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[導(dǎo)讀]中心議題: 基于DDS的寄生電感測量儀的測量原理 寄生電感測量儀的掃頻發(fā)生器設(shè)計 寄生電感測量儀的諧振點(diǎn)檢測電路分析 寄生電感測量儀的主要軟件流程設(shè)計解決方案: 基于DDS的寄生電感測量儀的設(shè)計

中心議題:

  • 基于DDS的寄生電感測量儀的測量原理
  • 寄生電感測量儀的掃頻發(fā)生器設(shè)計
  • 寄生電感測量儀的諧振點(diǎn)檢測電路分析
  • 寄生電感測量儀的主要軟件流程設(shè)計

解決方案:

  • 基于DDS的寄生電感測量儀的設(shè)計
  • 采用網(wǎng)絡(luò)分析儀檢測寄生電感測量儀的測量結(jié)果


精確的測量寄生電感, 對于電容的合理應(yīng)用具有十分重要的意義。本文介紹了一種利用LC 諧振原理測量電容自身寄生電感的方法。利用直接數(shù)字合成器產(chǎn)生可編程的掃頻信號激勵含有寄生電感的電容,同時采用對數(shù)檢波器對經(jīng)過待測網(wǎng)絡(luò)后的信號進(jìn)行檢波,在利用AD 轉(zhuǎn)換器采集檢波器輸出的直流信號。利用特定的程序算法比較連續(xù)的頻率點(diǎn)的輸出電平,最終找出諧振點(diǎn)頻率,求出電容的自身寄生電感。該方案由于采用了不同于常規(guī)LCR 電橋的原理,非常適合微小電感的測量,即使對于射頻領(lǐng)域使用的微小電感也可以精確測量。其測試結(jié)果與采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測試的結(jié)果十分接近,基本可以滿足大多數(shù)應(yīng)用場合。

0   引言

實際的電容元件存在著分布參數(shù),其中對電容本身特性影響最大的是寄生電感,這些寄生電感與電容本身構(gòu)成諧振回路,使電容在使用時有了一定的局限性,因此,能夠測量出電容本身寄生電感的大小,可以在使用時更合理的選擇電容元件。由于寄生電感的電感量很小,多為nH 級別,導(dǎo)致絕大部分LCR 電橋無法測量電容本身的寄生電感。為了準(zhǔn)確的測量寄生電感,文中描述了一種利用自諧振原理的測量方法,結(jié)合DDS 掃頻技術(shù)可以快速完成寄生電感的測量,其測量方法簡單精確,將能夠滿足大多數(shù)場合的應(yīng)用。

1   測量原理

實際電容由于制造的工藝導(dǎo)致本身存在寄生電感和寄生電阻, 其等效電路模型如圖1 所示。


圖1  實際電容等效電路模型

其中C 為實際電容本身的標(biāo)稱電容, L 是其寄生電感, Rp是其并聯(lián)等效電阻, Rs 是其串聯(lián)等效電阻。寄生電阻會對經(jīng)過電容的信號造成衰減, 但不會影響電容本身的頻率特性。寄生電感會與電容構(gòu)成串聯(lián)諧振回路, 會使實際的電容在某個頻率上發(fā)生諧振, 這種現(xiàn)象稱為電容的自諧振 。實際電容的阻抗和頻率特性曲線如圖2 所示。


圖2   實際電容頻率特性曲線

圖2 中的f 0 是電容與其寄生電感構(gòu)成的諧振回路的諧振頻率, 稱之為自諧振頻率, 實線部分為實際的電容頻率特性曲線, 虛線為理想無寄生電感的電容特性曲線。可見, 在低于自諧振頻率時, 電容呈現(xiàn)容性, 阻抗隨頻率增高而減??; 然而當(dāng)頻率超過自諧振頻率時, 電容表現(xiàn)出阻抗隨頻率增高而上升的趨勢, 這恰好是電感的特性。該曲線表明實際的電容僅能工作于自諧振頻率以下, 高于自諧振頻率時, 電容則表現(xiàn)為感性, 無法再繼續(xù)作為電容使用了??梢?, 準(zhǔn)確的測得電容的自諧振頻率, 求出其寄生電感, 對于電容的正確使用有著非常重要的意義。然而該電感往往非常小, 通常為nH 級別, 一般的LCR 電橋無法測量這種微小的電感。因此就需要一種不同于電橋法的測量這種微小電感的方法。


由電感和電容構(gòu)成的LC 串聯(lián)回路的諧振頻率為:

同時諧振發(fā)生時整個LC 回路表現(xiàn)出的阻抗為純阻性, 即感抗和容抗之和為零。利用這個原理, 使用一個掃頻信號激勵待測電容, 測量出諧振頻率, 再結(jié)合式(1) 即可測出寄生電感的大小 。根據(jù)該原理, 設(shè)計1 個掃頻發(fā)生器產(chǎn)生掃頻信號激勵待測電容, 然后找出諧振點(diǎn), 讀出諧振頻率即可求出電容的寄生電感。其結(jié)構(gòu)如圖3 所示。

其中最核心的部分就是掃頻發(fā)生器和諧振點(diǎn)檢測電路。


圖3   寄生電感測試裝置功能

2   掃頻發(fā)生器

掃頻發(fā)生器在本系統(tǒng)中產(chǎn)生寬頻帶掃頻信號以激勵待測電容, 當(dāng)電容較大時,以常見的電解電容為例,假設(shè)電容為1 000  F, 其寄生電感為100 nH, 則按照式(1)可計算出其自諧振頻率為15. 9 kHz, 諧振頻率較低;另以瓷片電容為例, 假設(shè)其電容值為10 pF, 寄生電感約為10 nH, 則其自諧振頻率為500 MHz 這兩個信號頻率相差了4 個數(shù)量級, 這就需要1 個寬帶的信號發(fā)生器, 這也是本部分的設(shè)計難點(diǎn)所在。若采用傳統(tǒng)的模擬信號發(fā)生的方法, 為了實現(xiàn)信號頻率的可調(diào), 一般會采用變?nèi)荻O管構(gòu)成的LC 振蕩器, 然而在信號頻率較低時, 所需要的變?nèi)荻O管的電容量會很大,而傳統(tǒng)的變?nèi)荻O管電容值一般只是幾個pF 至幾百pF ,很難滿足低頻振蕩要求。為了簡化掃頻電路, 以及實現(xiàn)數(shù)字化控制, 這里采用DDS 技術(shù)產(chǎn)生寬帶信號。DDS 采用的是DA 轉(zhuǎn)換器的原理, 通過計數(shù)器累加實現(xiàn)的連續(xù)波形輸出 , 而DDS 芯片外圍電路簡單, 通過寫它的寄存器便可實現(xiàn)信號頻率的調(diào)節(jié), 同時產(chǎn)生的信號頻率分辨率高,一般可以達(dá)到0. 01 Hz 級別, 信號頻率的跨度大, 可以實現(xiàn)從幾Hz 到幾百M(fèi)Hz 的連續(xù)信號, 非常適合做掃頻發(fā)生器。這里采用了AD9854 這款DDS 芯片, 它在300 MHz 時鐘驅(qū)動下, 按照乃奎斯特采樣定律可以產(chǎn)生最高150 MHz 的信號,為了得到信號較好的頻率則一般只得到最高100 MHz 的信號。若要得到高于100 MHz 的信號, 則可采用其高次諧波得到?;贏D9854 的信號發(fā)生電路如圖4 所示。限于篇幅,僅畫出了關(guān)鍵的輸出部分和電流設(shè)置部分。AD9854 內(nèi)置4~ 12 倍頻的時鐘倍頻器, 因此可以外加1 個較低頻率的時鐘,通過倍頻器倍頻至300 MHz, 這樣可以極大的降低高速片外時鐘對系統(tǒng)造成的電磁兼容性問題。AD9854 內(nèi)部有1個頻率控制字寄存器,通過寫該寄存器的值便可以改變輸出信號的頻率, 非常適合數(shù)字控制。同時由于時鐘采用的時晶體振蕩器,因此輸出頻率的穩(wěn)定度和分辨率都非常高, 一般為10- 6數(shù)量級。


圖4   AD9854 信號發(fā)生電路

3   諧振點(diǎn)檢測電路

諧振點(diǎn)檢測電路主要由檢波器和AD 轉(zhuǎn)換器組成, 其中常用的檢波器有峰值檢波器、有效值檢波器和對數(shù)檢波器。由于這里的檢波只是為了檢測出諧振點(diǎn), 因此對檢波器的種類沒有特殊要求, 這里采用AD8307 這款寬帶對數(shù)檢波器。A D8307 可以實現(xiàn)DC 500 MH z 頻率范圍內(nèi)的對數(shù)檢波器, 其輸出為直流電壓, 輸出與輸入功率( 以dBm為單位) 呈線性關(guān)系。

由于該檢測電路只是檢測出諧振點(diǎn),即圖2 中的最低點(diǎn), 只是一個比較關(guān)系, 并未對檢測到的最低點(diǎn)的電平精度有很高要求, 因此對采樣電路的精度要求不高,又因為對數(shù)檢波器的輸出是直流信號, 所以常見的大多數(shù)低速AD 轉(zhuǎn)換器都可以滿足要求。這里采用串行8 位的AD 轉(zhuǎn)換器TLC549。TL549 采用三線制串行控制方法, 很方便與單片機(jī)控制器接口。該檢測電路的原理圖如圖5 所示。


圖5  諧振點(diǎn)檢測電路

4   主要軟件流程設(shè)計

單片機(jī)采用Atmeg16, 分別控制DDS 和AD 轉(zhuǎn)換器,同時負(fù)責(zé)對計算結(jié)果進(jìn)行分析。單片機(jī)每次控制DDS輸出1 個信號,同時采集這個信號經(jīng)過待測電路后的響應(yīng)結(jié)果,這樣的動作每重復(fù)3 次就進(jìn)行一次比較,因為諧振點(diǎn)的電平是最低的,因此如果采集的3 次數(shù)據(jù)中的中間一次數(shù)值最小,則該數(shù)值就是諧振點(diǎn)處的電平值,記下此時的頻率f , 利用式(1) 可知:

從而由式(2) 求出L 值。主要程序的流程圖如圖6所示。


圖6 主要程序流程

5   實驗數(shù)據(jù)分析

采用網(wǎng)絡(luò)分析儀來檢驗所設(shè)計的測試儀的測試結(jié)果。

使用網(wǎng)絡(luò)分析儀測量寄生電感的方法為: 測量待測電容并聯(lián)情況下的正向傳輸曲線, 得到如圖1 所示的曲線, 讀出陷波點(diǎn)頻率, 并根據(jù)式(1) 計算出寄生電感值。表1 顯示了使用文中描述的測試儀測量的3 種數(shù)量級的電容器寄生電感的結(jié)果與采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測量結(jié)果的對比情況, 表1中所示結(jié)果為多次測量取平均值之后的最終結(jié)果。


表1  寄生測試結(jié)果

由表1 可見, 對于這3 種數(shù)量級的電容, 其測試結(jié)果誤差均在9%以內(nèi), 基本可以滿足大多數(shù)場合的應(yīng)用要求。

由表1 還可看出測量誤差會隨電容值的減小而增大, 這種現(xiàn)象是由于掃頻信號的分辨率低造成的, 提高掃頻信號的分辨率可以進(jìn)一步降低該誤差。另外, 該儀器對于小于100 pF 的電容無法測量其寄生電感, 因為所需的激勵信號頻率已經(jīng)超出A D9854 的工作范圍, 采用更高頻率的DDS可以消除這個問題。

6   結(jié)論

上述方案實現(xiàn)了電容自身寄生電感的測量, 由于采用的DDS 信號發(fā)生技術(shù), 因此頻率分辨率極高, 這就大大提高了電感的測量精度, 該方法對于nH 級的電感都能準(zhǔn)確的測量, 彌補(bǔ)了大多數(shù)LCR 電橋無法精確測量微小電感的缺點(diǎn)。該方法若結(jié)合LCR 電橋一起使用, 基本可以滿足大多數(shù)情況下的電感測量要求。

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