2025年3月24日，中國上海——通快霍廷格電子將于3月26日-28日亮相SEMICON China 2025，展示其針對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的等離子體電源產(chǎn)品、前沿解決方案和相關(guān)技術(shù)。（通快霍廷格電子展臺(tái)：T2館T2203）

通快霍廷格電子是世界領(lǐng)先的等離子體電源制造商，旗下產(chǎn)品有多款專用于沉積和干法刻蝕工藝的優(yōu)質(zhì)等離子體電源，在電源領(lǐng)域擁有一百多年的經(jīng)驗(yàn)積累。在半導(dǎo)體制造中，通快霍廷格電子的等離子射頻和直流電源在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）、物理氣相沉積（PVD）、刻蝕以及離子注入等關(guān)鍵工藝中發(fā)揮重要作用，能夠?yàn)榫A制造的精度、質(zhì)量和生產(chǎn)效率提供有力保障。

“如今，高性能、低功耗、高集成度已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心趨勢(shì)。我們非常期待在SEMICON China與各位行業(yè)伙伴相聚，分享通快霍廷格電子在沉積、刻蝕和離子注入等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)的高效解決方案。”通快霍廷格電子亞洲董事總經(jīng)理Dariusz Czaja（戴睿士）表示，“憑借百年的電源研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，通快霍廷格電子已成為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域值得信賴的等離子體電源專家。我們見證了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年來的飛速發(fā)展，特別是在智能手機(jī)、汽車和人工智能等關(guān)鍵領(lǐng)域，成果令人矚目?！?/span>

在SEMICON China 2025的展臺(tái)上，通快霍廷格電子將重點(diǎn)展示其針對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的等離子體電源TruPlasma RF和TruPlasma Match產(chǎn)品，以及TGV面板技術(shù)。

展臺(tái)上主要展示產(chǎn)品包括：

● 新一代等離子體射頻電源TruPlasma RF G3：高速脈沖功能顯著提升等離子體產(chǎn)生和控制的能力；多級(jí)脈沖技術(shù)提供了靈活多樣的等離子體激發(fā)模式，不僅能優(yōu)化等離子體特性，還能滿足多樣化工藝需求；內(nèi)置高速采樣示波器可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)射頻電源的電壓、電流和頻率等參數(shù)變化，為沉積和刻蝕工藝的監(jiān)控、分析和優(yōu)化提供強(qiáng)大支持。

TruPlasma RF 1000（G3）

● TruPlasma Match匹配器系列：智能匹配算法為沉積、刻蝕等工藝提供全方位監(jiān)控，確保射頻電源穩(wěn)定保持50Ω阻抗適配；數(shù)字化管理平臺(tái)實(shí)時(shí)測(cè)量射頻功率及相關(guān)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)快速追蹤頻率變化并有效管理電弧，保障工藝穩(wěn)定性和一致性。

TruPlasma Match 1000（G2/13）

● TGV（玻璃通孔）面板技術(shù)：將超短脈沖激光技術(shù)創(chuàng)新性地應(yīng)用于玻璃中介層制造，同時(shí)利用等離子體電源達(dá)成離子注入，實(shí)現(xiàn)了微芯片封裝領(lǐng)域的高精度加工與成本優(yōu)化的雙重突破。

關(guān)于通快霍廷格電子

通快霍廷格電子有限公司成立于1922年，總部設(shè)于德國弗萊堡，是世界領(lǐng)先的等離子體電源制造商，產(chǎn)品主要用于：半導(dǎo)體，太陽能和顯示器領(lǐng)域，以及工業(yè)鍍膜，玻璃鍍膜等行業(yè)的等離子體應(yīng)用，于1990年正式加入通快集團(tuán)。

通快霍廷格電子致力于開發(fā)、制造用于各種沉積和干法刻蝕工藝的等離子電源，在電源領(lǐng)域擁有一百多年的經(jīng)驗(yàn)積累，在歐洲、美洲和亞洲分別設(shè)有銷售和服務(wù)子公司和分支機(jī)構(gòu)。

2006年，通快霍廷格電子中國成立，至今已經(jīng)深耕中國市場(chǎng)19年。如今，通快霍廷格在中國設(shè)有亞太區(qū)應(yīng)用以及研發(fā)中心、服務(wù)維修中心、生產(chǎn)中心，為客戶提供所有生產(chǎn)過程中的優(yōu)質(zhì)服務(wù)。2023年，通快霍廷格中國新工廠在太倉建成開業(yè)，這是通快霍廷格繼德國、波蘭之后布局的全球第三家生產(chǎn)制造基地。