奈梅亨，2025年3月18日：Nexperia今日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。

Nexperia此次發(fā)布的E-mode GaN FET新產(chǎn)品包括新型低壓40 V雙向器件(RDSon<12 m?)，以便支持過壓保護(OVP)、負載切換和低壓應用，如移動設備和筆記本電腦中的電池管理系統(tǒng)(BMS)。此外，此次發(fā)布還推出了100 V和150 V器件(RDSon<7m?)，這些器件適用于消費電子設備的同步整流(SR)電源、數(shù)據(jù)通信和電信設備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏微型逆變器、D類音頻放大器，以及電動自行車、叉車和輕型電動車(LEV)中的電機控制系統(tǒng)。而在高壓領域，新產(chǎn)品包括700 V器件(RDSon>140 m?)(用于支持LED驅(qū)動器和功率因素校正(PFC)應用)，以及650 V器件(RDSon>350 m?)(適用于AC/DC轉(zhuǎn)換器)。

Nexperia E-mode GaN FET技術(shù)憑借其超低的QG和QOSS值，提供了出色的開關(guān)性能。這些新器件提供了業(yè)界領先的品質(zhì)因數(shù)(FOM)，因此非常適合用于高效電源解決方案。