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[導讀]0 引言 信息技術(shù)的發(fā)展,特別是各種數(shù)字處理器件處理速度的提高,實時處理大量的數(shù)據(jù)已經(jīng)成為現(xiàn)實。但是,在一些惡劣環(huán)境和數(shù)據(jù)無法進行實時傳輸?shù)那闆r下,還必須用到存儲測試的方法。存儲測試是指在對被測對象

0 引言
    信息技術(shù)的發(fā)展,特別是各種數(shù)字處理器件處理速度的提高,實時處理大量的數(shù)據(jù)已經(jīng)成為現(xiàn)實。但是,在一些惡劣環(huán)境和數(shù)據(jù)無法進行實時傳輸?shù)那闆r下,還必須用到存儲測試的方法。存儲測試是指在對被測對象無影響或影響在允許的范圍條件下,在被測體內(nèi)置入微型存儲測試系統(tǒng),現(xiàn)場實時完成信息快速采集與存儲,事后對存儲器進行回收,由計算機處理和再現(xiàn)被測信息的一種動態(tài)測試技術(shù)。針對具體的情況,我們研制開發(fā)了一種用蓄電池就可工作的、能在各種惡劣環(huán)境下應用的、可回收的小體積低功耗的大容量數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)。


1 系統(tǒng)總體設(shè)計
    整個系統(tǒng)以FPGA為核心控制器來組織工作,它控制著整個系統(tǒng)的讀、寫、擦除等操作。系統(tǒng)主要解決的問題是采集、存儲和數(shù)據(jù)事后讀取。系統(tǒng)整體框圖如下圖1所示。

1.1 數(shù)據(jù)采集
    由于要同時對多路信號進行采集,我們采取了FPGA對模擬開關(guān)進行均等時間推進以實現(xiàn)通道的轉(zhuǎn)換。當轉(zhuǎn)換到某一通道時,F(xiàn)PGA同時要啟動A/D進行模數(shù)轉(zhuǎn)換。為了達到高精度采集的目的,采用16位的AD轉(zhuǎn)換器AD762l,模擬開關(guān)選用ADG706。以下是AD轉(zhuǎn)換器的硬件電路連接圖2。

1.2 AD采集時序
    AD采集時序圖如下圖3所示。AD采集過程從/CNVST信號下降沿開始,BUSY信號下降沿完成,BYTE信號控制數(shù)據(jù)類型,低電平為低8位數(shù)據(jù),高電平為高8位數(shù)據(jù)。延遲0.9us給出第一個WRFIFO信號,WRFIF0高電平有效,在此期間數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)為低8位數(shù)據(jù),經(jīng)過1.8us的低電平后,給出第二個WRCLK信號,此時數(shù)據(jù)為高8位數(shù)據(jù),一個數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換完成。圖3 AD采集時序圖

1.3 數(shù)據(jù)存儲
    對數(shù)據(jù)的存儲,我們采用閃存(FLASH Memory)作為存儲器.它具有體積小、功耗低和數(shù)據(jù)不易丟失的特點。對FLASH的寫操作過程有其固定的操作模式,如圖3所示。由于FLASH是按頁存儲的,當一頁寫完之后要進行下一頁的控制字和地址的重新寫入,為了使采集回來的數(shù)據(jù)能及時準確的寫/kFLASH,而不至于在頁與頁的交替時間內(nèi)使數(shù)據(jù)丟失.所以不可能將采集回的數(shù)據(jù)直接存入FLASH,我們利用FPGA內(nèi)部集成FIF0來緩存FLASH MEMORY編程期間A/D控制器上傳的數(shù)據(jù),A/D轉(zhuǎn)換器總的采樣率為12KSPS,精度為12位,加上通道號和幀計數(shù),每秒鐘A/D控制器上傳到FIF0的數(shù)據(jù)為34KB。FLASH MEMORY最大編程時間為300us。在FLASH MEMORY編程期間A/D轉(zhuǎn)換器上傳到FIF0的數(shù)據(jù)為:34KB×300us=10.2B。因此FPGA內(nèi)部集成FIF0設(shè)計成寬度為一個字節(jié),深度為1024的異步FIFO,即總?cè)萘繛?KB,完全能夠緩存FLASH MEMORY編程期間A/D控制器上傳的數(shù)據(jù)。
    FPGA內(nèi)部集成FIFO是由存儲器、地址比較器、寫地址控制器和讀地址控制器構(gòu)成,原理框圖如4所示。

其中存儲器是由兩個寬度為4位、深度為1024的雙口RAM采用并聯(lián)的方式構(gòu)成的。連接方法如圖5所示。


通過DIA端口將數(shù)據(jù)寫入雙口RAM,通過DOB端口將數(shù)據(jù)讀出,WEA和JENA接VCC,即接高電平,使雙口RAM的A部分工作在寫入狀態(tài),在CLKA的上升沿通過DIA將數(shù)據(jù)寫入雙口RAM;WEB接GND,即接低電平;ENB接VCC,即接高電平,使雙口RAM的B部分工作在輸出狀態(tài),在CLKB的上升沿通過DOB將數(shù)據(jù)輸出雙口RAM。
1.4 數(shù)據(jù)的分區(qū)存儲
    本系統(tǒng)采用一片F(xiàn)LASH存儲器,該芯片有128M Byte的容量,根據(jù)計算32M Byte的容量就可以把需要采集的數(shù)據(jù)全部記錄下來,所以把存儲器按其塊地址順序分為4個區(qū),每個區(qū)均為32M Byte。測試系統(tǒng)上電復位后首先進入的是自檢狀態(tài),每次順序檢測第1區(qū)中是否有數(shù)據(jù),如果沒有則把該次啟動的采集的數(shù)據(jù)順序?qū)懭氲趌區(qū)中,直到第1區(qū)存儲完成,則停止記錄并且系統(tǒng)斷電。斷電后再一次啟動采集也一樣首先檢測第一塊中是否有數(shù)據(jù),有數(shù)據(jù)則檢測下一塊是否有數(shù)據(jù),若沒有數(shù)據(jù),則順序把從FIFO中上傳的導彈飛行數(shù)據(jù)寫入存儲器,如果有數(shù)據(jù),則依次地址跳到下下一塊,采集滿則停止,依次類推,直到把4個區(qū)都寫入了數(shù)據(jù),則不論怎么啟動采集也不會把數(shù)據(jù)覆蓋再寫入,除非執(zhí)行擦除操作把存儲器中的數(shù)據(jù)清空。


 這種多次啟動系統(tǒng),存儲器分區(qū)記錄的技術(shù)使系統(tǒng)具有一定的冗余設(shè)計,雖然不能從根本上消除誤啟動而造成整個試驗的失敗,但是該技術(shù)在實際試驗中具有十分重大的意義。


2 系統(tǒng)的灌封技術(shù)
    采集存儲系統(tǒng)需工作在高溫高壓等惡劣環(huán)境下,因此最重要的是它的防護結(jié)構(gòu)的設(shè)計。在結(jié)構(gòu)設(shè)計上采用了抗高沖擊的結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù),主要包括:緩沖保護技術(shù)、灌封保護技術(shù),力求能夠最好的保護好存儲模塊。圖7是采集存儲器的可靠性結(jié)構(gòu)示意圖。圖7采集存儲器可靠性結(jié)構(gòu)示意圖

3 創(chuàng)新性說明
    本文介紹了一種基于FPGA的多路數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計方法及其可靠性結(jié)構(gòu)設(shè)計,該系統(tǒng)存儲容量大,體積小,可工作在高溫、高壓、強沖擊、強振動、高過載等惡劣環(huán)境下。采用了存儲器分區(qū)存儲技術(shù),可以避免誤操作將有用數(shù)據(jù)覆蓋。該系統(tǒng)已投入使用,性能優(yōu),值得推廣。

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