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8寸硅片緊缺，晶圓產(chǎn)能難以完全釋放

需求的持續(xù)增加刺激了8寸硅片在2017Q1供給緊張，并從2017H2開始漲價(jià)，估計(jì)2017年全年漲價(jià)幅度約為3%(12 寸硅片漲價(jià)幅度達(dá)37%)。2018Q1 8寸硅片繼續(xù)緊缺并漲價(jià)約10%。

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2018-07-27

晶圓硅片
隆基年內(nèi)第九次下調(diào)單晶硅片價(jià)格比去年年底價(jià)格降低71．4％

這已經(jīng)是隆基年內(nèi)第九次正式下調(diào)單晶硅片的價(jià)格。相比2017年末報(bào)價(jià)5.4元，截止目前，180μm厚度P型M2單晶硅片已降低71.4%?？梢钥吹?，相比上半年的平緩降價(jià)，新政過后，隆基的三次調(diào)價(jià)力度都很大，以6月14日新政后第一次調(diào)價(jià)隆基降價(jià)最為陡峭。

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2018-07-26

單晶硅片硅片
EMC元件: 額定電壓高達(dá)800 V DC的環(huán)形磁芯共模電感

TDK株式會社推出新系列愛普科斯 (EPCOS) 環(huán)形磁芯共模電感- B82724J8*N040系列。新系列產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可在高達(dá)800 V DC或250 V AC的額定電壓下連續(xù)工作，專為變頻器中的直流鏈路濾波而開發(fā)

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2018-07-24

emc 共模電感
寬禁帶技術(shù) – 下一代功率器件

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。

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2018-07-24

功率器件碳化硅氮化鎵
傳MLCC電容要降價(jià)10%？上游供應(yīng)商緊急辟謠：價(jià)格只會繼續(xù)上漲

日前傳聞國巨電子中國區(qū)經(jīng)理表示MLCC電容將降價(jià)10%，不過國巨方面馬上辟謠否認(rèn)，表示MLCC沒有降價(jià)空間，未來只可能繼續(xù)漲價(jià)。

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2018-07-18

電容 mlcc
貿(mào)澤開售Texas Instruments四通道ADS54J64模數(shù)轉(zhuǎn)換器提供1-GSPS最大采樣率

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI) 的四通道1 GSPS ADS54J64模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。14位ADS54J64 ADC提供高信噪比 (SNR)、高帶寬以及500 MSPS的最大輸出采樣率。

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2018-07-16

模數(shù)轉(zhuǎn)換器貿(mào)澤
悶聲發(fā)大財(cái)!MLCC電容大漲,廠商凈利潤翻倍

這兩年，除了內(nèi)存、顯卡價(jià)格瘋狂漲不停，一些基本的電子元器件也在紛紛漲價(jià)，包括PCB電路板、電感、電容等，尤其以MLCC最為典型。MLCC就是片式多層陶瓷電容，集成度高，體積小，常用于高端產(chǎn)品，全球市場規(guī)模超過11

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2018-07-13

電子元器件 mcll電容
青島成\"芯”城三大集成電路項(xiàng)目落戶即墨

12英寸先進(jìn)模擬芯片集成電路產(chǎn)業(yè)基地、OLED面板設(shè)備制造、第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵等多個項(xiàng)目落戶即墨區(qū)。

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2018-07-09

集成電路模擬晶圓
我國科學(xué)家首次制備出米級尺寸單壁碳納米管薄膜

中科院金屬研究所孫東明團(tuán)隊(duì)聯(lián)合劉暢團(tuán)隊(duì)，研發(fā)了一種連續(xù)合成、沉積和轉(zhuǎn)移單壁碳納米管薄膜的技術(shù)，首次在世界范圍內(nèi)制備出米級尺寸高質(zhì)量單壁碳納米管薄膜，并基于此構(gòu)建出高性能的全碳薄膜晶體管(TFT)和集成電路(IC)器件。

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2018-07-06

碳納米管
ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級的低噪聲CMOS運(yùn)算放大器

ROHM面向處理微小信號的光傳感器、聲納及硬盤中使用的加速度傳感器等需要高精度感測的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用，開發(fā)出業(yè)界頂級的低噪聲CMOS*1運(yùn)算放大器“LMR1802G-LB”。

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2018-07-05

cmos rohm 運(yùn)算放大器
MOSFET產(chǎn)能大缺正醞釀下一波漲價(jià)

由于MOSFET受工控及車用電子需求提升，國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高階MOSFET及IGBT相關(guān)應(yīng)用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場，包括：意法、英飛凌等國際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預(yù)訂一空，加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺，形成MOSFET、指紋辨識、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況。

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2018-07-05

MOSFET igbt
應(yīng)用材料公司Producer平臺出貨量高達(dá)5000臺

近日，應(yīng)用材料公司慶祝Producer®平臺誕生20周年，出貨量達(dá)到5,000臺。該平臺用于制造全球幾乎所有的芯片。

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2018-07-04

應(yīng)用材料公司 producer平臺晶圓
過電壓保護(hù):工作溫度更高的壓敏電阻

TDK 集團(tuán)的引線式愛普科斯 (EPCOS) 金屬氧化物片狀壓敏電阻經(jīng)認(rèn)證工作溫度增加至 105°C(此前為 85°C)。B722 系列壓敏電阻通過了 UL 1449(第 4 版)和 IEC 61051 標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。因工作溫度增加至 105°C，

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2018-06-27

tdk 壓敏電阻
高壓接觸器:工作電流達(dá)500A的擴(kuò)展產(chǎn)品系列

TDK 集團(tuán)再次擴(kuò)展了 HVC 系列高壓接觸器產(chǎn)品組合，推出兩款新銳產(chǎn)品，即工作電流分別為 300A 和 500A 的 HVC300 和 HVC500。新款接觸器可開斷高達(dá) 900 V 的直流高壓。另外， TDK 集團(tuán)還能根據(jù)客戶要求提供工作電壓高

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2018-06-27

tdk 高壓接觸器
薄膜電容器:堅(jiān)固耐用的直流鏈路電容器系列的擴(kuò)展型號

TDK 集團(tuán)擴(kuò)展了其用于直流鏈路的愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器系列。新擴(kuò)展的 B3277*H 系列適用于嚴(yán)苛的環(huán)境條件，并且在環(huán)境溫度為 60°C，相對濕度為 95%，以及額定電壓條件下進(jìn)行了歷時 1,000 小時的溫濕度偏

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2018-06-27

tdk 薄膜電容

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8寸硅片緊缺，晶圓產(chǎn)能難以完全釋放

隆基年內(nèi)第九次下調(diào)單晶硅片價(jià)格比去年年底價(jià)格降低71．4％

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悶聲發(fā)大財(cái)!MLCC電容大漲,廠商凈利潤翻倍

青島成\"芯”城三大集成電路項(xiàng)目落戶即墨

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MOSFET產(chǎn)能大缺正醞釀下一波漲價(jià)

應(yīng)用材料公司Producer平臺出貨量高達(dá)5000臺

過電壓保護(hù):工作溫度更高的壓敏電阻

高壓接觸器:工作電流達(dá)500A的擴(kuò)展產(chǎn)品系列

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