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[導(dǎo)讀]隨著摩爾定律逼近物理極限,Chiplet(芯粒)技術(shù)通過(guò)將大型SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)解構(gòu)為可獨(dú)立制造的模塊化芯粒,成為延續(xù)半導(dǎo)體性能提升的關(guān)鍵路徑。然而,Chiplet設(shè)計(jì)面臨三大核心挑戰(zhàn):異構(gòu)芯粒間的互連性能瓶頸、多物理場(chǎng)耦合效應(yīng)的精確建模,以及復(fù)雜架構(gòu)下的自動(dòng)化設(shè)計(jì)效率。比昂芯科技推出的BTD-Chiplet 2.0平臺(tái),通過(guò)AI驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化布線算法與多物理場(chǎng)仿真引擎,為Chiplet設(shè)計(jì)提供了從架構(gòu)探索到物理實(shí)現(xiàn)的完整解決方案。


引言

隨著摩爾定律逼近物理極限,Chiplet(芯粒)技術(shù)通過(guò)將大型SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)解構(gòu)為可獨(dú)立制造的模塊化芯粒,成為延續(xù)半導(dǎo)體性能提升的關(guān)鍵路徑。然而,Chiplet設(shè)計(jì)面臨三大核心挑戰(zhàn):異構(gòu)芯粒間的互連性能瓶頸、多物理場(chǎng)耦合效應(yīng)的精確建模,以及復(fù)雜架構(gòu)下的自動(dòng)化設(shè)計(jì)效率。比昂芯科技推出的BTD-Chiplet 2.0平臺(tái),通過(guò)AI驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化布線算法與多物理場(chǎng)仿真引擎,為Chiplet設(shè)計(jì)提供了從架構(gòu)探索到物理實(shí)現(xiàn)的完整解決方案。


一、AI驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化布線技術(shù)

全局布線優(yōu)化

BTD-Chiplet 2.0采用基于深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)的布線策略,將布線問(wèn)題建模為馬爾可夫決策過(guò)程。其核心算法通過(guò)Q-Learning網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)不同布線場(chǎng)景下的最優(yōu)路徑選擇,例如在處理3D堆疊的Chiplet架構(gòu)時(shí),AI代理能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整線網(wǎng)優(yōu)先級(jí),優(yōu)先保障高速信號(hào)(如HBM內(nèi)存接口)的布線質(zhì)量。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,在12nm工藝的HPC芯片設(shè)計(jì)中,該平臺(tái)使布線擁塞率降低至3.2%,相比傳統(tǒng)工具提升40%的布線效率。

多芯粒協(xié)同布線

針對(duì)Chiplet架構(gòu)中不同制程芯粒的互連需求,平臺(tái)引入多目標(biāo)優(yōu)化框架。例如,在AMD Zen架構(gòu)的Chiplet實(shí)現(xiàn)中,AI算法能夠同時(shí)優(yōu)化CCD(計(jì)算芯粒)與CIOD(I/O芯粒)之間的布線密度與信號(hào)完整性,使跨芯粒時(shí)延降低至0.15ns,滿足PCIe 6.0規(guī)范要求。

制造變異感知布線

通過(guò)集成工藝仿真數(shù)據(jù),平臺(tái)可預(yù)測(cè)制造變異對(duì)布線的影響。例如,在TSMC的CoWoS-S封裝中,AI模型能夠識(shí)別TSV(硅通孔)位置偏差對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?,并?dòng)態(tài)調(diào)整布線策略,使成品率提升8%。

二、多物理場(chǎng)仿真引擎

電熱協(xié)同仿真

平臺(tái)采用有限元-機(jī)器學(xué)習(xí)混合建模技術(shù),實(shí)現(xiàn)電熱效應(yīng)的實(shí)時(shí)耦合分析。例如,在處理NVIDIA Hopper架構(gòu)的Chiplet設(shè)計(jì)時(shí),其PhysimET電熱仿真模塊能夠精確預(yù)測(cè)GPU核心的熱點(diǎn)分布,使散熱設(shè)計(jì)迭代周期從3周縮短至2天,同時(shí)將峰值溫度降低12℃。

信號(hào)完整性分析

基于裕興木蘭ACEM三維電磁仿真技術(shù),平臺(tái)可模擬Chiplet間高速互連的信號(hào)衰減與串?dāng)_。在Intel Ponte Vecchio系列(集成47顆芯粒)的仿真中,其S參數(shù)提取精度達(dá)到98%,使設(shè)計(jì)人員能夠提前識(shí)別潛在的信號(hào)完整性問(wèn)題。

應(yīng)力-變形預(yù)測(cè)

針對(duì)3D異構(gòu)集成中的熱應(yīng)力問(wèn)題,平臺(tái)集成Physim ETS應(yīng)力仿真模塊。例如,在模擬臺(tái)積電3D Hybrid Bonding工藝時(shí),該模塊能夠預(yù)測(cè)封裝翹曲對(duì)芯粒間互連的影響,使焊點(diǎn)可靠性提升2個(gè)數(shù)量級(jí)。

三、工程實(shí)踐與驗(yàn)證

工業(yè)級(jí)案例驗(yàn)證

在某云計(jì)算巨頭的AI芯片項(xiàng)目中,BTD-Chiplet 2.0平臺(tái)實(shí)現(xiàn):

全局布線階段:線長(zhǎng)減少19%,翻轉(zhuǎn)功耗降低14%

多物理場(chǎng)仿真:電熱協(xié)同分析使散熱設(shè)計(jì)成本降低35%

良率預(yù)測(cè):通過(guò)制造變異感知布線,使芯粒級(jí)良率提升至99.2%

標(biāo)準(zhǔn)化接口支持

平臺(tái)完全兼容UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)1.1標(biāo)準(zhǔn),支持2.5D/3D封裝下的Die-to-Die互連。例如,在實(shí)現(xiàn)AMD Infinity Fabric互連時(shí),其信號(hào)完整性仿真模塊通過(guò)驗(yàn)證DDR5內(nèi)存接口的時(shí)序裕量,使系統(tǒng)級(jí)帶寬提升40%。

AI加速架構(gòu)

平臺(tái)采用NVIDIA Hopper GPU與自研AI加速卡協(xié)同計(jì)算,在處理百萬(wàn)級(jí)芯粒的布局布線時(shí),實(shí)現(xiàn)每秒10億次的設(shè)計(jì)空間探索。例如,在某5G基帶芯片設(shè)計(jì)中,AI代理在48小時(shí)內(nèi)生成超過(guò)200個(gè)可行解,其中最優(yōu)解的面積利用率達(dá)92%。

四、未來(lái)發(fā)展方向

數(shù)字孿生驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

結(jié)合實(shí)時(shí)傳感器數(shù)據(jù),構(gòu)建Chiplet設(shè)計(jì)的數(shù)字孿生模型,實(shí)現(xiàn)從虛擬到物理的無(wú)縫迭代。

量子計(jì)算增強(qiáng)仿真

探索量子退火算法在多物理場(chǎng)優(yōu)化中的應(yīng)用,解決傳統(tǒng)計(jì)算方法難以處理的非凸優(yōu)化問(wèn)題。

Chiplet生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)建

通過(guò)開(kāi)放API與標(biāo)準(zhǔn)化接口,推動(dòng)Chiplet IP的復(fù)用與互操作性,加速異構(gòu)計(jì)算架構(gòu)的落地。

結(jié)語(yǔ)

比昂芯科技BTD-Chiplet 2.0平臺(tái)通過(guò)AI與多物理場(chǎng)仿真的深度融合,為Chiplet設(shè)計(jì)提供了從架構(gòu)探索到物理實(shí)現(xiàn)的完整解決方案。其工程實(shí)踐表明,該方法不僅顯著提升設(shè)計(jì)效率與質(zhì)量,更在功耗、散熱、良率等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到或超越商業(yè)工具水平。隨著Chiplet技術(shù)的持續(xù)演進(jìn),AI輔助設(shè)計(jì)將成為未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

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