晶圓代工領域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺積電拼刺刀。

10nm以上的晶圓代工市場則繼續(xù)由臺積電、英特爾、格芯和三星分食，而大陸最大晶圓代工廠中芯國際目前的14nm已進入客戶導入階段，預計最快明年量產，屆時也會憑借14nm工藝進入晶圓代工的第二梯隊中去。

務實的臺積電

10nm以下的先進制程，臺積電和三星采取了不同的策略。

在7nm技術路線的選擇上，臺積電務實地在第一代放棄EUV(極紫外光刻)技術，同時馬上整合扇出封裝技術提升可靠度，最終使得自己的進度超越三星，從而贏下包括華為、AMD、蘋果等一眾關鍵客戶。與之前的10nm FinFET制程相比，臺積電的7nm FinFET實現(xiàn)了1.6倍的邏輯密度和20%的速度提升，以及40%的功耗減少。

在第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電首次應用EUV，不過僅限四個非關鍵層，以降低風險、加速投產，也借此熟練掌握ASML的新式光刻機Twinscan NXE。相較于第一代7nm DUV，臺積電表示能將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。

除了在市場上風生水起的7nm技術，臺積電的5nm工藝也已被提上日程，明年四月將進行風險性試產。臺積電指出，5nm制程光是人工與知識產權的授權費用，加起來的總合成本就高達2到2.5億美元

激進的三星

三星的策略是直入主題，搶進EUV技術加持的7nm。

目前三星的7nm LPP(Low Power Plus)制程已進入量產階段，并在工藝中成功應用極紫外光(EUV)微影技術。7nm LPP工藝相比上一代10nm FinFET的面積減少了40%，性能提升20%，耗電減少50%，消耗的掩膜也減少了20%，因此，采用三星7nm工藝的客戶可以減輕設計和費用方面的負擔。

另外，位于韓國華城市的S3廠EUV產線已初步投產，三星計劃2020年將再新設一條EUV產線，以服務高需求客戶。預計三星的7nm LPP工藝的大規(guī)模投產會在明年下半年開始，而7nm EUV的加強版——6nm制程，計劃在2020年以后出現(xiàn)。

難產的英特爾

埋頭苦干的英特爾對于三星和臺積電的這場較量也只能望塵興嘆。

英特爾10nm持續(xù)難產主要原因是過于堅持整合的模式，不同于對手選擇ARM架構，英特爾堅持利用制造能力創(chuàng)造更有效率的x86芯片。而在非通用處理器部分，英特爾GPU為Larrabee架構，一樣是基于 x86 的圖形芯片，但卻沒有考量到不同應用環(huán)境所需GPU的性能差異。

盡管英特爾曾表示自己的10nm工藝遠超遠超友商臺積電和三星的7nm，但實際拿出的基于Cannon Lake的 Core i3-8121U連核顯都沒有，同頻性能和能耗比甚至不如目前的14nm。