AspenCore全球電子成就獎(jiǎng): CeraCharge 和PowerHap 榮獲年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)

TDK株式會(huì)社近日宣布CeraCharge™和PowerHap™榮獲ASPENCORE 2018 年“年度高性能無源器件獎(jiǎng)”。這是TDK電子(前身EPCOS)在中國的公司首次獲得AspenCore全球電子成就獎(jiǎng) (WEAA)。WEAA旨在評選并表彰對推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)。

復(fù)旦大學(xué)首次觀測到三維量子霍爾效應(yīng)

復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系修發(fā)賢課題組在拓?fù)浒虢饘偕榛k納米片中觀測到了由外爾軌道形成的新型三維量子霍爾效應(yīng)的直接證據(jù)，邁出了從二維到三維的關(guān)鍵一步。

MOSFET缺貨漲價(jià)泡湯？晶圓代工廠透露：12月接單有壓力

據(jù)報(bào)道，金氧半場效電晶體(MOSFET)市場出現(xiàn)雜音，有晶圓代工廠透露，客戶需求轉(zhuǎn)趨觀望，12月訂單調(diào)整幅度比往年大，接單感受到壓力。

意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>

傳統(tǒng)淡季與中美貿(mào)易戰(zhàn)共同影響，被動(dòng)器件短期市場不樂觀

雖然短期市場需求疲弱，前景不明，被動(dòng)器件業(yè)者預(yù)期，客戶端庫存消化一段時(shí)間后就會(huì)再拉貨，且中長期的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)大致仍未改變，車用產(chǎn)品供需依然短缺。

晶門科技PMOLED TDDI芯片 于2018「香港工業(yè)獎(jiǎng)」及「工程技術(shù)學(xué)會(huì)創(chuàng)新獎(jiǎng)」奪得殊榮

晶門科技有限公司(「晶門科技」)最新推出的全球首顆用于PMOLED(被動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)面板的觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器集成(TDDI)芯片SSD7317，榮獲今年的香港工商業(yè)獎(jiǎng) - 科技成就獎(jiǎng)。

支持1.8V低電壓和4.0A大電流，東芝推出雙H橋驅(qū)動(dòng)器IC

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今天宣布，面向直流有刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)推出雙H橋[1]驅(qū)動(dòng)器IC系列的新產(chǎn)品“TC78H653FTG”，該新品可提供移動(dòng)設(shè)備、家用電子產(chǎn)品及USB驅(qū)動(dòng)器等干電池供電設(shè)備所需的低電壓(1.8V)和大電流(4.0A)[2]。

未來十年氮化鎵市場規(guī)模有望突破10億美元

雖然目前市面上的應(yīng)用主要以硅基器件為主，但在一些高功率、高電壓應(yīng)用中，硅基器件有些捉襟見肘，而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應(yīng)用場景。這主要是因?yàn)?，他們屬于寬禁帶半?dǎo)體材料，與硅等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特，氮化鎵是3.4電子伏特。

大中：MOSFET缺貨會(huì)持續(xù)到明年

薛添福表示，產(chǎn)能滿足度與市場供給缺口達(dá)3成，且新投資產(chǎn)能還是很有限，新應(yīng)用占去的產(chǎn)能，對于其他產(chǎn)品產(chǎn)生排擠效應(yīng);另外，工業(yè)機(jī)器人、人工智能和數(shù)據(jù)中心也占掉一些產(chǎn)能，至少到明年都呈現(xiàn)不足。不過，薛添福也看好自家未來產(chǎn)能會(huì)比今年多。

德州儀器推出四種微型高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

德州儀器(TI)今日推出四種微型高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，每種轉(zhuǎn)換器均具有業(yè)界同類產(chǎn)品中最小尺寸。新數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器可幫助設(shè)計(jì)人員在縮減系統(tǒng)板占用空間之余，增加更多智能及功能。DAC80508與DAC70508是八通道高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)，分別提供真正的16位和14位分辨率。ADS122C04與ADS122U04是24位高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，分別提供雙線I2C兼容接口及雙線UART兼容接口。

晶圓代工業(yè)掀起撤退潮，材料和封裝技術(shù)將成為下一波市場熱點(diǎn)

前段時(shí)間，晶圓代工業(yè)掀起了一場“撤退潮”。由于摩爾定律的每年工藝微縮愈發(fā)困難，導(dǎo)致研發(fā)投入與產(chǎn)出不均衡，聯(lián)電(UMC)、格芯(Globalfoundries)等行業(yè)巨頭紛紛表示暫停7納米以下先進(jìn)工藝的研發(fā)，專注優(yōu)化現(xiàn)有技術(shù)和市場。行業(yè)分析師認(rèn)為，隨著先進(jìn)工藝陷入少數(shù)玩家的寡頭壟斷領(lǐng)域，半導(dǎo)體材料和封裝技術(shù)將成為下一波市場熱點(diǎn)。

MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲！

到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。

TDK推出采用模塊化柔性裝配技術(shù)的CeraLink電容器

TDK株式會(huì)社 推出采用模塊化柔性裝配技術(shù)的CeraLink FA類型電容器，進(jìn)一步拓展了成熟的CeraLink™電容器的產(chǎn)品陣容。新類型電容器采用節(jié)省空間的設(shè)計(jì)，在相同的端子上并聯(lián)了兩個(gè)、三個(gè)甚至十個(gè)完全相同的電容器來增加容值。

TDK推出緊湊型冷式等離子發(fā)生器CeraPlas HF

TDK株式會(huì)社推出緊湊型冷等離子發(fā)生器CeraPlas™HF。該元件采用PZT(鋯鈦酸鉛)陶瓷材料以及塑料封裝外殼，尺寸僅為47.3 mm x 20 mm x 20 mm，并配備可焊接引線。此外，它還具有重量輕、功耗低、輸入電壓低等諸多特點(diǎn)。

TDK推出具有大電流能力的緊湊型單端引線式鋁電解電容器系列

TDK公司開發(fā)出新系列愛普科斯(EPCOS)單端引線式鋁電解電容器B41897*系列。該系列電容器尺寸非常緊湊，具有大CV(電容值)和高紋波電流能力，額定電壓范圍為25 V DC至75 V DC，電容范圍為270 μF至12,000 μF。根據(jù)電壓和電容值的不同，新元件的尺寸范圍為12.5 mm x 20 mm至18 mm x 40 mm(直徑x 長度)。