新思科技(Synopsys, Inc.)今日宣布與IBM攜手,將設(shè)計與工藝聯(lián)合優(yōu)化 (DTCO,Design Technology Co-Optimization) 應(yīng)用于針對后FinFET工藝的新一代半導(dǎo)體工藝技術(shù)。
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶體管BLF13H9L750P,專門設(shè)計用于工作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應(yīng)用。
第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域,包括電力電子,新能源汽車,光伏,機車牽引,以及微波通訊器件等,由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,被業(yè)界一直看好。
半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)據(jù)調(diào)研公司IC Insights日前發(fā)表了全球晶圓代工市場的最新報告,預(yù)計今年全球晶圓代工將增加42億美元,其中來自中國晶圓代工的貢獻占了90%,中國代工市場將增長51%,所占全球市場份額也將增加5個百分點到19%。
清華大學(xué)(中國北京)與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)于2018年9月25日在清華大學(xué)舉辦了“清華‐\羅姆電子工程館”捐建 10周年紀念慶典。
近日,全球排名第一的電路保護品牌Littelfuse向世強頒發(fā)了“最佳市場開發(fā)代理商獎”,以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場開發(fā)方面所作出的杰出貢獻。
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求,包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務(wù)器。
隨著集成電路行業(yè)的不斷發(fā)展,對于硅片的需求也在增加。2017年,整個集成電路配套材料的市場規(guī)模為263億美元,其中硅片是份額最大的材料,市場規(guī)模大約為87億美元,市場占比為31%-33%。預(yù)計到2020年,全球硅片市場規(guī)模將達到110億美元。
其中韓國將以630億美元的投資領(lǐng)于其它地區(qū),僅比排名第二的中國多10億美元。日本和美洲在晶圓廠方面的投資分別為220億美元和150億美元。而歐洲和東南亞投資總額均為80億美元。其中大約60%的晶圓廠將服務(wù)于內(nèi)存領(lǐng)域(占比最大的將是3D NAND閃存,用于智能手機和數(shù)據(jù)中心的存儲產(chǎn)品),而三分之一的晶圓廠將用于代工芯片制造。
FTC表示,日本廠商的電容器占了韓國當?shù)厥袌龅?0%至70%。反壟斷監(jiān)管機構(gòu)也表示,自2014年6月以來一直在與日本、歐盟、臺灣地區(qū)和新加坡當局共同進行調(diào)查。
Littelfuse公司今日宣布推出六個系列的高溫靈敏型、標準型和交變型三端雙向可控硅,可在由交流電壓高達220VRMS線路供電的電器和設(shè)備中用作半導(dǎo)體開關(guān)。 這些組件采用緊湊型表面安裝式封裝,是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)、達到此最高溫度的三端雙向可控硅,額定電流可達4A、6A和8A。
臺灣電力公司清查后發(fā)現(xiàn)是桃園某特高壓用戶廠內(nèi)設(shè)備故障、造成鄰近輸電系統(tǒng)電壓驟降而停電;世界先進則在重大信息公告中直指是南亞電路板錦興廠區(qū)發(fā)生停電所致。
該32億美元投資分為建設(shè)工廠與晶圓生產(chǎn)設(shè)備兩大部分。其中,建設(shè)工廠的投資金額為5億美元,晶圓生產(chǎn)設(shè)備的投資金額為27億美元。
這次地震就影響了日本最大的硅片廠商之一的勝高千歲廠,受影響產(chǎn)能約為20萬片,好在這些晶圓主要是8寸規(guī)格的,對12英寸晶圓市場影響不大。
根據(jù)SEMI公布的最新報告指出,憑著一股迅速成長的力道,中國大陸市場晶圓設(shè)備投資至2020年將可望超越全球其他地區(qū),預(yù)計達200億美元以上,其動能將來自跨國公司以及中國大陸企業(yè)在內(nèi)存與晶圓代工項目的投資。