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[導(dǎo)讀]摘要:為解決PWM控制器中輸出電壓與基準電壓的誤差放大問題,設(shè)計了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器,通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路,克服補償電容的前饋效應(yīng),同時消除補償電容引入的零點。

摘要:為解決PWM控制器中輸出電壓與基準電壓的誤差放大問題,設(shè)計了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器,通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路,克服補償電容的前饋效應(yīng),同時消除補償電容引入的零點。在Cadelence軟件平臺上,經(jīng)過交流和瞬態(tài)仿真,電路0 dB帶寬達到55.5 MHz,電壓開環(huán)增益約67.2 dB,相位裕度為83.0°上升建立時間和下降建立時間分別為6.7 V/μs和5.7 V/μs共模抑制比為49.17 dB,電源抑制比為71.39 dB。該誤差放大器已經(jīng)應(yīng)用到了PWM芯片中,使得PWM最大、最小占空比可調(diào),大幅提升了芯片系統(tǒng)的整體性能。
關(guān)鍵詞:PWM;誤差放大器;高增益;寬帶寬;占空比

    開關(guān)穩(wěn)壓電源具有集成度高、外圍電路簡單、電源效率高等優(yōu)點,在各種電子設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。尤其是在通信系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等要求高穩(wěn)定性、高可靠性電源的設(shè)備中,開關(guān)穩(wěn)壓電源已經(jīng)取代效率較低的線性穩(wěn)壓器。脈寬調(diào)制(Pulse-Width Modulation,PWM)芯片作為開關(guān)電源中的核心,其關(guān)鍵技術(shù)對我國國防和民用電源領(lǐng)域至關(guān)重要。這種調(diào)制方式的實現(xiàn)方法是由內(nèi)部震蕩器產(chǎn)生一個頻率恒定的鋸齒波,與誤差放大器輸出的參考電壓比較,輸出方波用于控制調(diào)整管。誤差放大器輸出擺幅直接決定了PWM芯片的輸出占空比的最大、最小值,固定的輸出擺幅使得芯片輸出占空比的最大、最小值不可調(diào)節(jié),限制了芯片的應(yīng)用,影響了PWM芯片的性能。
    本文設(shè)計的運放是整個PWM控制器的誤差放大器,作為電路中最重要的模塊之一,主要功能是獲得輸入電壓和基準電壓的誤差放大值,作為下一級比較器的輸入。與常見的誤差放大器相比,本文采用二級放大器組成的CMOS運算放大器進行設(shè)計,中間加入一級緩沖器電路,克服補償電容的前饋效應(yīng),同時消除補償電容引入的零點。該誤差放大器應(yīng)用在PWM芯片中,隨著其輸出擺幅的調(diào)整,PWM芯片最大、最小輸出占空比可以控制,明顯改善了PWM芯片的性能。

1 電路設(shè)計
1.1 基本的CMOS二級運放電路
    基本的CMOS二級運放電路如圖1所示?;径夒娐酚善貌糠趾蛢杉壏糯箅娐窐?gòu)成。VM5、VM6、VM8、VM9構(gòu)成比例恒流源系統(tǒng),對電路提供偏置。其中,VM9為等效電阻。第一級放大電路的電流偏置經(jīng)由VM5管提供,VM1和VM2組成差分輸入對管,VM3和VM4充當其有源負載,并且在無損增益的情況下實現(xiàn)電路的單端輸出轉(zhuǎn)換。第二級放大電路是個簡單的共源放大電路,VM6提供電流偏置并充當有源負載,放大功能主要由VM7管實現(xiàn)。


    由于場效應(yīng)管做共源放大器的時候,輸出端電壓與輸入端電壓反相,使得場效應(yīng)管漏極和柵極之間的電容的充放電電流增大,從輸入端看進去,電容好像增大了Au倍(Au為該級放大電路的增益倍數(shù)),這就是密勒效應(yīng)。密勒效應(yīng)會導(dǎo)致電路頻率特性降低,因此,電路引入了密勒補償電容C1,將其跨接到該級放大器的輸出端和輸入端,起到頻率補償?shù)淖饔谩?br />     該運放結(jié)構(gòu)簡單,易于實現(xiàn),但是電路性能不夠理想。電路中的補償電容C1在實現(xiàn)頻率補償?shù)耐瑫r,也引入了電壓輸出負反饋,過強的負反饋容易引起運放電路的不穩(wěn)定。


1.2 本設(shè)計采用的CMOS二級運放電路
    為了實現(xiàn)頻率補償,并消除負反饋對電路穩(wěn)定性的影響,本文中采用的二級運放對電路做了改進,中間加入一級緩沖器電路,克服補償電容的前饋效應(yīng),同時消除補償電容引入的零點。改進后的CMOS二級運放電路如圖2所示。


    改進后的CMOS二級運放電路仍采用比例電流鏡產(chǎn)生偏置電流,而比例電流鏡系統(tǒng)由VM5、VM6、VM7、VM10、VM11和VM12構(gòu)成。受到模型參數(shù)的影響,為了達到適合的電位,采用VM11和V12兩個PMOS管共同作為等效電阻。電路的兩級放大電路沒有變化,仍是分別由VM5和VM7提供電流偏置。VM1、VM2和VM3、VM4構(gòu)成帶有源負載的差分輸入級,第一級放大電路。VM7和VM9是個簡單的帶有源負載的共源放大器,第二級放大電路。兩級放大電路之間加入由VM6和VM8組成的緩沖器。其中,VM6管提供電流偏置,而VM8管工作在共漏組態(tài),增益為1,即源極跟隨器。源極跟隨器的存在使得密勒補償電容和輸出端不直接相連,同時實現(xiàn)了輸出端至電容端的電位平移。頻率提高到一定程度時,受到源跟隨器的制約,密勒補償電容無法將信號直接饋送到放大器輸出端,從而克服了密勒補償電容帶來的前饋效應(yīng),也消除了零點,改善運放的穩(wěn)定性。

2 誤差放大器參數(shù)設(shè)置
    根據(jù)本設(shè)計的整體電路要求,誤差放大器的性能指標設(shè)計目標設(shè)定如下:增益>60 dB,帶寬>50 MHz,相位裕度>80°,靜態(tài)電流<200 μA。
    1)首先確定工作點。已知電路是由5 V的單直流電源供電,為了使輸出電壓的擺幅盡可能大,則VM7管的直流工作區(qū)間應(yīng)該設(shè)置在飽和區(qū),應(yīng)滿足VG(M7)≥5 V+VTP條件。其中,VG(M7)是VM7的柵極電壓,VTP是PMOS管的開啟電壓,估算值為-1 V,因此VG(M7)設(shè)計取值4V。
    2)靜態(tài)電流和功耗設(shè)計。靜態(tài)電流要求在200μA以下,分配到各支路,應(yīng)滿足以下條件:
   

    3)忽略溝道調(diào)制效應(yīng),確定MOS管的寬長比。因為要保證MOS管工作在飽和區(qū),所以MOS管電流和管子寬長比有如下關(guān)系:
   
    其中,ID是MOS漏電流,up是PMOS的空穴遷移率,Cox是單位面積柵極電容,VGS是MOS管的柵源電壓,VTP是PMOS管的閾值電壓。這些參數(shù)中,ID和VGS通過電路仿真測得,up、Cox和VTP的取值一般能在工藝文件中直接查到,也可以在電路里通過仿真、計算得出。以上參數(shù)確定后,可計算可得到MOS管的寬長比。
    4)運放增益的計算方法如下:
   
    其中,gm1和gm2分別是第一、第二級放大器的等效跨導(dǎo),R1和R2分別是第一、第二級放大器的等效輸出電阻,計算公式如下:
   
    上面幾個式子中,uN是NMOS管的電子遷移率,rds是各MOS管的源漏電阻。

3 誤差放大器仿真結(jié)果
    在Cadence軟件中搭建模擬仿真驗證平臺,在電源和地線之間接入5 V直流電壓,誤差放大器的正向輸入端接入1.12 V的直流電壓(這個電壓取值在系統(tǒng)中由帶隙基準電壓源產(chǎn)生),反向輸入端輸入一個直流電位為1.12 V的正弦波。由于放大器的電壓增益較大,如果正弦波的交流幅度較大,會使得輸出出現(xiàn)失真,因此,這里將反相輸入端的正弦波電壓選取1 mV的交流幅度輸入。
    首先要進行直流工作點的驗證。通過dc仿真,觀測電路中的MOS管工作狀態(tài),如果有不在飽和區(qū)的管子,需要根據(jù)調(diào)整MOS管寬長比,直至所有管子的工作區(qū)(region)都顯示為“2”。
    直接測試電源電壓端的電流值,即可得到誤差放大器的靜態(tài)總電流。測得這個電流值I為173.4μA,由此可計算出誤差放大器的靜態(tài)總功耗:
   


    進行瞬態(tài)仿真,仿真結(jié)果如圖3所示。觀察電路波形,確認模塊實現(xiàn)了電壓的比較和誤差的放大功能。由瞬態(tài)仿真波形圖可以看出,輸入差模電壓為1 mV時,輸出電壓最大值可達4.15 V,最小值接近1.52 V,輸出擺幅不小于2.63 V。加大信號,可測得輸出電壓的建立時間:
   
    計算可得上升建立時間和下降建立時間分別為6.7 V/μs和5.7 V/μs。


    對電路進行交流增益仿真,觀察電路增益和單位增益帶寬,結(jié)果如圖4所示。
    根據(jù)交流仿真結(jié)果可知,電路0 dB帶寬達到55.5 MHz,電壓開環(huán)增益約67.2 dB,相位裕度為180°-96.97°≈83.0°。
    共模抑制比CMRR是放大器對輸入端共模信號的抑制能力,其計算表達式為
   
    其中Avd表示差模增益,Avc表示共模增益。把運算放大器連接成單位增益負反饋的模式,在運算放大器的同相和反相輸入端加上相同的交流電壓,進行交流仿真,得到的仿真結(jié)果如圖5所示,該曲線是1/CMRR,因此可以得到運算放大器的低頻共模抑制比為49.17 dB。


    電源抑制比PSRR是衡量電路對電源噪聲的抑制能力,把運算放大器連接成單位增益負反饋的模式,僅在供電電壓源上增加1 V的交流電壓,測試結(jié)果如圖6所示,該曲線是1/PMRR,因此運算放大器的低頻電源抑制比為71.39 dB,各項指標達到預(yù)期要求。



4 結(jié)論
    為解決PWM控制器中輸出電壓與基準電壓的誤差放大問題,本文設(shè)計了一款高增益,寬帶寬,輸出擺幅可以控制的新型誤差放大器。通過在二級放大電路中間增加一級緩沖電路,克服補償電容的前饋效應(yīng),同時消除補償電容引入的零點。通過交流仿真驗證,電路0 dB帶寬達到55.5 MHz,電壓開環(huán)增益約67.2 dB,相位裕度為83.0°上升建立時間和下降建立時間分別為6.7 V/μs和5.7 V/μs,共模抑制比和電源抑制比分別為49.17 dB和71.39 dB。其突出優(yōu)點是自頂向下設(shè)計,每一個器件的具體參數(shù)先通過手工計算再用軟件仿真逐步調(diào)整獲得,查找和修改錯誤方便,具有較大的靈活性。該誤差放大器已經(jīng)成功運用到PWM芯片中,其獨特的結(jié)構(gòu)使得PWM的最大輸出占空比和最小輸出占空比可以控制,大幅提升了芯片系統(tǒng)的整體性能。

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