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德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由

在正式發(fā)布之前，TI投入大量人力物力，累計(jì)進(jìn)行了超過(guò)2000萬(wàn)小時(shí)的設(shè)備可靠性測(cè)試，使得電源設(shè)計(jì)工程師可以更放心地在各種電源應(yīng)用中使用氮化鎵。

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2018-11-26

德州儀器ti 電源設(shè)計(jì) 氮化鎵gan
安森美半導(dǎo)體的寬禁帶方案、技術(shù)及仿真工具優(yōu)化并加快您的設(shè)計(jì)

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS，從2016年到2027年SiC和GaN應(yīng)用將激增，包括電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)及充電樁基礎(chǔ)設(shè)施、太陽(yáng)能逆變器、電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源(UPS)、軍事/航空等應(yīng)用領(lǐng)域，其中電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器、電源將是主要的應(yīng)用市場(chǎng)。

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2018-11-26

安森美半導(dǎo)體寬禁帶方案 sic二極管
SK海力士增資無(wú)錫晶圓代工業(yè)務(wù)

盡管SK海力士在DARM領(lǐng)域僅次于龍頭廠商三星電子排名第二，但在晶圓代工領(lǐng)域的表現(xiàn)卻不盡如人意，去年年末，SK海力士在晶圓代工領(lǐng)域的市場(chǎng)份額僅為0.2%，排名全球第24位。

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2018-11-23

晶圓代工 sk海力士
直擊IC產(chǎn)業(yè) 中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園今天正式開(kāi)園

本次會(huì)議邀請(qǐng)了來(lái)自美國(guó)、韓國(guó)等國(guó)家外籍專家，ARM、GlobalFoundries、Synopsys、AMD、ANSYS等30余家國(guó)際企業(yè)及機(jī)構(gòu)出席了此次會(huì)議。核高基02專項(xiàng)總師、中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春圍繞制造業(yè)與設(shè)計(jì)業(yè)的協(xié)同發(fā)展作了題為《中國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略思考》的主旨報(bào)告。

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2018-11-16

集成電路 ARM 中關(guān)村
Vishay推出斷態(tài)電壓800V光耦，滿足高穩(wěn)定性和噪聲隔離要求

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款光可控硅輸出光耦，兩款器件均采用緊湊型扁平SOP-4封裝，進(jìn)一步擴(kuò)展光電產(chǎn)品組合---VOT8024AM和VOT8121AM。Vishay Semiconductors VOT8024AM和VOT8121AM斷態(tài)電壓為800 V，dV/dt為1000 V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。

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2018-11-16

Vishay 光耦噪聲隔離
意法半導(dǎo)體的4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成電隔離和保護(hù)功能

STGAP2DM柵極驅(qū)動(dòng)器是意法半導(dǎo)體的 STGAP2系列電隔離驅(qū)動(dòng)器的第二款產(chǎn)品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個(gè)電隔離輸出通道，可以驅(qū)動(dòng)單極或雙極型晶體管的柵極。

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2018-11-16

意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器電隔離
Littelfuse推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管，可針對(duì)瞬態(tài)高壓提供單組件保護(hù)解決方案

Littelfuse公司，日前宣布推出TPSMB系列汽車(chē)用瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管最新產(chǎn)品，可防止靈敏的汽車(chē)電路因閃電和其他瞬態(tài)電壓現(xiàn)象引起的瞬態(tài)高壓而損壞。

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2018-11-16

littelfuse 瞬態(tài)抑制二極管 aec-q101標(biāo)準(zhǔn)
英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN™ 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開(kāi)關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER™ IC)，精彩亮相2018年德國(guó)慕尼黑電子展。

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2018-11-15

英飛凌氮化鎵開(kāi)關(guān)管
晶圓代工：務(wù)實(shí)的臺(tái)積電、激進(jìn)的三星、難產(chǎn)的英特爾

10nm以上的晶圓代工市場(chǎng)則繼續(xù)由臺(tái)積電、英特爾、格芯和三星分食，而大陸最大晶圓代工廠中芯國(guó)際目前的14nm已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，預(yù)計(jì)最快明年量產(chǎn)，屆時(shí)也會(huì)憑借14nm工藝進(jìn)入晶圓代工的第二梯隊(duì)中去。

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2018-11-14

三星英特爾晶圓代工臺(tái)積電
尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來(lái)革新

硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，以及未來(lái)的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。

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2018-11-14

gan 氮化鎵硅電源技術(shù)
Vishay推出適用于惡劣環(huán)境的新型高壓ENYCAP儲(chǔ)能電容器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新型高壓ENYCAP™電解雙層儲(chǔ)能電容器---230 EDLC-HV ENYCAP，用于惡劣環(huán)境下的能量收集和電源備份應(yīng)用。Vishay BCcomponents 230 EDLC-HV ENYCAP電容器是業(yè)界首款在+85°C和最大額定電壓3.0 V條件下使用壽命達(dá)到2000小時(shí)的電容器。

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2018-11-14

Vishay 儲(chǔ)能電容器雙層電容器
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。

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2018-11-14

rohm 逆變器全sic功率模塊
10%國(guó)產(chǎn)替代率就能成就10億美元的銷售額，是什么IC如此有潛力？

IC業(yè)是一門(mén)深度講究技術(shù)、資本、人才配合的產(chǎn)業(yè)?！跋M(fèi)類IC是純粹技術(shù)驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)，也是完全競(jìng)爭(zhēng)的產(chǎn)業(yè)，沒(méi)有賣(mài)不掉的消費(fèi)類IC，只有做不好的IC。” 中科漢天下董事長(zhǎng)兼CEO楊清華表示。

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2018-11-13

濾波器國(guó)產(chǎn)ic
Maxim為樓宇自動(dòng)化、汽車(chē)和備用電源系統(tǒng)推出高性能模擬IC

Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出三款模塊化高度集成模擬IC，幫助設(shè)計(jì)者為日益小型化的電子系統(tǒng)提供更高的效率和性能。MAX41464 sub-1GHz無(wú)線發(fā)送器、MAX38888備用電源穩(wěn)壓器和MAX16141 36V邏輯“或”FET控制器，廣泛用于樓宇自動(dòng)化、工業(yè)、汽車(chē)和便攜式應(yīng)用。上述產(chǎn)品將于11月13日至16日亮相2018慕尼黑電子展。

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2018-11-13

汽車(chē) maxim 模擬ic 備用電源樓宇自動(dòng)化
預(yù)計(jì)到2021年硅晶圓將持續(xù)供不應(yīng)求！

由于車(chē)用、產(chǎn)業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)的需求強(qiáng)勁，8英寸硅晶圓持續(xù)滿載出貨，12英寸同樣穩(wěn)健，帶動(dòng)了信越化學(xué)第三季度業(yè)績(jī)表現(xiàn)。展望下一季度，由于訂單長(zhǎng)約多，各尺寸硅晶圓的價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)有所提升。

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2018-11-09

硅晶圓 8英寸硅晶圓

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SK海力士增資無(wú)錫晶圓代工業(yè)務(wù)

直擊IC產(chǎn)業(yè) 中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園今天正式開(kāi)園

Vishay推出斷態(tài)電壓800V光耦，滿足高穩(wěn)定性和噪聲隔離要求

意法半導(dǎo)體的4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成電隔離和保護(hù)功能

Littelfuse推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管，可針對(duì)瞬態(tài)高壓提供單組件保護(hù)解決方案

英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

晶圓代工：務(wù)實(shí)的臺(tái)積電、激進(jìn)的三星、難產(chǎn)的英特爾

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來(lái)革新

Vishay推出適用于惡劣環(huán)境的新型高壓ENYCAP儲(chǔ)能電容器

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

10%國(guó)產(chǎn)替代率就能成就10億美元的銷售額，是什么IC如此有潛力？

Maxim為樓宇自動(dòng)化、汽車(chē)和備用電源系統(tǒng)推出高性能模擬IC

預(yù)計(jì)到2021年硅晶圓將持續(xù)供不應(yīng)求！

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