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[導(dǎo)讀]引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性,在系統(tǒng)電源關(guān)閉的情況下依然可保留數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展,F(xiàn)lash因其在性能和成本方面的優(yōu)勢逐漸成為系統(tǒng)存儲的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上,NOR Flash和NAND

引言

Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性,在系統(tǒng)電源關(guān)閉的情況下依然可保留數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展,F(xiàn)lash因其在性能和成本方面的優(yōu)勢逐漸成為系統(tǒng)存儲的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上,NOR Flash和NAND Flash是兩種主要的Flash存儲器。因NORFlash能在芯片內(nèi)執(zhí)行程序,一般在非大容量存儲設(shè)備中采用NOR Flash作為程序存儲器和非易失性數(shù)據(jù)存儲器,本文以NOR Flash存儲器為例,闡述一種支持多Flash的自適應(yīng)驅(qū)動設(shè)計方法。

產(chǎn)品在批量生產(chǎn)時,同一款產(chǎn)品在不同的生產(chǎn)階段常常會因價格或者貨源等原因而采用不同型號、硬件接口兼容的Flash存儲器,不同的Flash存儲器對應(yīng)不同的驅(qū)動程序。這樣,產(chǎn)品因采用了不同廠商、不同容量、不同型號的Flash存儲器,導(dǎo)致在一種器件上開發(fā)的驅(qū)動軟件無法兼容另外一種器件,而需要對軟件版本做一些額外的管理工作。當(dāng)前所采用的方法是當(dāng)產(chǎn)品選用不同類型的Flash存儲器后,就添加一個軟件版本,由生產(chǎn)線工人針對不同的Flash存儲器來選擇不同的Bin燒寫文件和不同的軟件版本,這樣不僅生產(chǎn)效率低,而且容易出錯。本文

提出一種Flash的驅(qū)動自適應(yīng)的實現(xiàn)方法,對傳統(tǒng)軟件設(shè)計方法進行改進,實現(xiàn)同一驅(qū)動軟件同時支持多Flash存儲器,提高了生產(chǎn)效率。

1 傳統(tǒng)Flash存儲器驅(qū)動設(shè)計

1.1 傳統(tǒng)Flash存儲器的驅(qū)動模型

NOR Flash的讀取如同RAM和EEPROM一樣不需要特殊的指令,但對Flash的寫入、復(fù)位、讀取ID等操作則需要特殊的編程指令序列。通常不直接寫入Flash的主要原因是為了防止加電/掉電時產(chǎn)生的脈沖破壞Flash的原始數(shù)據(jù)。Flash支持的命令集也因器件系列和廠商的不同而不同,因此需要根據(jù)Flash支持的指令集編寫驅(qū)動程序。

傳統(tǒng)的Flash存儲器驅(qū)動模型如圖1所示。驅(qū)動層與Flash指令集相關(guān),提供基本的操作函數(shù)給適配層調(diào)用,不同廠商的Flash指令集不同,對應(yīng)的驅(qū)動層代碼不同。適配層將Flash操作函數(shù)進行一系列包裝以實現(xiàn)某一功能,它為應(yīng)用層提供標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用接口,適配層代碼在移植過程中一般不需要修改。應(yīng)用層函數(shù)調(diào)用適配層函數(shù)以實現(xiàn)某一具體功能。

1.2 Flash常用接口

Flash作為系統(tǒng)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器,ARM處理器對Flash的操作有以下幾種:

◆初始化配置

◆讀數(shù)據(jù)

◆寫數(shù)據(jù)

◆擦除

◆擦除狀態(tài)查詢

◆暫停擦除

◆恢復(fù)擦除

1.3 Flash的兼容性設(shè)計

傳統(tǒng)Flash模型只針對一種特定指令集的Flash芯片,如配置模塊是針對Flash_A的時序和指令集來編寫的,其對應(yīng)的軟件為Software_ A,沒有考慮其兼容性。但在產(chǎn)品的后續(xù)生產(chǎn)過程中,當(dāng)需要將Flash_A更換為接口兼容的Flash_B時,需要為其重新編寫配置接口模塊,對應(yīng)的軟件為Software_B。Software_A支持Flash_A,Software_B支持Flash_B,由此就帶來一個軟件版本的管理問題。

為了便于產(chǎn)品的升級,產(chǎn)品在軟硬件設(shè)計過程中往往要考慮其兼容性,硬件的兼容相對軟件與軟件的兼容要容易得多。如圖2所示,NOR Flash的引腳主要有:8/16位的數(shù)據(jù)總線,地址總線(與Flash大小相關(guān)),控制引腳(OE#、CE#、AVD#、WE#、WP#)。同一系列Flash芯片的電氣特性基本兼容,包括其引腳連接、封裝方式、直流和交流特性等,如Toshiba公司的ty5701111183kc04和Spansion公司的S29NS128N、S29N 128N的引腳基本兼容。

硬件的兼容由芯片廠商來完成,而軟件的兼容則需要改善Flash驅(qū)動模型來實現(xiàn)。NOR Flash的生產(chǎn)廠商很多,F(xiàn)lash支持的指令集也岡器件系列和生產(chǎn)廠商的不同而不同。

針對以上問題,本文提出一種Flash存儲器自適應(yīng)的設(shè)計方法,在傳統(tǒng)Flash驅(qū)動模型中添加自適應(yīng)層,同時在硬件驅(qū)動層中添加多種Flash的接口函數(shù)。系統(tǒng)在自適應(yīng)層中自動搜索相應(yīng)Flash的函數(shù)接口,從而實現(xiàn)Software_AB同時支持Flash_A和Flash_B。自適應(yīng)方法與傳統(tǒng)方法的比較如圖3所示。

2 Flash自適應(yīng)方法設(shè)計

傳統(tǒng)的Flash驅(qū)動Software_A中只為Flash_A提供了驅(qū)動接口函數(shù)。自適應(yīng)Flash驅(qū)動Software_AB在硬件接口層中同時為Flash_A和Fla sh_B各提供一套驅(qū)動接口函數(shù),系統(tǒng)通過讀取Flash存儲器的ID號來識別當(dāng)前Flash,從而選擇適合當(dāng)前Flash存儲器的接口函數(shù)。以此類推,如果Software_ABC中添加了Flash_C的接口操作函數(shù),則Software_ABC也添加對Flash_C的支持,實現(xiàn)3種Flash存儲器的自適應(yīng)。

2.1 Flash自適應(yīng)方法模型及實現(xiàn)

自適應(yīng)模型與傳統(tǒng)模型的比較如圖4所示。自適應(yīng)驅(qū)動方法在傳統(tǒng)驅(qū)動方法的基礎(chǔ)上添加了自適應(yīng)層,硬件驅(qū)動層里有多款Flash的接口操作函數(shù)。

一個驅(qū)動程序中存在多種Flash的接口函數(shù),系統(tǒng)在自適應(yīng)層中分三步來尋找對應(yīng)Flash的接口函數(shù)。如圖5所示,自適應(yīng)層實現(xiàn)方法如下:

①讀取Flash設(shè)備ID;

②fLash_nor_probe(),系統(tǒng)根據(jù)讀取到的ID,遍歷指針數(shù)組*(spansion[]),尋找當(dāng)前Flash的驅(qū)動信息,并將之存儲在全局變量中;

③根據(jù)相應(yīng)的全局變量,自動尋找相應(yīng)的驅(qū)動函數(shù)。

2.2 Flash接口函數(shù)的實現(xiàn)

本文以Toshiba公司ty5701111183kc04的Flash ID讀取為例,介紹NOR Flash驅(qū)動函數(shù)的實現(xiàn)方法。

Flash ID讀取流程:

①發(fā)送復(fù)位指令0xf0令Flash復(fù)位;

②給Flash發(fā)送讀取ID的命令序列;

③讀取Flash ID存儲到全局變量中。

Flash ID讀取流程如圖6所示。

2.3 自適應(yīng)驅(qū)動的結(jié)構(gòu)設(shè)計

指針數(shù)組*(spansion_part[])的每個成員都是一種Flash的接口函數(shù)指針,系統(tǒng)每添加一種Flash的驅(qū)動接口,需要在spansion_part中添加一個成員變量,數(shù)據(jù)有多少個成員變量,就代表系統(tǒng)支持多少種Flash。本系統(tǒng)現(xiàn)已支持6種Flash,*(spansion_part[])數(shù)組有6個成員變量和1個NULL(結(jié)束標(biāo)志)。

fsi_nor_device結(jié)構(gòu)體定義如圖7所示。flash_name[32]用來存儲當(dāng)前Flash的名字;id[4]存儲Flash唯一的ID號,在Flash的識別階段,系統(tǒng)通過比較ID號來識別當(dāng)前系統(tǒng)所采用的Flash,從而選擇對應(yīng)的接口函數(shù);geometry存儲的是Flash的一些物理參數(shù)信息,其成員變量family type標(biāo)記當(dāng)前Flash屬于哪一個系列,device_size存儲Flash容量大小,X_iface存儲Flash的位寬(16位/8位),write_buf_size存儲Flash的緩沖區(qū)大小,blk_regions記錄的是Flash的硬件結(jié)構(gòu)方面的信息,給文件系統(tǒng)提供參數(shù)。ops是一個指向結(jié)構(gòu)體的指針,ops所指向的結(jié)構(gòu)體各個成員變量都是當(dāng)前Flash的操作函數(shù),Ops->read()函數(shù)實現(xiàn)Flash的讀操作,ops->write()函數(shù)實現(xiàn)對Flash的寫操作。

本系統(tǒng)采用結(jié)構(gòu)化的編程思想,在自適應(yīng)層中構(gòu)造了一組數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),為適配層提供統(tǒng)一的接口函數(shù),使各種Flash驅(qū)動接口相互獨立。每個Flash的接口函數(shù)都是*(spansion_part[])的一個成員變量,只需要在*(spansion_part[])添加一個成員變量即可多支持一款Flash存儲器。

自適應(yīng)驅(qū)動的結(jié)構(gòu)如圖8所示。如果自適應(yīng)層讀取的ID等于spansion_part[O]->geometry.id,則確認(rèn) 當(dāng) 前 Flash 為ty5701111183kc 04,spansion_parts[0]->ops->config()為當(dāng)前Flash的配置函數(shù)ty5701111183kc04_configure;依次類推spansion_parts[0]->ops->read()為當(dāng)前Flash的寫函數(shù),spansion_part[0]->geometry.device_size是Flash的容量大小。

2.4 Flash自適應(yīng)識別過程

flash_nor_probe()函數(shù)遍歷數(shù)組指針*(spansion_parts[])尋找符合當(dāng)前Flash的驅(qū)動函數(shù)。如圖9所示,自適應(yīng)識別過程如下:

①flash_nor_drive指向*(spansion_parts[])的第一個元素;

②將當(dāng)前Flash ID flash_id_dest[4]與spansion_parts[i]->id[4]相比較;

③如果ID匹配,對應(yīng)的spansion_partsEi]->ops是當(dāng)前Flash的函數(shù),spansion_parts[i]->ops->write()是當(dāng)前Flash的寫操作函數(shù);

④如果ID不相同,fsi_nor_drive指向*(spansion_parts[])的下一個元素,重復(fù)步驟③,如果遍歷*(spansion_parts[])還未找到ID號等于flash_id_dest[4]的元素,則表示當(dāng)前軟件版本不支持這款Flash,對應(yīng)的驅(qū)動不存在,系統(tǒng)報錯。

結(jié)語

本文主要對NOR Flash存儲器驅(qū)動的自適應(yīng)進行了重點設(shè)計,為上層文件系統(tǒng)提供了統(tǒng)一的接口去調(diào)用Flash存儲器功能函數(shù)。對于特定Flash功能函數(shù)的實現(xiàn)并未詳細(xì)講解,整個方案在S3C2440 ARM9平臺上對Spansion Flash(S29NS064N、S29NS128N、S29N128N)和Toshiba公司Flash ty5701111183kc04四款Flash的自適應(yīng)進行了驗證,后期還可以添加其他Flash的驅(qū)動函數(shù),以再實現(xiàn)對其他Flash的自適應(yīng)的支持。本方案可以進一步擴展,在ARM9平臺上用軟件的方式實現(xiàn)系統(tǒng)對NAND Flash、LCD和其他外圍IC的自適應(yīng)。

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