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[導(dǎo)讀]今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/MOSFET" target="_blank">MOSFET的有關(guān)報(bào)道,通過閱讀這篇文章,大家可以對(duì)MOSFET具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

一、MOSFET開關(guān)管損失

使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。

不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,因而在DS間流過電流的同時(shí),兩端還會(huì)有電壓(如2SK3418特性圖所示),這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗?,F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。

MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過程,流過的電流有一個(gè)上升的過程,在這段時(shí)間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多,而且開關(guān)頻率越快,損失也越大。

導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。降低開關(guān)時(shí)間,可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開關(guān)頻率,可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

二、限制MOSFET開關(guān)速度的因素有哪些

當(dāng)我們需要MOSFET有更高的開關(guān)速度,更小的損耗時(shí),限制MOSFET的開關(guān)速度有哪些因素在作怪呢?

1、MOSFET的G極驅(qū)動(dòng)電阻引起的延時(shí)

2、PCB Layout引起的寄生電感影響驅(qū)動(dòng)電流

3、MOSFET封裝本身引起的ESR與ESL

4、MOSFET的米勒效應(yīng)

但是MOSFET開關(guān)頻率越高,EMC越難處理。頻率一高,LAYOUT就要注意。D也要加磁珠了。

1.驅(qū)動(dòng)電阻可以反并二極管

2.增大驅(qū)動(dòng)電阻,EMC會(huì)表現(xiàn)稍好一點(diǎn)。這個(gè)是經(jīng)過驗(yàn)證了的。

3.驅(qū)動(dòng)電流不是問題,現(xiàn)在就3842那么老的都有1A。專業(yè)芯片就更不用說了。

4.自己做驅(qū)動(dòng)電路用變壓器其實(shí)很簡單的。也很便宜。老板也會(huì)很高興。

5.MOSFET本身的結(jié)電容啥的那是沒得改了,出廠的時(shí)候就定下來了。只有認(rèn)命了,要不就換大廠牌的,但是價(jià)格又上去了。這里面需要權(quán)衡。誰都想用RDS小的COOLMOS啊。有時(shí)候卻要考慮成本。其實(shí)用COOLMOS可以適當(dāng)減小發(fā)熱,散熱器減小,效率提高,也可以省一點(diǎn)成本的。

6.米勒電容,沒辦法啊。

7.LAYOUT的時(shí)候盡量走短一點(diǎn)。如果是鋁基板散熱就很好兼顧這點(diǎn)。如果是用散熱片,從變壓器,PWM IC到主MOSFET還是有一段距離的,頻率一兩百K看不出來,但是頻率幾百K的時(shí)候就郁悶了。

高壓功率器件速度越來越快,最早的SCR/BJT速度是大約4~20微秒開關(guān)速度;后來BJT/IGBT提高到150納秒左右,現(xiàn)在實(shí)際可以達(dá)到8納秒水平。在不久將來;會(huì)達(dá)到1納秒左右。

驅(qū)動(dòng)要求也越來越高;僅以驅(qū)動(dòng)線長為例,早期的驅(qū)動(dòng)線沒啥特別要求;只要雙絞就基本夠用了。后來的高速IGBT/FET的柵線;除雙絞外;長度被限制在10CM以內(nèi)。從現(xiàn)在的測試看;要求未來的高速器件的驅(qū)動(dòng)線被限制在1CM以內(nèi)。

以上便是小編此次帶來的有關(guān)MOSFET的全部內(nèi)容,十分感謝大家的耐心閱讀,想要了解更多相關(guān)內(nèi)容,或者更多精彩內(nèi)容,請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。

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