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[導(dǎo)讀]隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入7nm/5nm之后,2.5D/3D IC憑借先進(jìn)封裝(Interposer、TSV)實(shí)現(xiàn)Die - to - Die互連,成為后摩爾時(shí)代提升系統(tǒng)效能、縮小芯片面積并整合不同功能的核心驅(qū)動(dòng)力。然而,2.5D/3D IC的電源完整性面臨諸多挑戰(zhàn),如高功耗、散熱問(wèn)題以及熱應(yīng)力形變等。在此背景下,mPower工具憑借其多物理場(chǎng)協(xié)同分析能力,為解決這些問(wèn)題提供了有效方案。


一、引言

隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入7nm/5nm之后,2.5D/3D IC憑借先進(jìn)封裝(Interposer、TSV)實(shí)現(xiàn)Die - to - Die互連,成為后摩爾時(shí)代提升系統(tǒng)效能、縮小芯片面積并整合不同功能的核心驅(qū)動(dòng)力。然而,2.5D/3D IC的電源完整性面臨諸多挑戰(zhàn),如高功耗、散熱問(wèn)題以及熱應(yīng)力形變等。在此背景下,mPower工具憑借其多物理場(chǎng)協(xié)同分析能力,為解決這些問(wèn)題提供了有效方案。


二、2.5D/3D IC電源完整性挑戰(zhàn)

(一)高功耗與散熱難題

2.5D/3D IC的典型功耗可能高達(dá)300W,在實(shí)際工作過(guò)程中,高功耗引發(fā)嚴(yán)重的散熱問(wèn)題。例如,當(dāng)多個(gè)芯片通過(guò)TSV在高度方向上互連時(shí),芯片堆疊產(chǎn)生的熱量難以有效散發(fā),可能導(dǎo)致芯片性能下降甚至損壞。


(二)電源網(wǎng)絡(luò)復(fù)雜性

2.5D/3D IC中的中介層包含數(shù)十個(gè)芯片或小芯片,具有數(shù)百萬(wàn)個(gè)連接,電源網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)復(fù)雜。電源完整性分析需要確保電源網(wǎng)絡(luò)能夠向器件提供按設(shè)計(jì)運(yùn)行所需的電流,并避免導(dǎo)線因電遷移而過(guò)早失效。


三、mPower工具的多物理場(chǎng)協(xié)同分析方案

(一)多物理場(chǎng)耦合建模

mPower工具將模擬和數(shù)字EM、IR壓降及功耗分析整合為一個(gè)完整、可擴(kuò)展的解決方案。它考慮了電、熱、結(jié)構(gòu)等多個(gè)物理場(chǎng)的相互作用。例如,在熱 - 電耦合分析中,通過(guò)建立熱傳導(dǎo)模型和電路模型,模擬芯片在不同工作溫度下的功耗變化。以下是一個(gè)簡(jiǎn)化的熱 - 電耦合分析Python代碼示例:


python

import numpy as np

import matplotlib.pyplot as plt


# 模擬芯片的電阻和熱阻

R = 10  # 電阻,單位:歐姆

Rth = 0.1  # 熱阻,單位:K/W


# 模擬不同功耗下的溫度變化

power = np.linspace(0, 100, 100)  # 功耗,單位:瓦特

temperature = power * Rth  # 溫度,單位:攝氏度


# 模擬功耗與電流的關(guān)系

current = power / R  # 電流,單位:安培


plt.figure()

plt.subplot(2, 1, 1)

plt.plot(power, temperature)

plt.xlabel('Power (W)')

plt.ylabel('Temperature (°C)')

plt.title('Power - Temperature Relationship')


plt.subplot(2, 1, 2)

plt.plot(power, current)

plt.xlabel('Power (W)')

plt.ylabel('Current (A)')

plt.title('Power - Current Relationship')


plt.tight_layout()

plt.show()

該代碼模擬了芯片功耗與溫度、電流的關(guān)系,展示了熱 - 電耦合的基本原理。


(二)高效電源完整性分析

mPower工具支持從RTL/門級(jí)到芯片級(jí)集成,直到封裝和電路板系統(tǒng)級(jí)的模擬和數(shù)字電源完整性分析。它采用全新設(shè)計(jì),可擴(kuò)展至異構(gòu)網(wǎng)絡(luò),以更佳周轉(zhuǎn)時(shí)間和最低成本提供高精度的結(jié)果。例如,對(duì)于大型模擬電路的EM/IR分析,mPower能夠提供詳細(xì)的仿真結(jié)果,幫助設(shè)計(jì)人員識(shí)別和修復(fù)電壓不足等電源問(wèn)題。


(三)與其他工具的協(xié)同

mPower工具可以與其他EDA工具協(xié)同工作,實(shí)現(xiàn)從芯片設(shè)計(jì)到封裝和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)的無(wú)縫銜接。通過(guò)與芯片設(shè)計(jì)公司、EDA工具供應(yīng)商、代工廠和封裝公司的合作,確保各方之間的信息流通,提高設(shè)計(jì)的整體效率和可靠性。


四、結(jié)論

2.5D/3D IC的電源完整性挑戰(zhàn)需要綜合考慮多個(gè)物理場(chǎng)的相互作用。mPower工具通過(guò)其多物理場(chǎng)協(xié)同分析方案,為解決這些挑戰(zhàn)提供了有效的途徑。通過(guò)熱 - 電耦合分析、高效電源完整性分析以及與其他工具的協(xié)同,mPower工具能夠幫助設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)早期發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,優(yōu)化芯片設(shè)計(jì),確保2.5D/3D IC的電源完整性和可靠性,推動(dòng)后摩爾時(shí)代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。

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