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[導(dǎo)讀]針對(duì)單片雷達(dá)接收機(jī)中對(duì)低噪聲放大器(LNA)的要求,采用CMOS O.18μm工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)三級(jí)級(jí)聯(lián)的鏡像抑制低噪聲放大器。通過(guò)在低噪聲放大器中接入限波濾波器,實(shí)現(xiàn)對(duì)鏡像信號(hào)的衰減,從而減小了后端混頻器電路的設(shè)計(jì)難度。在ADS中對(duì)設(shè)計(jì)的放大器仿真,其結(jié)果為:最大供電電壓為5 V情況下,信號(hào)頻段為3.O~3.2 GHz,中頻輸出為225 MHz,功率增益≥31 dB,噪聲系數(shù)(FN)≤O.5 dB,1 dB點(diǎn)的輸入/輸出功率分別為-19.5 dBm和11.5 dBm,對(duì)鏡像信號(hào)的抑制度達(dá)22 dB。

0 引言
    在現(xiàn)代雷達(dá)接收機(jī)中,應(yīng)用最廣的結(jié)構(gòu)是超外差結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中,單片系統(tǒng)往往需要片外濾波器去除鏡像信號(hào),例如SAW濾波器,因而給系統(tǒng)的集成度帶來(lái)影響。為了達(dá)到一定的鏡像抑制比,而又不使用片外濾波器,通常使用鏡像抑制混頻器能提供60 dB左右的抑制度。但現(xiàn)代雷達(dá)接收機(jī)至少需要80 dB的抑制度,這就給鏡像抑制混頻器的設(shè)計(jì)增加了難度。
    為解決該問(wèn)題,研究工作主要集中在鏡像抑制LNA的設(shè)計(jì)上。從文獻(xiàn)中,可以看到通過(guò)LNA與陷波濾波器(notch filter)的連接,其單片LNA的抑制度分別達(dá)到20 dB和75 dB。本文結(jié)合雷達(dá)接收機(jī)中LNA的指標(biāo),通過(guò)設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)提高抑制度,與后級(jí)的鏡像抑制混頻器連接達(dá)到了較高的鏡像抑制比,提高了整個(gè)雷達(dá)接收機(jī)對(duì)鏡像信號(hào)的抑制度。

1 陷波濾波器
   
在本文中,對(duì)低噪聲放大器的要求是工作頻段為S頻段,噪聲系數(shù)FN為2~3 dB,功率增益在30 dB以上,輸出1 dB壓縮點(diǎn)不低于10dBm,工作電壓為5 v。針對(duì)以上要求,采用的LNA基本結(jié)構(gòu)為發(fā)射極電感負(fù)反饋。式(1)表明,選擇適當(dāng)?shù)母兄稻湍苁苟丝诘玫狡ヅ?,最重要的是,這種結(jié)構(gòu)在信號(hào)的通道上避免了噪聲電阻,大大降低了噪聲系數(shù),如圖1所示。
   


    陷波濾波器分為有源和無(wú)源2種結(jié)構(gòu),為減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,在鏡像抑制LNA設(shè)計(jì)中,采用無(wú)源結(jié)構(gòu),如圖2所示,其中包括了C1,C2和L1 3個(gè)無(wú)源元件(L1中寄生電阻值為RL1)。



2 LNA設(shè)計(jì)分析
    LNA的性能很大程度上決定了雷達(dá)接收機(jī)的性能指標(biāo)。為了滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)中的功率增益,實(shí)際的LNA采用三級(jí)級(jí)聯(lián)的方式設(shè)計(jì)。
   
式中:Fn,GAn,(IIP3)n分別為L(zhǎng)NA每級(jí)的噪聲系數(shù)(這里n=1,2,3),功率增益和三階交調(diào)參數(shù)。
    從式(6)、式(7)不難得出:
    (1)降低模塊的噪聲系數(shù),主要是降低前級(jí)電路的噪聲系數(shù);
    (2)為了降低后續(xù)電路的噪聲對(duì)整個(gè)模塊的噪聲影響,前級(jí)模塊需要提供適當(dāng)?shù)脑鲆妫?br />    (3)要提高模塊的線性度,除了提高各級(jí)電路的線性度之外,各級(jí)的增益不能太高。
    為了滿足整個(gè)LNA的噪聲要求,第一級(jí)放大器應(yīng)主要面向優(yōu)化噪聲設(shè)計(jì),以得到最小的噪聲系數(shù),整個(gè)系統(tǒng)的噪聲系數(shù)基本取決于第一級(jí)的噪聲系數(shù)。第二級(jí)放大器應(yīng)在面向噪聲優(yōu)化的同時(shí),提供一定的增益和線性度,以避免整個(gè)放大器的增益過(guò)低。第三級(jí)放大器主要面向線性度的優(yōu)化,通過(guò)諸如增大發(fā)射極電感的大小和晶體管偏置電流等手段,可以有效地提高1 dB功率壓縮點(diǎn)輸出功率,但是增益會(huì)受到一定的影響。
    基本放大器采用共源共柵結(jié)構(gòu),既可以增加輸入/輸出的隔離度,又降低了Ld1和M2間的Miller效應(yīng)。同時(shí),M1與M2之間接入電感Ld1,有助于改善放大器的增益和噪聲情況。
    在三級(jí)電路設(shè)計(jì)中,最復(fù)雜的是第三級(jí)電路。第三級(jí)放大器要滿足1 dB功率壓縮點(diǎn)輸出不小于10 dBm的要求,因此主要是面向優(yōu)化線性度設(shè)計(jì)。放大器的電路圖如圖3所示,放大器的輸出功率三階交調(diào)點(diǎn)可以由式(8)來(lái)估計(jì):
   
    從式(8)中可以看出要提高放大器的線性度,可以通過(guò)提高放大管的Vce電壓和集電極電流Ic。由于Vce不會(huì)很高,主要就是通過(guò)提高集電極電流Ic來(lái)提高放大器的線性度,但是一味地提高電流也會(huì)帶來(lái)功耗的增加。


    增加發(fā)射極電感可以提高1 dB功率壓縮點(diǎn)的輸出功率,但是放大器的增益會(huì)隨之降低,同時(shí)1 dB功率壓縮點(diǎn)的輸入會(huì)增大,加大對(duì)前一級(jí)放大器線性度的壓力。所以發(fā)射極電感只能選擇一個(gè)合適的感值,不能過(guò)大。

3 LNA仿真結(jié)果
    仿真結(jié)果如圖4、圖5所示。


    在鏡像頻率附近,增益由無(wú)陷波濾波器時(shí)的25 dB左右,降到-21.9 dB值附近,對(duì)進(jìn)入LNA的鏡像信號(hào)起到一定的抑制作用。表1表明電路在頻段內(nèi)穩(wěn)定度狀況,系數(shù)遠(yuǎn)大于1,電路絕對(duì)穩(wěn)定。
    另外,從式(5)可看出陷波濾波器的Q值受電感中的寄生電阻所限制。所以,在CMOS工藝中,電感的特性影響著LNA最后的性能。
    通過(guò)表2可以看到LNA在有陷波濾波器和沒(méi)有陷波濾波器兩種情況下的仿真結(jié)果的對(duì)比。



4 結(jié)語(yǔ)
    為了達(dá)到單片雷達(dá)接收機(jī)對(duì)鏡像抑制度的要求,采用CMOS O.18μm工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)三級(jí)級(jí)聯(lián)的鏡像抑制LNA。通過(guò)在LNA中接入無(wú)源限波濾波器,實(shí)現(xiàn)對(duì)鏡像信號(hào)的衰減,從而減小了后端混頻器電路的設(shè)計(jì)難度。
    最后在ADS中對(duì)設(shè)計(jì)的放大器進(jìn)行仿真,其結(jié)果為,最大供電電壓為5 V情況下,信號(hào)頻段3.0~3.2 GHz,中頻輸出為225 MHz,功率增益≥31 dB,噪聲系數(shù)≤O.5 dB,輸入/輸出1 dB點(diǎn)的功率分別為-19.5 dBm和11.5 dBm,對(duì)鏡像信號(hào)的抑制度達(dá)22 dB。避免了使用片外濾波器,提高了系統(tǒng)的集成度。由于目前的CMOS工藝中,電感的品質(zhì)依然有待提高。單片鏡像抑制LNA要想達(dá)到更好的性能,還有待進(jìn)一步研究。

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