可設(shè)定10~100秒的長(zhǎng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路
[導(dǎo)讀]電路的功能若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
電路的功能
若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻值電阻，使定時(shí)間達(dá)到10~100秒。
電路工作原理
本電路工作過(guò)程與555定時(shí)器基本相同，但它的工作電流很小，為了用微分脈沖觸沖，采用了C耦合，只要引腳2的電壓低于VOO/3，觸發(fā)器就能被觸發(fā)。
定時(shí)時(shí)間由電容器C3和R4+VR1的合成電阻來(lái)確定，即T=C3（R4+VR1）。C-MOS定時(shí)器芯片允許采用大定時(shí)電阻，但是如果C3的絕緣電阻較小，有可能達(dá)不到（2/3）VDD的門限電壓，所以不要使用鋁電解電容，應(yīng)采用低漏型鉭電容。VR1可用1M或更高，但獲得高阻值可變電阻比較困難。
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