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不再靠進(jìn)口 我國(guó)半導(dǎo)體集成電路用硅料已達(dá)國(guó)際一流質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
電子級(jí)多晶硅材料是集成電路的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，過去中國(guó)市場(chǎng)上的集成電路用多晶硅材料基本完全依賴進(jìn)口。電子級(jí)多晶硅是純度最高的多晶硅材料。相對(duì)于太陽(yáng)能級(jí)多晶硅99.9999%純度，電子級(jí)多晶硅的純度要求達(dá)到99.999999999%。5000噸的電子級(jí)多晶硅中總的雜質(zhì)含量相當(dāng)于一枚1元硬幣的重量。
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采用緊湊柵格陣列封裝的ADI 44 GHz硅開關(guān)提供業(yè)界最低插入損耗
ADRF5024和ADRF5025采用固有的反射式架構(gòu)，工作溫度范圍為 –40°C 至105°C 。所有引腳均具有強(qiáng)固的靜電放電 (ESD) 保護(hù)。器件標(biāo)稱電源電壓為 ±3.3 V，電源電流低于120 μA (典型值)。器件使用標(biāo)準(zhǔn)的正邏輯控制電壓，簡(jiǎn)化了接口設(shè)計(jì)。
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GaN Systems與羅姆聯(lián)手致力于GaN功率器件的普及
此次合作將充分發(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級(jí)性能與羅姆的GaN功率器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)及豐富的電子元器件設(shè)計(jì)/制造綜合實(shí)力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術(shù)和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術(shù)，聯(lián)合開發(fā)最適合GaN器件的產(chǎn)品。這將能夠最大限度地挖掘并發(fā)揮GaN器件的潛力。另外，雙方通過提供兼容產(chǎn)品，將能夠?yàn)殡p方的客戶穩(wěn)定地供應(yīng)GaN器件。
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薄膜電容器: 結(jié)構(gòu)緊湊且過壓保護(hù)功能可靠
TDK公司推出全新的應(yīng)用于濾波器領(lǐng)域的愛普科斯 (EPCOS) 金屬化聚丙烯膜交流(MKP AC)電容器B33331V*系列。該系列元件的額定電壓為460 VRMS，對(duì)應(yīng)峰值電壓為650 V，其電容值范圍為2 μF 至50 μF。
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采樣保持(THA)輸出噪聲的兩個(gè)關(guān)鍵噪聲分量
采樣保持 (THA) 輸出噪聲有兩個(gè)關(guān)鍵噪聲分量：采樣噪聲和輸出緩沖放大器噪聲。本文將重點(diǎn)探討這兩個(gè)分量。
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Vishay推出新款大電流平面阻流電感---IPLA 32
IPLA 32高度可定制，針對(duì)汽車和嵌入式大電流，大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器
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解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問題
與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點(diǎn)交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護(hù)措施的集成電路 (IC)?，F(xiàn)代 IC 的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電 (ESD) 瞬變保護(hù)措施。人體模型 (HBM)、機(jī)器模型 (MM) 和充電器件模型 (CDM) 是用來測(cè)量器件承受 ESD 事件的能力的器件級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。這些測(cè)試旨在確保器件能承受器件制造和 PCB 裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環(huán)境中實(shí)施。
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初識(shí)波特圖
鼎陽(yáng)的SDS1004X-E系列超級(jí)熒光示波器標(biāo)配的波特圖功能，可以配合SDG或SAG系列函數(shù)發(fā)生器繪制出被測(cè)件的波特圖，令我們很直觀地觀察到電路的幅頻和相頻曲線。區(qū)別于傳統(tǒng)手動(dòng)繪制波特圖的繁瑣步驟，示波器的波特圖功能可以大大節(jié)約工程師的時(shí)間和精力。
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世強(qiáng)元件電商代理TT、Laird、FDK、Standex-Meder等品牌 電感產(chǎn)品線進(jìn)一步豐富
在前段時(shí)間，黑金剛、FDK、德國(guó)伊薩、TT、美格、龍尚、中科微、進(jìn)芯相繼宣布簽約同一代理商——中國(guó)十大本土分銷商之一的世強(qiáng)，由此一來世強(qiáng)大力豐富了產(chǎn)品線。而電感作為最常見的被動(dòng)元件之一，世強(qiáng)及世強(qiáng)元件電商也有豐富布局。這些產(chǎn)品的相關(guān)資料，都可以在世強(qiáng)元件電商免費(fèi)查詢下載，其產(chǎn)品也可在世強(qiáng)元件電商進(jìn)行詢價(jià)和購(gòu)買。
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新日本無(wú)線為IoT電子器件省電節(jié)能推出具有寬帶、超低功耗的軌到軌輸入輸出運(yùn)算放大器NJU77552
為了讓IoT里不可缺少的傳感器器件更加省電，新日本無(wú)線特別推出了軌到軌輸入輸出運(yùn)算放大器NJU77552。此運(yùn)算放大器有1.7MHz帶寬、1回路50μA的超低消耗電流、高EMI抑制性能等特點(diǎn)，并且已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。
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美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極
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光敏電阻的基礎(chǔ)知識(shí)介紹
一、光敏電阻光敏電阻是用硫化隔或硒化隔等半導(dǎo)體材料制成的特殊電阻器，表面還涂有防潮樹脂，具有光電導(dǎo)效應(yīng)。 二、特性光敏電阻對(duì)光線十分敏感。光照愈強(qiáng)，阻值就愈低。隨著光照強(qiáng)度的升高，電阻值迅速降低，可降
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本征半導(dǎo)體和PN結(jié)概念復(fù)習(xí)
半導(dǎo)體材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間。本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。(由于不含雜質(zhì)且為晶體結(jié)構(gòu)，所以導(dǎo)電性比普通半導(dǎo)體差)常溫
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你應(yīng)該知道的半導(dǎo)體芯片知識(shí)科普
尺寸縮小有其物理限制不過，制程并不能無(wú)限制的縮小，當(dāng)我們將晶體管縮小到 20 奈米左右時(shí)，就會(huì)遇到量子物理中的問題，讓晶體管有漏電的現(xiàn)象，抵銷縮小 L 時(shí)獲得的效益。作為改善方式，就是導(dǎo)入 FinFET(Tri-Gate)
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低通濾波器、高通濾波器，積分電路、微分電路
輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的積分成正比的電路：積分電路輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的微分成正比的電路：微分電路1)一階RC低通濾波器RC低通濾波器的電路及其幅頻、相頻特性如下圖所示。 設(shè)濾波器的輸入電壓為ex輸出電壓為ey，電路
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