Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的30 V和40 V P溝道MOSFET，有效提高板級(jí)可靠性

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款30 V和40 V汽車級(jí)p溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK® SO-8L封裝，有效提升板級(jí)可靠性。

MACOM和格芯合作將硅光子技術(shù)擴(kuò)展到超大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心和5G網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建

MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)和格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布戰(zhàn)略合作，使用格芯當(dāng)前一代硅光子產(chǎn)品90WG升級(jí)MACOM的創(chuàng)新激光光子集成電路(L-PIC™)平臺(tái)，以滿足數(shù)據(jù)中心和5G電信行業(yè)的需求。

大陸IC晶圓廠發(fā)展迅速，總裝機(jī)容量份額全球排名第五

中國臺(tái)灣的晶圓產(chǎn)能占21.8%，略高于2017年的21.3%(臺(tái)灣首次成為2015年全球晶圓產(chǎn)能領(lǐng)導(dǎo)者)。 中國臺(tái)灣的產(chǎn)能份額僅略高于韓國，臺(tái)積電和三星以及韓國的SK海力 士占據(jù)各自國家晶圓廠產(chǎn)能的巨大比重，并且是全球三大產(chǎn)能領(lǐng)導(dǎo)者。 臺(tái)積電占臺(tái)灣產(chǎn)能的67%，而三星和SK海力士占2018年底韓國IC晶圓產(chǎn)能的94%。

MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)

MACOM Technology Solutions Holdings公司 (以下簡(jiǎn)稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡(jiǎn)稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴(kuò)大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴(kuò)產(chǎn)。該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，基于2018年初 MACOM和ST宣布達(dá)成的廣泛的硅基GaN協(xié)議。

安森美半導(dǎo)體公布2018年度代理商伙伴獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)?wù)?/a>

海辰半導(dǎo)體無錫8英寸晶圓廠正式封頂，年底可搬入工藝設(shè)備

據(jù)悉，該項(xiàng)目即將進(jìn)入機(jī)電安裝和潔凈廠房施工階段，預(yù)計(jì)今年年底工藝設(shè)備可搬入。

第四次！安森美半導(dǎo)體再獲Ethisphere選為2019年世界最道德企業(yè)之一

21IC訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，宣布獲Ethisphere Institute選為2019年世界最道德企業(yè)之一，Ethisphere Institute是定義和推廣合乎商業(yè)道德標(biāo)準(zhǔn)的一個(gè)全球領(lǐng)導(dǎo)者。

Vishay推出用于多相電源具有低直流電阻、高電流密度的高飽和IHSR電感器

21IC訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.，擴(kuò)展IHSR系列高飽和商用電感器，推出最新4 mm x 4 mm 1616外形尺寸超薄封裝器件---IHSR-1616AB-01。

世強(qiáng)與光頡科技（Viking）簽約，豐富薄膜電阻、厚膜電阻、柱狀電阻、晶元電阻等產(chǎn)品

近日，世強(qiáng)與光頡科技(Viking)簽訂代理協(xié)議，豐富了薄膜電阻、厚膜電阻、柱狀電阻、晶元電阻、電流感應(yīng)電阻、電感、電容等產(chǎn)品。此后，世強(qiáng)及世強(qiáng)元件電商可提供光頡科技的元件采購，保障100%正品、現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨、交付準(zhǔn)時(shí)、價(jià)格優(yōu)惠。

半導(dǎo)體行業(yè)疲軟，應(yīng)用材料第二季度財(cái)測(cè)不如預(yù)期

據(jù)路透社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四，應(yīng)用材料表示，由于半導(dǎo)體行業(yè)疲軟，預(yù)計(jì)第二季度利潤和收入將會(huì)低于分析師預(yù)期。

TDK推出適用于ADAS應(yīng)用的微型薄膜金屬功率電感器

TDK株式會(huì)社(TSE:6762)推出了TFM252012ALVA薄膜金屬功率電感器，該款電感器可與12 V汽車電池直接相連，同時(shí)保持小型尺寸。

氮化鎵是未來的硅？

相對(duì)硅，氮化鎵擁有跟寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力，并且可以承受比硅更高的電壓。簡(jiǎn)而言之，相同體積下，氮化鎵比硅的效率高出不少。

富士康要做芯片了，濟(jì)南2019重點(diǎn)項(xiàng)目透露了這些！

在實(shí)體經(jīng)濟(jì)項(xiàng)目中有幾個(gè)重大項(xiàng)目引人注意，包括富士康功率芯片工廠建設(shè)項(xiàng)目、天岳高品質(zhì)4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動(dòng)汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。

晶體管為摩爾定律續(xù)命

展望未來十年，功耗和功率密度將會(huì)被視為限制數(shù)據(jù)中心和行動(dòng)裝置運(yùn)算性能提升的因素。我們將再次面臨挑戰(zhàn)，就像1980年代使用80386處理器時(shí)的情況一樣——運(yùn)算性能受到功耗或熱的限制，但事實(shí)上，這些問題最終都透過芯片封裝技術(shù)改善了。

Vishay推出新型超薄SMF封裝TMBS整流器，節(jié)省空間且提高功率密度和能效

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件，擴(kuò)充其表面貼裝TMBS®Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器產(chǎn)品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封裝整流器節(jié)省空間，反向電壓從45 V到150 V，3 A電流等級(jí)達(dá)到業(yè)內(nèi)SMF封裝器件最高水平。