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  • 英特爾和ARM業(yè)務(wù)將產(chǎn)生“碰撞”

    為了與ARM控股公司(ARM Holdings plc)在嵌入式市場(chǎng)進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng),英特爾公司(Intel Corp.)率先將其外圍的處理器技術(shù)轉(zhuǎn)移給一家芯片代工公司。 有報(bào)道,英特爾將非專用的Atom處理器內(nèi)核轉(zhuǎn)移至臺(tái)積電(Taiwan Semicon

  • 類似信噪比及其在設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

      引言  在數(shù)字通信系統(tǒng)中,接收信噪功率譜密度比(Pr/N0)、接收位能量與噪聲功率譜密度比(Eb/N0),以及其它類似的信噪比(SNR)常常被不太準(zhǔn)確地定義在接收電路的輸入點(diǎn)處。這種不精確性來(lái)自于一些常見(jiàn)的不確定性,

  • 20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET(Vishay)

    日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP,該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝,具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ(在

  • 基于NI ELVIS的遠(yuǎn)程虛擬實(shí)驗(yàn)室的研究

    介紹NI教學(xué)實(shí)驗(yàn)虛擬儀器套件(ELVIS)軟硬件構(gòu)成、功能和iLabs遠(yuǎn)程虛擬實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),研究以交互式結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),應(yīng)用NI ELVIS而構(gòu)建的遠(yuǎn)程虛擬實(shí)驗(yàn)室,并以信號(hào)調(diào)理實(shí)驗(yàn)為例說(shuō)明其應(yīng)用。實(shí)驗(yàn)證明NI ELVIS比傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)教學(xué)裝置更具創(chuàng)新性、實(shí)踐性,iLabs系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)和儀器的遠(yuǎn)程共享。因此,基于NI ELVIS的遠(yuǎn)程虛擬實(shí)驗(yàn)室能夠滿足實(shí)驗(yàn)教學(xué)需要。

  • 設(shè)計(jì)便攜式醫(yī)療電子系統(tǒng)時(shí)的IC器件選擇

    隨著人們對(duì)自身健康狀況的日益關(guān)注,便攜式超聲波診斷設(shè)備、血壓計(jì)、血糖計(jì)等個(gè)人健康監(jiān)護(hù)設(shè)備開(kāi)始獲得市場(chǎng)青睞。醫(yī)療電子技術(shù)不斷發(fā)展,不同的醫(yī)療設(shè)備具有不同的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。即便同類設(shè)備,也會(huì)因?yàn)楫a(chǎn)品的具體應(yīng)

  • 臺(tái)灣芯片制造商的困境

    首席執(zhí)行官們哀嘆看不清前景已成為時(shí)尚。但臺(tái)灣的存儲(chǔ)芯片制造商來(lái)說(shuō),前景卻再清楚不過(guò)了:臃腫的行業(yè)規(guī)模必須收縮。最好的結(jié)果是——至少對(duì)臺(tái)灣而言,由政府主導(dǎo)的行業(yè)重組可以保留2.8萬(wàn)個(gè)本地就業(yè)機(jī)會(huì)中的大部分。

  • 全球DRAM廠抓緊政府大金主 臺(tái)灣的錢要花在刀口上

    臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)最近最流行的問(wèn)候語(yǔ)是“政府到底該不該救DRAM?”,三不五時(shí)看到DRAM廠老板出面吶喊“臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)一垮,整個(gè)PC供應(yīng)鏈跟著遭殃!”、“這是韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics) 要柯斷全球DRAM供應(yīng)鏈的陰

  • 美新半導(dǎo)體:芯片異行者

    在慘狀一片的半導(dǎo)體行業(yè)里,美新已是幸運(yùn)兒了,但它還要轉(zhuǎn)型,為什么? 無(wú)論走在哪里,趙陽(yáng)都會(huì)給人一種鶴立雞群的感覺(jué)。這不僅僅是因?yàn)樗?.98米的身高,更因?yàn)樗憩F(xiàn)出來(lái)的自信,以及在產(chǎn)業(yè)低潮中的沉靜與寵辱

  • NAND價(jià)格走勢(shì)未明 市場(chǎng)仍在觀望

    集邦科技(DRAMeXchange)表示,2月下旬NAND Flash合約價(jià)格呈現(xiàn)上揚(yáng),現(xiàn)貨價(jià)格方面卻已經(jīng)開(kāi)始下跌;然而,目前現(xiàn)貨市場(chǎng)仍處于多空未明狀態(tài),觀望氣氛濃厚,買家不敢貿(mào)然搶進(jìn)。 集邦表示,2月下旬主流MLC NAND Flash合

  • 基于雙向觸發(fā)二極管的脈沖序列發(fā)生器

    提出了一種基于雙向觸發(fā)二極管和單電容定時(shí)的,用于爆閃式信號(hào)燈的脈沖序列發(fā)生器。這種脈沖序列發(fā)生器使用了雙向觸發(fā)二極管和單電容定時(shí),因此克服了傳統(tǒng)的脈沖序列發(fā)生器,由于使用2個(gè)定時(shí)電容,從而因電容誤差和溫度變化所引起的脈沖個(gè)數(shù)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

  • 采用信號(hào)調(diào)理IC驅(qū)動(dòng)應(yīng)變片電橋傳感器

    目前可以提供的應(yīng)變片具有較寬的零應(yīng)變電阻選擇范圍,可以選擇的傳感器材料和相關(guān)技術(shù)也非常廣泛,但在大量應(yīng)用中主要采用了幾類數(shù)值(如120Ω和350Ω)。過(guò)去,標(biāo)準(zhǔn)值很容易實(shí)現(xiàn)與基本磁反射計(jì)的連接,這些反射計(jì)含有匹配輸入阻抗網(wǎng)絡(luò),從而簡(jiǎn)化了應(yīng)變測(cè)量。

  • DAC的分類與指標(biāo)

    DAC的分類DA 轉(zhuǎn)換器的內(nèi)部電路構(gòu)成無(wú)太大差異,一般按輸出是電流還是電壓、能否作乘法運(yùn)算等進(jìn)行分類。大多數(shù)DA轉(zhuǎn)換器由電阻陣列和n個(gè)電流開(kāi)關(guān)(或電壓開(kāi)關(guān))構(gòu)成。 按數(shù)字輸入值切換開(kāi)關(guān),產(chǎn)生比例于輸入的電流(或電壓

  • ADC的分類與指標(biāo)

    AD轉(zhuǎn)換器的分類 下面簡(jiǎn)要介紹常用的幾種類型的基本原理及特點(diǎn):積分型、逐次逼近型、并行比較型/串并行型、Σ-Δ調(diào)制型、電容陣列逐次比較型及壓頻變換型。 1)積分型(如TLC7135) 積分型AD工作原理是將輸入電壓

  • 16通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片(Samplify Systems)

    SAM1600是16通道、12bit、65MHz采樣的模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片,并集成有數(shù)據(jù)壓縮技術(shù),平均每個(gè)信道的功耗僅44mW。SAM1600系列的卓越性能可以通過(guò)Samplify的Prism數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)專利得到進(jìn)一步加強(qiáng)。Prism數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)減小了LV

  • 低功耗、雙通道、8位ADC(Maxim)

    MAX19505/MAX19506/MAX19507具有業(yè)內(nèi)最低功耗,每通道模擬電路的功耗僅為43mW(MAX19505)、 57mW(MAX19506)和74mW(MAX19507)。此外,這些ADC還具有近乎理想的8位動(dòng)態(tài)性能,70MHz時(shí)的SNR為 49.8dBFS、SFDR為69dBc。MAX

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