日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。
Littelfuse, Inc.宣布今日推出雙向瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA®二極管)系列的首款產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品旨在保護(hù)高端消費(fèi)電子產(chǎn)品和可穿戴電子產(chǎn)品免因破壞性靜電放電損壞。
世強(qiáng)進(jìn)一步豐富阻容感產(chǎn)品線,與專業(yè)的電解電容制造商冠坤電子(Su\'scon)簽署代理協(xié)議。
意法半導(dǎo)體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個(gè)快速恢復(fù)體二極管,將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)引入到全橋和半橋拓?fù)?、零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個(gè)穩(wěn)定可靠的二極管來(lái)處理動(dòng)態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里。
對(duì)許多應(yīng)用來(lái)說(shuō),第三種選擇——自舉——可能是比較廉價(jià)的替代方案。除了動(dòng)態(tài)性能要求極為苛刻的應(yīng)用,自舉電源電路的設(shè)計(jì)是相當(dāng)簡(jiǎn)單的。
上半年12英寸硅晶圓由于客戶產(chǎn)能利用率不高,需求不夠強(qiáng)勁,價(jià)格將面臨壓力。反觀8 英寸方面,供給仍大于需求,價(jià)格維持健康水準(zhǔn)。整體而言,晶圓價(jià)格強(qiáng)勢(shì)的狀態(tài)將在今年持續(xù),但供需吃緊狀態(tài)有放松之勢(shì),價(jià)格的漲幅還是在健康程度,增長(zhǎng)速度已經(jīng)放緩。
近日,浙江嘉興南湖區(qū)人民政府與上??捣逋顿Y管理有限公司簽署投資協(xié)議和定向基金協(xié)議,這也意味著總投資110億元、年產(chǎn)480萬(wàn)片300mm(12英寸)大硅片項(xiàng)目將落戶嘉興科技城。
近日,世強(qiáng)與國(guó)產(chǎn)電容壓敏熱敏電阻廠商——祥泰電子(深圳)有限公司(以下簡(jiǎn)稱祥泰電子)簽署代理協(xié)議,代理其全線產(chǎn)品。由此,世強(qiáng)成為祥泰電子唯一授權(quán)分銷商。
臺(tái)積電還透露將與硅晶圓供應(yīng)商重新簽訂合約,以降低成本。這一消息引發(fā)了硅晶圓市場(chǎng)大地震,以環(huán)球晶為首的硅晶圓廠今日股價(jià)大跌。
近日,基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET,該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,其中短路耐受時(shí)間更是長(zhǎng)達(dá)6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布,標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展,自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國(guó)。
基本半導(dǎo)體緊跟時(shí)代步伐,采用國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝,推出國(guó)內(nèi)首款通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET,助推國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。
無(wú)線功能(例如支持Wi-Fi®和藍(lán)牙的應(yīng)用)的快速發(fā)展正在讓我們的生活和工作環(huán)境面臨越來(lái)越多的高頻噪聲。為了讓設(shè)計(jì)師能夠提供更好的性能,同時(shí)能更輕松地管理越發(fā)復(fù)雜的環(huán)境,美國(guó)微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)推出MCP6V51 零漂移運(yùn)算放大器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Cera-Mite 715CxxKT系列螺絲固定盤(pán)式陶瓷電容器擴(kuò)展至50 kVDC(34 kVRMS)。
在高頻開(kāi)關(guān)系統(tǒng)中,通過(guò)并聯(lián)電阻測(cè)量電流時(shí),您可能會(huì)觀察到正弦波電流紋波幅值過(guò)大、方波紋波或快速轉(zhuǎn)換電流過(guò)沖或過(guò)高的高頻噪聲等問(wèn)題。這些問(wèn)題是由并聯(lián)的分流電感引起的,當(dāng)并聯(lián)電阻值較低時(shí),尤其是在1mΩ以下時(shí),分流電感就變得更為明顯。
鑒于今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將衰退5%,同時(shí)考量各廠資本支出,今年裸晶圓市場(chǎng)需求和價(jià)格恐將下滑。歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,用于太陽(yáng)能電池的多晶晶圓首當(dāng)其沖,預(yù)估半導(dǎo)體客戶或以延遲訂單、簽訂特殊合約,來(lái)避免目前過(guò)高的現(xiàn)貨價(jià)格。