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  • 為什么選擇 TMR 技術(shù)？

    TMR 技術(shù)代表了磁傳感領(lǐng)域的范式轉(zhuǎn)變。傳統(tǒng)的霍爾效應傳感器依賴于外部磁場影響下電荷載流子的偏轉(zhuǎn)，而 TMR 傳感器則不同，它利用了隧道磁阻現(xiàn)象。這涉及通過夾在兩個鐵磁層之間的薄絕緣層測量電阻的變化，其中電阻由外部磁場調(diào)制。這種根本差異轉(zhuǎn)化為 TMR 傳感器的幾個關(guān)鍵優(yōu)勢：

  • 完善自動化測試：在現(xiàn)代測試套件中平衡速度和可靠性

    傳統(tǒng)上，自動化測試分為單元測試、集成測試和端到端測試。這種分類是基于測試的范圍，盡管不同類型之間的區(qū)別并不總是很清楚。單元測試的范圍很窄，通常測試單個方法或類。集成測試驗證不同組件之間的交互。端到端測試通常在平臺或 Web 應用程序上執(zhí)行完整的用戶流程，涉及多個不同的系統(tǒng)。

  • 深度分析LLC諧振變換器電路設(shè)計及其工作原理

    與傳統(tǒng)PWM(脈寬調(diào)節(jié))變換器不同，LLC是一種通過控制開關(guān)頻率(頻率調(diào)節(jié))來實現(xiàn)輸出電壓恒定的諧振電路。它的優(yōu)點是：實現(xiàn)原邊兩個主MOS開關(guān)的零電壓開通(ZVS)和副邊整流二極管的零電流關(guān)斷(ZCS)，通過軟開關(guān)技術(shù)，可以降低電源的開關(guān)損耗，提高功率變換器的效率和功率密度。

  • 一文探究竟! 嵌入式項目是怎樣評估系統(tǒng)所需的RAM和ROM用量的？

    ROM和RAM是人盡皆知的概念。即：RAM(random access memory)隨機存儲內(nèi)存 ，這種bai存儲器在斷電時du將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。ROM(Read-Only Memory)只讀內(nèi)存 ，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導體存儲器。

  • 一文帶你搞懂電容基礎(chǔ)知識

    電容的大小主要取決于導體的幾何形狀、相對位置和中間絕緣材料的性質(zhì)。換句話說，電容不僅僅與導體的大小和形狀有關(guān)，還與導體之間的距離以及夾在它們之間的絕緣材料的電介常數(shù)相關(guān)。如果距離越近、電介常數(shù)越大，那么電容也就越大。因為距離減小會增大電場強度，電介常數(shù)增大則能更好地儲存電場能量。這就是電容和電介質(zhì)之間關(guān)系的基本原理。

  • 干貨分享！C++與C：兩種編程語言的對比

    C++是一種通用編程語言，它支持多種編程范式，包括過程式、面向?qū)ο蠛头盒途幊?。C++的設(shè)計哲學是“零開銷抽象”，即不引入任何非必要的開銷。這種哲學使得C++能夠高效地執(zhí)行低級內(nèi)存操作，并允許程序員直接控制硬件資源。

  • 新手必備！ARM入門要理解的22個常用概念

    ARM架構(gòu)是一種精簡指令集計算機(RISC)架構(gòu)，自其誕生以來，以低功耗、高性能和易于集成的特性，在計算機體系結(jié)構(gòu)中占據(jù)了重要地位。ARM架構(gòu)的發(fā)展歷程從最初的ARMv1逐步演進至如今的ARMv9，每一代版本的更新都標志著技術(shù)的進步和性能的提升，體現(xiàn)了其對市場需求的快速響應。

  • 一文詳解三極管的工作原理

    三極管更多的是做一個開關(guān)管來使用，且只有截止、飽和兩個狀態(tài)。截止狀態(tài)看作是“關(guān)”，飽和狀態(tài)看作是“開”，Ib≥1mA時，完全可以保證三極管工作在飽和狀態(tài)，對于小功率的三極管此時Ic為幾十到幾百mA，驅(qū)動繼電器、蜂鳴器等功率器件綽綽有余。

  • 肖特基整流與同步整流的區(qū)別

    在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，整流技術(shù)是將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)的關(guān)鍵過程。而在PC電源、開關(guān)電源以及電機驅(qū)動等應用中，肖特基整流和同步整流是兩種廣泛使用的整流技術(shù)。盡管它們的目的相同，但兩者在結(jié)構(gòu)、性能和應用方面存在顯著差異。

  • 化解第三代半導體的應用痛點：策略與實踐

    第三代半導體，以其獨特的寬禁帶特性，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率電子、射頻電子和光電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。然而，盡管這些材料在性能上遠超傳統(tǒng)半導體，其廣泛應用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點。

  • 浪涌保護器與空氣開關(guān)：功能、原理與應用差異深度解析

    在電氣系統(tǒng)中，保護設(shè)備免受各種電氣故障和異常情況的損害是至關(guān)重要的。浪涌保護器和空氣開關(guān)作為兩種常見的保護設(shè)備，各自承擔著不同的保護職責。盡管它們都是為了確保電氣系統(tǒng)的安全運行而設(shè)計，但在工作原理、保護作用、應用場景等方面存在著顯著的差異。

  • 可控硅電路中電磁閥釋放對壓敏電阻的影響

    在電力電子系統(tǒng)中，可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)作為一種重要的半導體器件，廣泛應用于各種電路控制中。而壓敏電阻(Varistor)，則以其獨特的電壓-電流非線性關(guān)系，成為保護電路免受過電壓沖擊的關(guān)鍵元件。當這兩種元件在同一電路中協(xié)同工作時，特別是當電磁閥在可控硅的控制下釋放時，會對壓敏電阻產(chǎn)生一系列復雜的影響。

  • 如何可靠穩(wěn)定地控制機上電源直接給儲能充電(超級電容)

    在現(xiàn)代電子與電力系統(tǒng)中，超級電容作為一種高性能的儲能元件，因其高功率密度、長循環(huán)壽命和快速充放電能力而備受青睞。特別是在需要快速響應和高能量脈沖的應用中，如航空電子設(shè)備、電動汽車輔助系統(tǒng)以及瞬時功率補償?shù)阮I(lǐng)域，超級電容的作用尤為突出。然而，如何可靠穩(wěn)定地控制機上電源直接給超級電容充電，是一個需要細致考量的問題。

  • 高靈敏度單向可控硅的誤觸發(fā)問題探究

    在電子工程領(lǐng)域，高靈敏度單向可控硅(SCR，Silicon Controlled Rectifier)作為一種重要的半導體器件，因其獨特的控制特性和廣泛的應用場景而備受關(guān)注。然而，高靈敏度單向可控硅在實際應用中常常面臨誤觸發(fā)的問題，這不僅影響了電路的穩(wěn)定性和可靠性，還可能對設(shè)備的正常運行造成潛在威脅。

  • 電源的降壓(Buck)與升壓(Boost)模式：原理、應用與優(yōu)化設(shè)計

    在電子系統(tǒng)設(shè)計中，電源管理是關(guān)鍵的一環(huán)，它直接關(guān)系到系統(tǒng)的性能、穩(wěn)定性和效率。其中，降壓(Buck)與升壓(Boost)模式是電源管理中的兩種基本轉(zhuǎn)換模式，廣泛應用于各種電子設(shè)備中。

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