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[導讀]最近出現(xiàn)了一種有可能利用CMOS工藝制造PA的新技術,這樣,PA就可以被放在一個簡單塑料封裝內(nèi)。

每年生產(chǎn)10多億部手機的手機市場已成為半導體產(chǎn)業(yè)中競爭最激烈的領域。一直有這種說法:諸如砷化鎵(GaAs)、橫向擴散MOS(LDMOS)或硅鍺(SiGe)雙極CMOS(BiCMOS)等特殊工藝以不太精尖的幾何精度就可提供制造商和設計師所需的短期成本優(yōu)勢和線性調(diào)制。但CMOS固有的規(guī)模經(jīng)濟驅(qū)使業(yè)界一直對其進行大量投入,因此其規(guī)模也一直且將繼續(xù)領先于其他的工藝產(chǎn)品。

例如早先由英飛凌、恩智浦和Skyworks等供應商用專門的BiCMOS工藝制造的收發(fā)器模塊,這些模塊改用CMOS實現(xiàn)已有很長時間了,而且在某些場合它還被整合進系統(tǒng)級芯片中的手機主處理器內(nèi)。設計師一再發(fā)現(xiàn),盡管采用要求苛刻的工藝可能會帶來電路模塊方面的挑戰(zhàn),但從長期觀點看,用標準CMOS實現(xiàn)模擬模塊會得到回報。但CMOS工藝一直沒能成功進入功放(PA)模塊領域,而功放是手機內(nèi)的一個關鍵部件。

直到現(xiàn)在,PA的研制都是采用專門的GaAs或LDMOS工藝配以混合模塊封裝技術實現(xiàn)的,整體上它是一種代價高昂的制造流程,從而使PA占據(jù)著手機成本中的一大塊。功放要求所采用的特殊半導體工藝能夠提供高擊穿電壓、高增益和高頻晶體管元件?;旌戏庋b技術提供了高Q無源器件以生成50Ω的匹配電路。采用標準CMOS實現(xiàn)PA,意味著設計師必須面對沒有增強型晶體管和高Q無源器件的局面,從而使全集成PA的開發(fā)變得極富挑戰(zhàn)性。

最近出現(xiàn)了一種有可能利用CMOS工藝制造PA的新技術,這樣,PA就可以被放在一個簡單塑料封裝內(nèi)。分布式有源變壓器(DAT)技術如其所稱,其幾何結構支持使用Q值相對低的半導體金屬來提供基于變壓器的匹配電路,從而省去了模塊封裝。將PA內(nèi)核分配到幾個塊中,再利用變壓器結構方式整合電源以及其他多項專利技術,就可以省卻高擊穿電壓晶體管。

圖1:基于DAT的CMOS功放技術被應用于獨立型GPRS手機中。
圖1:基于DAT的CMOS功放技術被應用于獨立型GPRS手機中。

DAT技術的發(fā)明是建立在加州理工學院的研究成果基礎上的。Axiom Microdevices公司對這項技術又進行了改進,實現(xiàn)了DAT PA的商用化生產(chǎn),并對通用分組無線服務(GPRS)PA器件的產(chǎn)品化進行了完善,解決了諸如接收帶噪聲和需要在高壓電池組下工作等具體應用問題。

與GaAs等產(chǎn)品不同,由于功率內(nèi)核采用CMOS實現(xiàn),所以偏置和調(diào)整GPRS類型PA功率所需的小信號控制電路可與主功率級電路集成在同一裸片內(nèi),從而進一步降低了成本。PA內(nèi)核的集成還為支持線性調(diào)制方案提供了更大靈活性。傳統(tǒng)上,設計師一直采用如下兩種方法之一 :一個是采用線性調(diào)制器和PA的“強制法”;另一個是更先進的“包絡重構”法,此時非線性、高效的PA成為極化調(diào)制器的內(nèi)核。

對后一種方法而言,采用傳統(tǒng)的PA建構技術將帶來嚴峻的挑戰(zhàn)。例如,用特殊工藝實現(xiàn)的PA內(nèi)核對溫度和工藝變化的響應與線性化電路是不同的。這種情況通常會導致極不合理的要求,即最終用戶或手機廠商必須增加工廠校準時間來進行補償,從而增加成本。相反,如果將PA內(nèi)核與其控制器集成在同一裸片上,則會為監(jiān)控或控制激勵提供多點接入。這樣,當設計師開發(fā)最佳性能和成本結構的發(fā)送架構時,就會有更多選擇。

下一步可預期的發(fā)展是將PA與手機內(nèi)的其他組件進一步整合,比如上述已經(jīng)采用CMOS工藝實現(xiàn)的基帶和收發(fā)器模塊。從大量出貨的Axiom公司AX502器件可以看出,基于DAT的CMOS功放技術用在單獨的GPRS產(chǎn)品內(nèi)是可行的。它還具有進一步整合的可能,從而幫助業(yè)界繼續(xù)滿足制造商和設計師對體積更小更具成本效益的芯片組的需求,并提供更多功能。

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