PSRAM，作為一種融合了動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)高密度特性與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)易用性的存儲技術(shù)，其重要性不言而喻。從結(jié)構(gòu)上看，PSRAM 內(nèi)部主要由 DRAM 存儲單元負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲，SRAM 接口電路將 DRAM 的操作轉(zhuǎn)換為外部系統(tǒng)可識別的 SRAM 操作模式，刷新控制電路則自動執(zhí)行 DRAM 的刷新操作以確保數(shù)據(jù)完整性。這種獨特的架構(gòu)設(shè)計賦予了 PSRAM 一系列出色的技術(shù)特點。

PSRAM 具有高密度與低成本的優(yōu)勢。它能夠在較小的封裝尺寸內(nèi)提供大容量的存儲空間，這得益于其對 DRAM 高密度特性的繼承。對于需要大容量存儲但成本敏感的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場景而言，PSRAM 的這一特性尤為關(guān)鍵。例如在一些智能家居設(shè)備中，需要存儲大量的傳感器數(shù)據(jù)、用戶設(shè)置信息等，PSRAM 可以在滿足存儲需求的同時，有效控制成本，使得產(chǎn)品更具市場競爭力。

PSRAM 的低功耗特性也十分突出。相較于傳統(tǒng)的 SRAM，PSRAM 在待機(jī)狀態(tài)下能夠顯著降低功耗。在如今電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備廣泛普及的情況下，低功耗意味著設(shè)備能夠擁有更長的續(xù)航時間，這對于提升用戶體驗具有重要意義。以智能手環(huán)為例，其內(nèi)部的 PSRAM 在設(shè)備待機(jī)時功耗極低，從而保障了手環(huán)能夠長時間穩(wěn)定運(yùn)行，無需頻繁充電。

易用性也是 PSRAM 的一大亮點。其接口設(shè)計模擬了 SRAM 的操作方式，這使得外部系統(tǒng)在集成 PSRAM 時，可以無縫對接，無需對原有設(shè)計進(jìn)行大幅修改。這極大地降低了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度和開發(fā)周期。對于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商來說，能夠快速將 PSRAM 集成到產(chǎn)品中，意味著可以更快地將產(chǎn)品推向市場，搶占先機(jī)。

盡管 PSRAM 的訪問速度略遜于純 SRAM，但在許多應(yīng)用場景中，其速度已足夠滿足需求。并且隨著技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，PSRAM 的訪問速度也在不斷提升，逐漸接近甚至超越部分 SRAM 產(chǎn)品。在一些對數(shù)據(jù)處理速度有一定要求的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，如智能攝像頭的圖像數(shù)據(jù)緩存處理等場景中，PSRAM 的速度表現(xiàn)能夠很好地適應(yīng)。

物聯(lián)網(wǎng) RAM 正是基于 PSRAM 技術(shù)發(fā)展而來，并繼承了 PSRAM 的這些積極特性。物聯(lián)網(wǎng) RAM 結(jié)合了相對簡單的 SRAM 接口和 DRAM 存儲單元技術(shù)，這一特性帶來了諸多好處。一方面，簡化的 SRAM 接口極大地便利了產(chǎn)品設(shè)計。在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的設(shè)計過程中，工程師無需花費大量時間和精力去處理復(fù)雜的內(nèi)存接口問題，可以更專注于設(shè)備整體功能的實現(xiàn)和優(yōu)化。另一方面，與 SRAM 相比，采用 PSRAM 技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng) RAM 降低了產(chǎn)品成本。通常情況下，成本可降低至原來的十分之一，這對于大規(guī)模部署物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的企業(yè)來說，能夠顯著降低成本投入。同時，物聯(lián)網(wǎng) RAM 的密度相較于 SRAM 提高了 10 倍，這使得在有限的空間內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)更大容量的存儲，滿足了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對數(shù)據(jù)存儲不斷增長的需求。

物聯(lián)網(wǎng) RAM 還具有低延遲的特點。這一特性允許設(shè)備從超低功耗模式快速喚醒以及實現(xiàn)快速上電時間，甚至可以從待機(jī)模式瞬時喚醒。在一些對響應(yīng)速度要求極高的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中，如工業(yè)自動化中的傳感器監(jiān)測與控制設(shè)備，設(shè)備需要能夠快速響應(yīng)外部環(huán)境的變化，物聯(lián)網(wǎng) RAM 的低延遲特性確保了設(shè)備能夠及時獲取和處理數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)精準(zhǔn)的控制。

物聯(lián)網(wǎng) RAM 允許超低電流消耗，通常小于 0.15。隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量的不斷增加，對能源效率的要求也越來越高。物聯(lián)網(wǎng) RAM 的超低電流消耗特性有助于降低整個物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的能耗，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。在一些偏遠(yuǎn)地區(qū)部署的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點設(shè)備，由于供電不便，采用低電流消耗的物聯(lián)網(wǎng) RAM 可以有效延長設(shè)備的運(yùn)行時間，減少維護(hù)成本。

由于 PSRAM 解決了與物聯(lián)網(wǎng) / 嵌入式應(yīng)用中類似的設(shè)計約束，因此在功能電話產(chǎn)品等領(lǐng)域也找到了應(yīng)用空間。而物聯(lián)網(wǎng) RAM 基于 PSRAM 并通過低引腳數(shù) SPI 或 SiP 選項進(jìn)行接口，成為了需要性能、低成本和響應(yīng)性的基于 MCU/SoC/FPGA 的功率受限解決方案的理想選擇。利用低引腳數(shù)的 SPI 接口，能夠進(jìn)一步提高基于 MCU/SoC/FPGA 的設(shè)備的系統(tǒng)成本效率。例如，AP Memory 具有成本效益的 IoT RAM 解決方案與大多數(shù) MCU/SoC/FPGA 隨附的 SPI 接口兼容，包括 Quad - SPI 和 Octal - SPI 接口。通過 “系統(tǒng)級封裝”(SiP)選項，AP 內(nèi)存啟用了 “超越摩爾”，這為增加系統(tǒng)內(nèi)存提供了另一種有效的方法。業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商 AP Memory 授權(quán)英尚微電子成為其核心一級代理商，提供的 IoT RAM 器件具有高速、低引腳數(shù)接口，非常適合于低功耗和低成本便攜式應(yīng)用。

展望未來，隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的不斷發(fā)展，對物聯(lián)網(wǎng) RAM 的性能要求也將不斷提高。一方面，PSRAM 作為物聯(lián)網(wǎng) RAM 的基礎(chǔ)技術(shù)，其容量將不斷提升，以滿足物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備日益增長的大數(shù)據(jù)存儲和處理需求。另一方面，PSRAM 的訪問速度也會持續(xù)提升，從而進(jìn)一步優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng) RAM 的性能，縮小與純 SRAM 之間的差距。在低功耗優(yōu)化方面，隨著便攜式設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)的進(jìn)一步普及，低功耗將始終是物聯(lián)網(wǎng) RAM 發(fā)展的重要方向。同時，為了提高系統(tǒng)的集成度和可靠性，物聯(lián)網(wǎng) RAM 將更多地采用封裝集成技術(shù)，如 MCP(多芯片封裝)、SiP(系統(tǒng)級封裝)等，將多個芯片封裝在一起，形成高度集成的解決方案。

物聯(lián)網(wǎng) RAM 繼承了 PSRAM 的積極特性，為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的發(fā)展提供了堅實的內(nèi)存支持。在未來，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，物聯(lián)網(wǎng) RAM 有望在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮更加重要的作用，推動物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)邁向新的高度。