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針對小型封裝放大器的替代零件選項
隨著低成本終端產(chǎn)品需求不斷增加，設(shè)計師需要設(shè)計出既能夠滿足產(chǎn)品的性能規(guī)格，又可以保持低于系統(tǒng)目標(biāo)價格的創(chuàng)新方案。例如，除了放大器性能外，設(shè)計師還必須考慮所有放大器特性，包括成本和封裝尺寸。
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安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列 提供領(lǐng)先市場的電流密度和全集成的MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。
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英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案
英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進(jìn)行交流。
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Littelfuse 碳化硅(SiC)肖特基二極管降低能源成本和空間要求
Littelfuse公司近日宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二極管，擴(kuò)充其碳化硅電源半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。 本次產(chǎn)品發(fā)布于紐倫堡舉行的PCIM 2018歐洲展會期間舉辦。
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低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度
相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
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意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。
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超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性
英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設(shè)計的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動設(shè)備，這些應(yīng)用的特點是對功率損耗的要求很高。
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二極管最高漲價超17倍 產(chǎn)能吃緊 訂單直接排到年底
業(yè)內(nèi)人士向記者表示，受到上游原材料漲價和下游應(yīng)用驅(qū)動，二極管的市場價格在暴漲，原本通用型二極管——安森美2N7002，從去年每顆4分錢，最高漲價每顆到7毛錢，最高價格漲幅超過17倍。
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夏普今年10月量產(chǎn)業(yè)界最高光輸出的綠色激光二極體
夏普此次將量產(chǎn)的綠色激光二極體的光輸出達(dá) 130mW，較夏普現(xiàn)行產(chǎn)品提高 3.3 倍，波長為 520nm。光輸出越高越能增加色彩的鮮艷度。
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手機(jī)話音，經(jīng)聽筒的聲電轉(zhuǎn)換以后送入電源集成電路
在邏輯部分，接收的RXI、RXQ模擬基帶信號在調(diào)制解調(diào)器U501內(nèi)部完成D/A轉(zhuǎn)換、解密及自適應(yīng)均衡后將數(shù)字基帶信號從U501的6#送入CPU的10#，在CPU內(nèi)進(jìn)行信道解碼，去掉糾錯碼源以及取實控制信息以后，恢復(fù)的話音數(shù)據(jù)流經(jīng)數(shù)據(jù)線和地址線，傳送到語音器U801進(jìn)行解碼。
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新品速遞：IT8900A/E大功率直流電子負(fù)載發(fā)售在即
ITECH艾德克斯電子即將于5月底發(fā)售大功率密度的直流電子負(fù)載IT8900A/E系列，電壓最高可達(dá)1200V，并機(jī)功率最大可以達(dá)到384 kW，體積更小，4U高度最大輸入6kw功率, 重量更輕。為滿足更快的測試需求，其內(nèi)部整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了全面升級，電流上升下降速度更快，并具有超高的性價比。
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MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮 漲價不可避免！
茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價，預(yù)計7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價格15～20%，高單價客戶及高售價產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求，重新來單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價格。
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英特爾已能夠生產(chǎn)多達(dá)26個量子位的量子芯片
英特爾現(xiàn)在每周能夠生產(chǎn)多達(dá)五片硅晶片，其中包含多達(dá)26個量子位的量子芯片。這一成就意味著英特爾大幅增加了現(xiàn)有量子器件的數(shù)量，并可望在未來幾年穩(wěn)步增加量子比特數(shù)。英特爾量子硬件總監(jiān)Jim Clarke接受采訪時透露，目前用于小規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)最終可能會擴(kuò)展到超過1000個量子位。由于溫度波動引起的膨脹和收縮限制使得工程師不能簡單地擴(kuò)展芯片上的量子位數(shù)。
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不再靠進(jìn)口 我國半導(dǎo)體集成電路用硅料已達(dá)國際一流質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
電子級多晶硅材料是集成電路的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，過去中國市場上的集成電路用多晶硅材料基本完全依賴進(jìn)口。電子級多晶硅是純度最高的多晶硅材料。相對于太陽能級多晶硅99.9999%純度，電子級多晶硅的純度要求達(dá)到99.999999999%。5000噸的電子級多晶硅中總的雜質(zhì)含量相當(dāng)于一枚1元硬幣的重量。
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采用緊湊柵格陣列封裝的ADI 44 GHz硅開關(guān)提供業(yè)界最低插入損耗
ADRF5024和ADRF5025采用固有的反射式架構(gòu)，工作溫度范圍為 –40°C 至105°C 。所有引腳均具有強(qiáng)固的靜電放電 (ESD) 保護(hù)。器件標(biāo)稱電源電壓為 ±3.3 V，電源電流低于120 μA (典型值)。器件使用標(biāo)準(zhǔn)的正邏輯控制電壓，簡化了接口設(shè)計。
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