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不能再低調(diào)了！英特爾技?jí)壕A代工廠3.5年

英特爾技術(shù)及制程事業(yè)群總經(jīng)理William Holt在2014年投資人會(huì)議中表示，英特爾的電晶體制程技術(shù)在過(guò)去10年的三個(gè)技術(shù)世代，均領(lǐng)先晶圓代工廠至少3年以上時(shí)間。英特爾上周召開(kāi)2014年投資人會(huì)議(Investor Meeting 2014)

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2014-11-26

英特爾晶圓代工電晶體 PITCH
ECS Inc.構(gòu)建市場(chǎng)領(lǐng)先的SMD石英晶體產(chǎn)品組合

21ic訊 ECS Inc. International發(fā)布其市場(chǎng)領(lǐng)先的ECX-3SX SMD石英晶體的擴(kuò)展產(chǎn)品，新產(chǎn)品具有更嚴(yán)格的穩(wěn)定性和容差水平。ECX-3SX具有3.57至70.0 MHz的寬頻率范圍，在-10至+70°C溫度范圍具有±50 ppm的出色

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2014-11-24

石英晶體 CK SMD PLUSMN
半導(dǎo)體二極管的直流電阻和動(dòng)態(tài)電阻如何區(qū)別？

半導(dǎo)體二極管是一種非線性器件，它對(duì)直流和交流(或者說(shuō)動(dòng)態(tài)量)呈現(xiàn)出不同的等效電阻。二極管的直流電阻是其工作在伏安特性上某一點(diǎn)時(shí)的端電壓與其電流之比。圖(a)電路(b)二極管伏安特性和工作點(diǎn)Q(c)二極管的直流電阻

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2014-11-24

萬(wàn)用表半導(dǎo)體二極管特性曲線直流電阻
發(fā)光二極管之—工作原理圖解分析

發(fā)光二極管,通常稱為L(zhǎng)ED,是在電子學(xué)世界里面的真正無(wú)名英雄。它們做了許多不同工作和在各種各樣的設(shè)備都可以看見(jiàn)它的存在?；旧?發(fā)光二極管只是一個(gè)微小的電燈泡。但不像常見(jiàn)的白熾燈泡，發(fā)光二極管沒(méi)有燈絲，而且

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2014-11-24

移動(dòng) 電流發(fā)光二極管原理圖
二極管限幅電路工作原理分析與理解

二極管最基本的工作狀態(tài)是導(dǎo)通和截止兩種，利用這一特性可以構(gòu)成限幅電路。所謂限幅電路，就是指限制電路中某一點(diǎn)的信號(hào)幅度大小，當(dāng)信號(hào)幅度大到一定程度時(shí)，不讓信號(hào)的幅度再增大;當(dāng)信號(hào)的幅度沒(méi)有達(dá)到限制的幅度時(shí)

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2014-11-24

集成電路二極管交流信號(hào) 電路工作原理
MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管)工作原理

場(chǎng)效應(yīng)管是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡(jiǎn)單解釋一下MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide SEMIconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)的縮寫。

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2014-11-24

半導(dǎo)體電壓 MOSFET MOS場(chǎng)效應(yīng)管
二極管的模型筆記

二極管的模型1.理想模型所謂理想模型,是指在正向偏置時(shí),其管壓降為零,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合。當(dāng)反向偏置時(shí),其電流為零,阻抗為無(wú)窮,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)。具有這種理想特性的二極管也叫做理想二極管。在實(shí)際電路中,當(dāng)電源電壓

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2014-11-24

模型電流二極管壓降
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)！

我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的

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2014-11-24

短路絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS管
關(guān)于三極管和場(chǎng)效應(yīng)管

三極管簡(jiǎn)介:三極管的種類很多，并且不同型號(hào)各有不同的用途。三極管大都是塑料封裝或金屬封裝，常見(jiàn)三極管的外觀，有一個(gè)箭頭的電極是發(fā)射極，箭頭朝外的是NPN型三極管，而箭頭朝內(nèi)的是PNP型。實(shí)際上箭頭所指的方向是

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2014-11-24

電壓三極管場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)射極
增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET）的電池反接保護(hù)電路

功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)典型應(yīng)用電路1.電池反接保護(hù)電路電池反接保護(hù)電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時(shí)，PN結(jié)反接無(wú)電壓降，但在正常工作時(shí)有0.6～0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電

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2014-11-24

電池 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管保護(hù)電路
Qualcomm宣布推出下載速度最高達(dá)450 Mbps的第五代LTE多模調(diào)制解調(diào)器

21ic訊 Qualcomm Incorporated今日宣布，其全資子公司Qualcomm Technologies, Inc.推出了第五代LTE多模解決方案——Qualcomm® Gobi™ 9x45調(diào)制解調(diào)器，以及第二代Qualcomm RF360™絡(luò)追蹤器

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2014-11-20

調(diào)制解調(diào)器多模 LTE QUALCOMM
安森美半導(dǎo)體與ICs LLC合作開(kāi)發(fā)抗輻射加固ASIC

21ic訊推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體與ICs LLC達(dá)成授權(quán)/開(kāi)發(fā)協(xié)議，將能夠抗輻射的專用集成電路(ASIC)推向市場(chǎng)。通過(guò)這協(xié)議產(chǎn)生的抗輻射加固設(shè)計(jì)(RHBD) ASIC將基于安森美半導(dǎo)體的ONC110 110納米(nm)工藝，用于ASIC設(shè)

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2014-11-20

安森美半導(dǎo)體 ASIC LLC HB
Vishay推采用金屬外殼和全密封Hi-Rel COTS固鉭電容器

滿足MIL-STD-202要求，提供浪涌電流測(cè)試選項(xiàng)，可用于航空航天和國(guó)防系統(tǒng)21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布用于航空和軍用系統(tǒng)的新TANTAMOUNT® Hi-Rel COTS系列表面貼裝固體片式鉭電容器---T

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2014-11-20

金屬 Vishay 電容器鉭電容
安森美半導(dǎo)體新一代外圍組件快速互連(PCIe)方案可優(yōu)化服務(wù)器時(shí)鐘應(yīng)用

網(wǎng)絡(luò)/無(wú)線/云計(jì)算、數(shù)字消費(fèi)、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)/工業(yè)等應(yīng)用市場(chǎng)的不斷發(fā)展令時(shí)鐘技術(shù)在性能和靈活性的結(jié)合越趨重要，而且越來(lái)越多的應(yīng)用要求實(shí)時(shí)時(shí)鐘在寬溫度范圍內(nèi)有極高的計(jì)時(shí)精度。安森美半導(dǎo)體(ON Semiconduc

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2014-11-19

安森美半導(dǎo)體時(shí)鐘組件 PCIE
國(guó)內(nèi)集成電路兼并重組獲國(guó)家支持

近日消息，《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的頒布又一次掀起了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高潮?！锻七M(jìn)綱要》為我國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)制定了宏偉的發(fā)展目標(biāo)，反映出黨中央、國(guó)務(wù)院對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀的精準(zhǔn)把控和推動(dòng)產(chǎn)業(yè)

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2014-11-19

集成電路臺(tái)積電封裝技術(shù) 集成電路產(chǎn)業(yè)

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不能再低調(diào)了！英特爾技?jí)壕A代工廠3.5年

ECS Inc.構(gòu)建市場(chǎng)領(lǐng)先的SMD石英晶體產(chǎn)品組合

半導(dǎo)體二極管的直流電阻和動(dòng)態(tài)電阻如何區(qū)別？

發(fā)光二極管之—工作原理圖解分析

二極管限幅電路工作原理分析與理解

MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管)工作原理

二極管的模型筆記

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)！

關(guān)于三極管和場(chǎng)效應(yīng)管

增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET）的電池反接保護(hù)電路

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安森美半導(dǎo)體與ICs LLC合作開(kāi)發(fā)抗輻射加固ASIC

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安森美半導(dǎo)體新一代外圍組件快速互連(PCIe)方案可優(yōu)化服務(wù)器時(shí)鐘應(yīng)用

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