0 引 言
    CMOS圖像傳感器(CIS)使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝制造，與電荷耦合器件(CCD)相比，CMOS圖像傳感器具有低功耗、高集成度和功能靈活的特點(diǎn)，在便攜式及其它特殊環(huán)境中有巨大的應(yīng)用前景。近些年對(duì)CMOS圖像傳感器的研究中，動(dòng)態(tài)范圍(DR)一直是一個(gè)熱點(diǎn)。CMOS圖像傳感器中的動(dòng)態(tài)范圍被定義為最大非飽和信號(hào)與無光照條件下的噪聲標(biāo)準(zhǔn)差的比值。動(dòng)態(tài)范圍是圖像傳感器中非常重要的指標(biāo)，對(duì)圖像的質(zhì)量有很大的影響，提高動(dòng)態(tài)范圍可以提高圖像的對(duì)比度和分辨率。已經(jīng)有多種方案被提出來提高動(dòng)態(tài)范圍：Chen Xu等在像素單元中使用PMOS作為重置(Reset)開關(guān)，并使用互補(bǔ)的源極跟隨器將信號(hào)調(diào)整至軌對(duì)軌，但這個(gè)結(jié)構(gòu)占用了許多像素中的面積，減小了感光面積百分比(Fill Factor)，同時(shí)PMOS管的載流子的低移動(dòng)率，延長(zhǎng)了充電時(shí)間，降低了傳感器的幀率；S Yang等在中提出基于條件重置的多采樣技術(shù)提高動(dòng)態(tài)范圍，但是這種方法在一次圖像采集操作中需要多個(gè)充電周期和積分周期，同樣降低了傳感器的幀率；O Yadid-Pecht等在中提出了一種包含兩列信號(hào)鏈的有源像素傳感器，它可以同時(shí)讀取兩個(gè)圖像，包括短積分時(shí)間和長(zhǎng)積分時(shí)間，但是這種方法并不能有效地獲取場(chǎng)景的明暗信息，同時(shí)很難擴(kuò)展到同時(shí)采集多于兩個(gè)圖像。在此提出了基于電荷泵的CMOS圖像傳感器，使用一個(gè)簡(jiǎn)單的電荷泵抬高重置脈沖信號(hào)的幅值，使像素單元中的充電節(jié)點(diǎn)電壓達(dá)到電源電壓；同時(shí)調(diào)整源極跟隨器的參數(shù)，拓展充電節(jié)點(diǎn)電壓在積分周期擺動(dòng)范圍的下界，這兩種方案可以有效地提高充電節(jié)點(diǎn)電壓的擺幅，從而提高了傳感器的動(dòng)態(tài)范圍。重置脈沖信號(hào)幅值的提高也減小了充電的時(shí)間常數(shù)，縮短了充電時(shí)間，從而可以提高圖像采集的幀率。

1 像素單元部分的考慮
    像素陣列是CMOS圖像傳感器中最重要的組成部分，現(xiàn)在大多數(shù)像素單元使用有源像素單元結(jié)構(gòu)，如圖1所示。PD通常是N+／P-well形成的二極管，反向偏置PD，作為傳感器中的感光元件。在充電周期，重置脈沖Vreset_p是高電平，M1導(dǎo)通，電源對(duì)PD充電；在積分周期，Vreset_p降為低電平，M1截止，由于入射光的照射，PD產(chǎn)生反向光電流，對(duì)PD進(jìn)行放電；節(jié)點(diǎn)N的電壓VN隨之下降，VN下降的斜率與入射光的光強(qiáng)成正比。當(dāng)積分周期結(jié)束時(shí)，行選信號(hào)Vrow_s產(chǎn)生一個(gè)脈沖導(dǎo)通M3，VN經(jīng)源極跟隨器輸出至后處理電路。

    傳感器中的動(dòng)態(tài)范圍可以表示為：

   
    式中：q為單位電荷量；Cload為充電節(jié)點(diǎn)電容；Nwell為最大井容量(Well Capacity)，表示為VN×Cload；ndark為無光照情況下像素的暗電流；Vnoise為像素噪聲標(biāo)準(zhǔn)差，包括固定模式噪聲(FPN)和1／f噪聲。從式(1)可以看出，在Cload不變的情況下，VN在充電周期的最大值決定了Nwell，而VN在積分周期的最小值決定Ndark的最小值，因此VN的電壓擺幅直接影響了傳感器的動(dòng)態(tài)范圍。
    在傳統(tǒng)的像素單元設(shè)計(jì)中，Vreset_p的幅值為電源電壓Vdd，因此VN的擺動(dòng)范圍為：
   
    式(2)顯示Vreset_p的幅值限制了VN的電壓上界。如果提高Vreset_p的幅值，那么VN的電壓上界也會(huì)隨之上升，當(dāng)Vreset_p≥Vdd+Vthn時(shí)，VN的值在充電后將達(dá)到最大值Vdd。因?yàn)樾枰獙reset_p的幅值抬高超過電源電壓至少Vthn，因此，在這里使用一個(gè)電荷泵電路抬高Vreset_p的幅值，這樣就可以在充電周期使VN的電壓達(dá)到Vdd。當(dāng)Vreset_p的幅值超過Vdd+Vthn時(shí)，M1進(jìn)入線性區(qū)，此時(shí)它的導(dǎo)通電阻為：

   
式中：Vg1為M1的柵極電壓，即Vreset_p的幅值，它與Ron成反比，當(dāng)Vg1提高很大時(shí)，Ron將大大減小。在充電電路中，充電時(shí)間常數(shù)τ=RonCload，隨著Ron變小，時(shí)間常數(shù)也隨之減小，因此當(dāng)Vg1很大時(shí)，充電周期將大大縮短，從而提高了傳感器的幀率。從式(2)可看出VN的下界由M2的柵源電壓Vgs2和電流源的飽和電壓VIds(sat)決定，當(dāng)偏置電流Ibias不變時(shí)，Vlds(sat)的變化很小，可以不予考慮。如果可以減小Vgs2，就可以降低VN的電壓下限。根據(jù)M2的柵源電壓等式：

   
    可看出，增大M2的寬長(zhǎng)比(W／L)：可以降低Vgs2。由于布局中使用工藝中的最小長(zhǎng)度，MOS管的長(zhǎng)度L不變，因此增大M2的寬度W可以降低Vgs2。從式(4)中也可以看到減小源極跟隨器的偏置電流Ibiad同樣可以降低Vgs2。根據(jù)像素單元中布局的實(shí)際情況適當(dāng)?shù)卦龃驧2的寬度，同時(shí)根據(jù)二次采樣電路中的負(fù)載情況適當(dāng)?shù)販p小偏置電流，可以有效地降低Vgs2，從而降低VN的電壓下界。

2 電荷泵部分的考慮
    為了產(chǎn)生一個(gè)高于電源電壓的高電平，采用一個(gè)基本的電荷泵電路抬高電壓，如圖2(a)所示。

    這個(gè)電路使用了兩個(gè)非重疊的、反相的時(shí)鐘clk和clk～，幅值為電源電壓Vdd兩個(gè)NMOS器件M1和M2以交叉耦合的方式連接，交替導(dǎo)通，導(dǎo)通時(shí)分別拉動(dòng)相應(yīng)節(jié)點(diǎn)N1或N2至輸入電壓Vin_c。時(shí)鐘脈沖交替加在電容C1和C2上，在NMOS截止的一邊，相應(yīng)電容的電壓泵至Vdd+Vin_c，同時(shí)這一邊的PMOS導(dǎo)通，輸出這個(gè)電壓至Vout_c。在一些時(shí)鐘周期以后，節(jié)點(diǎn)N1和N2有反相的、幅值為Vdd+Vin_c的時(shí)鐘脈沖，兩個(gè)PMOS交替導(dǎo)通，使輸出Vout_c一直為Vdd+Vin-c本文中，Vin_c設(shè)為Vdd由于NMOS的閾值電壓的影響，Vout_c=2Vdd-Vthn。輸出波形如圖2(b)所示。電荷泵的輸出Vout_c在經(jīng)歷最初的大約1μs的時(shí)間以后達(dá)到穩(wěn)定，穩(wěn)定值約為5．8 V。圖中的小插圖是輸出電壓穩(wěn)定以后的紋波電壓．它的擺幅約為30 mV。由于這個(gè)電壓在充電周期加在像素單元中的重置開關(guān)的柵極上，導(dǎo)通重置開關(guān)使充電節(jié)點(diǎn)電壓達(dá)到電源電壓，因此當(dāng)充電節(jié)點(diǎn)電壓已經(jīng)達(dá)到電源電壓以后，柵極電壓上的紋波不再影響充電節(jié)點(diǎn)電壓，所以電荷泵輸出端的電容C3不必做得很大，以減小紋波電壓的擺幅。
    像素單元的重置脈沖信號(hào)Vreset_p由外圍電路產(chǎn)生，它的幅值是電源電壓Vdd，為使這個(gè)高電平升高為電荷泵的輸出電壓，需要一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路，如圖3(a)所示。Vreset_c是由外圍電路產(chǎn)生的普通的重置脈沖信號(hào)，它經(jīng)過兩個(gè)反相器將幅值提高至Vout_c，兩個(gè)反相器的電源電壓由Vout_c代替。M5，D1和C1的使用是為了正確地控制M1。當(dāng)Vreset_c是低電平時(shí)，M2截止，M5導(dǎo)通，電源電壓對(duì)C1充電至VC由于D1的正向電壓，VC=Vdd-Vdd，由于VC<Vout_c-Vthp，因此M1導(dǎo)通，VN=Vout_c；當(dāng)Vreset_c是高電平時(shí)，M2導(dǎo)通，由于電容C1的電荷保持特性，此時(shí)VC=2Vdd-V1，這個(gè)電壓超過Vout_c，M1截止，因此VN1降為低電壓。這個(gè)時(shí)候因?yàn)镈1的單向性，電容C1的電荷不經(jīng)過M5回流，保持VC的不變。這樣節(jié)點(diǎn)N1上產(chǎn)生了與Vreset_c反相的波形，再經(jīng)過M3和M4組成的反相器的反相，輸出Vreset_p與Vreset_c同相。但幅值已被提高。圖3(b)是信號(hào)的波形示意圖。

3 仿 真
    這里提出的電路使用TSMC的0．35 μm Mixed Mode模型庫(kù)仿真，仿真結(jié)果符合設(shè)計(jì)要求。
    圖4中顯示的是對(duì)像素單元中的源極跟隨器的仿真結(jié)果．由等式(4)可知，源極跟隨器的柵源電壓Vgs2與寬度W的方根成反比，如圖4(a)所示，與偏置電流Ibins的方根成正比。同時(shí)調(diào)整源極跟隨器的寬度和偏置電流可以降低充電節(jié)點(diǎn)電壓的擺動(dòng)范圍下界。在本電路中，寬度由1．5 μm調(diào)整至3 μm，偏置電流有10 μA調(diào)整至5 μA，Vgs2可減小大約80 mV，有效地拓展了充電節(jié)點(diǎn)電壓擺動(dòng)范圍下界。

    圖5是對(duì)像素單元中充電節(jié)點(diǎn)電壓VN的掃描結(jié)果，對(duì)于重置開關(guān)柵極電壓Vg1的不同值，VN的瞬態(tài)響應(yīng)表現(xiàn)出不同的特性。從圖5中可以明顯看出，隨著Vg1的升高，VN的最終值也隨之升高，同時(shí)VN達(dá)到最終值的時(shí)間也隨之逐漸縮短。在傳統(tǒng)的像素單元中，充電周期的Vg1是3．3 V，它可使VN的最終值達(dá)到2．546 V，VN達(dá)到2．5 V時(shí)需要大約4μs的時(shí)間；而當(dāng)Vg1為5．8 v時(shí)，VN的最終值可以達(dá)到3．3 V，而它達(dá)到最終值只需時(shí)6．7 ns，可以將充電周期設(shè)為10 ns。在這種情況下，充電周期相比于傳統(tǒng)像素的充電周期大大縮短，從而可以提高傳感器的幀率。

4 結(jié) 語(yǔ)
    提出一種基于電荷泵電路的CMOS圖像傳感器，通過提高重置脈沖信號(hào)的幅值，以及調(diào)整源極跟隨器的參數(shù)，可以有效地提高充電節(jié)點(diǎn)電壓的擺幅。在充電周期提高重置開關(guān)的柵極電壓也減小了充電時(shí)間常數(shù)，縮短了充電周期，從而提高了圖像采集的幀率。仿真結(jié)果也驗(yàn)證了這種方案的可行性。