TDK株式會(huì)社推出新系列愛(ài)普科斯 (EPCOS) 環(huán)形磁芯共模電感- B82724J8*N040系列。新系列產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),可在高達(dá)800 V DC或250 V AC的額定電壓下連續(xù)工作,專為變頻器中的直流鏈路濾波而開(kāi)發(fā)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開(kāi)始在材料中自由移動(dòng)。因而具有比硅更佳的特性和性能。
日前傳聞國(guó)巨電子中國(guó)區(qū)經(jīng)理表示MLCC電容將降價(jià)10%,不過(guò)國(guó)巨方面馬上辟謠否認(rèn),表示MLCC沒(méi)有降價(jià)空間,未來(lái)只可能繼續(xù)漲價(jià)。
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI) 的四通道1 GSPS ADS54J64模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。14位ADS54J64 ADC提供高信噪比 (SNR)、高帶寬以及500 MSPS的最大輸出采樣率。
這兩年,除了內(nèi)存、顯卡價(jià)格瘋狂漲不停,一些基本的電子元器件也在紛紛漲價(jià),包括PCB電路板、電感、電容等,尤其以MLCC最為典型。MLCC就是片式多層陶瓷電容,集成度高,體積小,常用于高端產(chǎn)品,全球市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)11
12英寸先進(jìn)模擬芯片集成電路產(chǎn)業(yè)基地、OLED面板設(shè)備制造、第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵等多個(gè)項(xiàng)目落戶即墨區(qū)。
中科院金屬研究所孫東明團(tuán)隊(duì)聯(lián)合劉暢團(tuán)隊(duì),研發(fā)了一種連續(xù)合成、沉積和轉(zhuǎn)移單壁碳納米管薄膜的技術(shù),首次在世界范圍內(nèi)制備出米級(jí)尺寸高質(zhì)量單壁碳納米管薄膜,并基于此構(gòu)建出高性能的全碳薄膜晶體管(TFT)和集成電路(IC)器件。
ROHM面向處理微小信號(hào)的光傳感器、聲納及硬盤(pán)中使用的加速度傳感器等需要高精度感測(cè)的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用,開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級(jí)的低噪聲CMOS*1運(yùn)算放大器“LMR1802G-LB”。
由于MOSFET受工控及車用電子需求提升,國(guó)際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高階MOSFET及IGBT相關(guān)應(yīng)用,外商逐漸退出低功率MOSFET市場(chǎng),包括:意法、英飛凌等國(guó)際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預(yù)訂一空,加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺,形成MOSFET、指紋辨識(shí)、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況。
近日,應(yīng)用材料公司慶祝Producer®平臺(tái)誕生20周年,出貨量達(dá)到5,000臺(tái)。該平臺(tái)用于制造全球幾乎所有的芯片。
TDK 集團(tuán)的引線式愛(ài)普科斯 (EPCOS) 金屬氧化物片狀壓敏電阻經(jīng)認(rèn)證工作溫度增加至 105°C(此前為 85°C)。B722 系列壓敏電阻通過(guò)了 UL 1449(第 4 版)和 IEC 61051 標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。 因工作溫度增加至 105°C,
TDK 集團(tuán)再次擴(kuò)展了 HVC 系列高壓接觸器產(chǎn)品組合,推出兩款新銳產(chǎn)品,即工作電流分別為 300A 和 500A 的 HVC300 和 HVC500。新款接觸器可開(kāi)斷高達(dá) 900 V 的直流高壓。另外, TDK 集團(tuán)還能根據(jù)客戶要求提供工作電壓高
TDK 集團(tuán)擴(kuò)展了其用于直流鏈路的愛(ài)普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器系列。新擴(kuò)展的 B3277*H 系列適用于嚴(yán)苛的環(huán)境條件,并且在環(huán)境溫度為 60°C,相對(duì)濕度為 95%,以及額定電壓條 件下進(jìn)行了歷時(shí) 1,000 小時(shí)的溫濕度偏
TDK 公司擴(kuò)展了愛(ài)普科斯 (EPCOS) 3 線 EMC 濾波器 B84243*的產(chǎn)品系列,包括 10 款電流高 達(dá) 280A 的濾波器。該系列產(chǎn)品中的所有 18 款濾波器的額定電壓為 530V AC。該系列濾波器 的性能針對(duì) EN 61800−3:2004+
零漂移放大器采用獨(dú)特的自校正技術(shù),可提供適用于通用和精密應(yīng)用的超低輸入失調(diào)電壓(Vos)和接近零的隨時(shí)間和溫度輸入失調(diào)電壓漂移(dVos/dT)。TI的零漂移拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還提供了其他優(yōu)勢(shì),包括無(wú)1/f噪聲,低寬帶噪聲和低失真——簡(jiǎn)化了開(kāi)發(fā)復(fù)雜性并降低了成本。這可以通過(guò)兩種方式中的一種來(lái)完成;斬波器或自動(dòng)調(diào)零。本技術(shù)說(shuō)明將解釋標(biāo)準(zhǔn)的連續(xù)時(shí)間和零漂移放大器之間的差異。