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TDK發(fā)布緊湊型高性能3線EMC濾波器

TDK 公司擴(kuò)展了愛普科斯 (EPCOS) 3 線 EMC 濾波器 B84243*的產(chǎn)品系列，包括 10 款電流高達(dá) 280A 的濾波器。該系列產(chǎn)品中的所有 18 款濾波器的額定電壓為 530V AC。該系列濾波器的性能針對 EN 61800−3:2004+

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2018-06-27

tdk emc濾波器
零漂移放大器：特性和優(yōu)勢

零漂移放大器采用獨(dú)特的自校正技術(shù)，可提供適用于通用和精密應(yīng)用的超低輸入失調(diào)電壓(Vos)和接近零的隨時(shí)間和溫度輸入失調(diào)電壓漂移(dVos/dT)。TI的零漂移拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還提供了其他優(yōu)勢，包括無1/f噪聲,低寬帶噪聲和低失真——簡化了開發(fā)復(fù)雜性并降低了成本。這可以通過兩種方式中的一種來完成;斬波器或自動(dòng)調(diào)零。本技術(shù)說明將解釋標(biāo)準(zhǔn)的連續(xù)時(shí)間和零漂移放大器之間的差異。

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2018-06-27

零漂移放大器
針對小型封裝放大器的替代零件選項(xiàng)

隨著低成本終端產(chǎn)品需求不斷增加，設(shè)計(jì)師需要設(shè)計(jì)出既能夠滿足產(chǎn)品的性能規(guī)格，又可以保持低于系統(tǒng)目標(biāo)價(jià)格的創(chuàng)新方案。例如，除了放大器性能外，設(shè)計(jì)師還必須考慮所有放大器特性，包括成本和封裝尺寸。

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2018-06-27

放大器 pcb布局
安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列提供領(lǐng)先市場的電流密度和全集成的MOSFET

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。

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2018-06-26

安森美 MOSFET 降壓穩(wěn)壓器
英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個(gè)電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。英飛凌將在2號(hào)館的F 01展臺(tái)，展示涵蓋整個(gè)電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會(huì)上進(jìn)行交流。

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2018-06-25

英飛凌 MOSFET igbt
Littelfuse 碳化硅(SiC)肖特基二極管降低能源成本和空間要求

Littelfuse公司近日宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二極管，擴(kuò)充其碳化硅電源半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。本次產(chǎn)品發(fā)布于紐倫堡舉行的PCIM 2018歐洲展會(huì)期間舉辦。

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2018-06-22

littelfuse 碳化硅(sic)肖特基二極管
低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。

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2018-06-22

二極管 sic
意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性。

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2018-06-22

意法半導(dǎo)體 MOSFET 離線轉(zhuǎn)換器
超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性

英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設(shè)計(jì)的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動(dòng)設(shè)備，這些應(yīng)用的特點(diǎn)是對功率損耗的要求很高。

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2018-06-22

igbt 續(xù)流二極管
二極管最高漲價(jià)超17倍產(chǎn)能吃緊訂單直接排到年底

業(yè)內(nèi)人士向記者表示，受到上游原材料漲價(jià)和下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，二極管的市場價(jià)格在暴漲，原本通用型二極管——安森美2N7002，從去年每顆4分錢，最高漲價(jià)每顆到7毛錢，最高價(jià)格漲幅超過17倍。

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2018-06-15

二極管硅晶圓
夏普今年10月量產(chǎn)業(yè)界最高光輸出的綠色激光二極體

夏普此次將量產(chǎn)的綠色激光二極體的光輸出達(dá) 130mW，較夏普現(xiàn)行產(chǎn)品提高 3.3 倍，波長為 520nm。光輸出越高越能增加色彩的鮮艷度。

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2018-06-15

夏普激光二極管
手機(jī)話音，經(jīng)聽筒的聲電轉(zhuǎn)換以后送入電源集成電路

在邏輯部分，接收的RXI、RXQ模擬基帶信號(hào)在調(diào)制解調(diào)器U501內(nèi)部完成D/A轉(zhuǎn)換、解密及自適應(yīng)均衡后將數(shù)字基帶信號(hào)從U501的6#送入CPU的10#，在CPU內(nèi)進(jìn)行信道解碼，去掉糾錯(cuò)碼源以及取實(shí)控制信息以后，恢復(fù)的話音數(shù)據(jù)流經(jīng)數(shù)據(jù)線和地址線，傳送到語音器U801進(jìn)行解碼。

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2018-06-15

電源集成電路手機(jī)通訊
新品速遞：IT8900A/E大功率直流電子負(fù)載發(fā)售在即

ITECH艾德克斯電子即將于5月底發(fā)售大功率密度的直流電子負(fù)載IT8900A/E系列，電壓最高可達(dá)1200V，并機(jī)功率最大可以達(dá)到384 kW，體積更小，4U高度最大輸入6kw功率, 重量更輕。為滿足更快的測試需求，其內(nèi)部整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了全面升級(jí)，電流上升下降速度更快，并具有超高的性價(jià)比。

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2018-06-12

直流電子負(fù)載 it8900a/e
MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮漲價(jià)不可避免！

茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價(jià)，預(yù)計(jì)7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價(jià)格15～20%，高單價(jià)客戶及高售價(jià)產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求，重新來單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價(jià)格。

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2018-06-12

MOSFET igbt
英特爾已能夠生產(chǎn)多達(dá)26個(gè)量子位的量子芯片

英特爾現(xiàn)在每周能夠生產(chǎn)多達(dá)五片硅晶片，其中包含多達(dá)26個(gè)量子位的量子芯片。這一成就意味著英特爾大幅增加了現(xiàn)有量子器件的數(shù)量，并可望在未來幾年穩(wěn)步增加量子比特?cái)?shù)。英特爾量子硬件總監(jiān)Jim Clarke接受采訪時(shí)透露，目前用于小規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)最終可能會(huì)擴(kuò)展到超過1000個(gè)量子位。由于溫度波動(dòng)引起的膨脹和收縮限制使得工程師不能簡單地?cái)U(kuò)展芯片上的量子位數(shù)。

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2018-06-12

英特爾量子計(jì)算芯片全硅晶圓

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TDK發(fā)布緊湊型高性能3線EMC濾波器

零漂移放大器：特性和優(yōu)勢

針對小型封裝放大器的替代零件選項(xiàng)

安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列提供領(lǐng)先市場的電流密度和全集成的MOSFET

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低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

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二極管最高漲價(jià)超17倍產(chǎn)能吃緊訂單直接排到年底

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手機(jī)話音，經(jīng)聽筒的聲電轉(zhuǎn)換以后送入電源集成電路

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