯片內(nèi)演示中展示了其能力,展示了其在現(xiàn)實(shí)場(chǎng)景中的功能。一個(gè)值得注意的演示是瞳孔中心網(wǎng)絡(luò)(Pupil Center Net, PCN),展示了該芯片在AR/VR中的應(yīng)用,用于自動(dòng)駕駛車輛中的面部追蹤和身份驗(yàn)證監(jiān)控。

為了促進(jìn)其技術(shù)的采用,TetraMem提供了全面的軟件開發(fā)套件(Software Development Kit, SDK)。此SDK使開發(fā)者能夠無縫地定義邊緣AI模型。此外,與Andes晶心科技的NX27V RISC-V CPU及其向量擴(kuò)展功能的整合簡(jiǎn)化了操作,讓客戶更輕松地將TetraMem的解決方案部署到其產(chǎn)品中。

TetraMem的IMC設(shè)計(jì)非常適合矩陣乘法,但在向量或標(biāo)量運(yùn)算等其他功能上的效率不高。這些運(yùn)算在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中經(jīng)常使用,為了支持這些功能,Andes晶心科技提供了CPU加向量引擎的靈活性,并擁有現(xiàn)有的SoC參考設(shè)計(jì)以及成熟的編譯器和函數(shù)庫,以加快我們的市場(chǎng)推廣時(shí)間。

TetraMem與Andes晶心科技合作,將其IMC技術(shù)與Andes晶心的RISC-V CPU和向量擴(kuò)展集成在一起。這一合作提升了整體系統(tǒng)性能,為各種AI任務(wù)提供了強(qiáng)大的平臺(tái)。結(jié)合的解決方案充分利用了兩家公司優(yōu)勢(shì),提供了一個(gè)靈活且高效的架構(gòu)。

展望未來,TetraMem準(zhǔn)備推出基于22nm技術(shù)的MX200芯片,這款芯片承諾將提供更大的性能和效率。該芯片專為邊緣推理應(yīng)用而設(shè)計(jì),提供低功耗、低延遲的AI處理。MX200預(yù)計(jì)將開拓新的市場(chǎng)機(jī)會(huì),特別是在能源效率至關(guān)重要的電池供電的人工智能設(shè)備中。

結(jié)論

TetraMem在IMC方面的進(jìn)展代表了AI硬件領(lǐng)域的一次重大飛躍。通過解決傳統(tǒng)計(jì)算的基本挑戰(zhàn),TetraMem正在為更高效和可擴(kuò)展的AI解決方案鋪平道路。隨著公司不斷創(chuàng)新并與Andes晶心科技等行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作,AI處理的未來看起來充滿希望。TetraMem的解決方案不僅提升了性能,還降低了采用尖端AI技術(shù)的門檻。

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