摘要：隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的日益加大以及存儲(chǔ)速度的加快，大容量的高速存儲(chǔ)變得越來(lái)越重要。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲(chǔ)又能滿足讀寫(xiě)速度快的要求，這樣使得對(duì)內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原理，內(nèi)存條電路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)，以及如何使用FPGA實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR內(nèi)存條的控制，最后給出控制的仿真波形。

1 內(nèi)存條的工作原理

DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDR SDKAM芯片互連組成，DDR SDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的縮寫(xiě)。DDR SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口，也就是在時(shí)鐘的正沿或負(fù)沿都需要對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。在本設(shè)計(jì)中采用的內(nèi)存是hynix公司的lGB的HYMD564M646CP6-J。內(nèi)存條的工作原理與單顆粒內(nèi)存芯片的工作原理一樣，主要的控制信號(hào)以及控制信號(hào)完成的主要功能如表1所示。

以上的控制信號(hào)及地址信號(hào)都是由差分時(shí)鐘信號(hào)中CK的正沿觸發(fā)。DDR SDRAM必須按照一定的工作模式來(lái)完成初始化，完成初始化后才能進(jìn)入到讀寫(xiě)過(guò)程。DDR SDRAM的控制流程如圖1所示。

初始化的過(guò)程為：(1)上電后，延時(shí)200us等待時(shí)鐘穩(wěn)定，然后將CKE拉高，執(zhí)行一次NOP或者DESELECT操作。(2)執(zhí)行一次precharge all操作。(3)設(shè)置擴(kuò)展模式寄存器(BAl為低電平BA0為高電平)使能DLL。(4)設(shè)置模式寄存器(BAl，BA0均為低電平)復(fù)位DLL。(5)執(zhí)行一次pre-charge all指令。(6)再經(jīng)過(guò)2個(gè)自刷新(Auto refresh)指令后再次設(shè)置模式寄存器設(shè)置操作模式。(7)延時(shí)200個(gè)周期才能進(jìn)行讀操作。DDR SDRAM的擴(kuò)展模式寄存器和模式寄存器的定義如圖2和圖3所示。

完成初始化后進(jìn)入圖1中的IDEL狀態(tài)，此時(shí)可以進(jìn)行讀寫(xiě)操作。在進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，首先要進(jìn)入Row active狀態(tài)，此時(shí)選中要操作的bank與row。然后執(zhí)行NOP操作等待tRCD的時(shí)間后可以進(jìn)入寫(xiě)狀態(tài)。

2 內(nèi)存條電路設(shè)計(jì)

由于DDR SDRAM采用的時(shí)鐘頻率較高，加上DDRSDRAM的數(shù)據(jù)率為時(shí)鐘速率的兩倍，DDR SDRAM對(duì)時(shí)鐘質(zhì)量的要求很高，必須保證時(shí)鐘上升沿的時(shí)間小于5％的時(shí)鐘周期。DDR SDRAM的數(shù)據(jù)線與相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)采樣信號(hào)(DQS)的長(zhǎng)度要盡量相等，來(lái)保證數(shù)據(jù)的采樣窗口盡量要大一些。由于信號(hào)質(zhì)量要求高，我們將所有的信號(hào)線都采用微電線和帶狀線來(lái)傳輸。使用FPGA和內(nèi)存條的IBIS模型進(jìn)行仿真來(lái)保證設(shè)計(jì)中信號(hào)的完整性，我們將信號(hào)分為3類，第一類，由FPGA到DDR SDRAM的時(shí)鐘差分信號(hào)；第二類，由FPGA到DDR SDRAM的控制線；第三類，F(xiàn)PGA與DDR SDRAM之間的雙向傳輸線。對(duì)三類IBIS模型的herperlinx仿真如圖4：

通過(guò)仿真我們可以確定3類信號(hào)線中帶狀線和微帶線板厚，銅厚，以及信號(hào)線的線寬，線長(zhǎng)等參數(shù)。

3 FPGA對(duì)DDR SDRAM的控制

本設(shè)計(jì)中使用的FPGA是ALTERA公司的cyclone II系列的EP2C20F484C6。對(duì)內(nèi)存條的工作模式設(shè)置為BL=4，CL=3，如圖7為FPGA對(duì)DDR SD-RAM的控制模塊框圖。

其中，Clkin為外部輸入的時(shí)鐘信號(hào)，為了使FPGA到DDR SDRAM的兩對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的質(zhì)量盡量好，使用FPGA內(nèi)部的兩個(gè)鎖相環(huán)輸出差分時(shí)鐘信號(hào)。為了保證鎖相環(huán)輸出的兩路差分信號(hào)相位一致，在設(shè)計(jì)PCB時(shí)我們使晶振輸出到FPGA兩個(gè)PLL輸入的布線距離相等，為了保證兩個(gè)鎖相環(huán)輸出信號(hào)到達(dá)DDR SDRAM接口時(shí)相位一致，由FPGA鎖相環(huán)輸出到DDR SDRAM的接口布線長(zhǎng)度相等。

控制模塊采用的工作模式是按照?qǐng)D2所示的狀態(tài)來(lái)跳轉(zhuǎn)，上電以后首先是對(duì)DDR SDRAM進(jìn)行初始化，初始化完成以后就可以進(jìn)出等待工作的狀態(tài)。此時(shí)刷新計(jì)數(shù)器開(kāi)始計(jì)數(shù)，等待7．8 us后給出刷新請(qǐng)求，在空閑狀態(tài)時(shí)(IDEL)刷新請(qǐng)求的優(yōu)先級(jí)最高，響應(yīng)刷新請(qǐng)求后執(zhí)行REFR-ESH指令同時(shí)復(fù)位刷新計(jì)數(shù)器。初始化后如果FIF00的讀空標(biāo)志為O說(shuō)明FIF00中有數(shù)據(jù)，此時(shí)可以進(jìn)入到寫(xiě)狀態(tài)。由于采用的是BL=4的工作狀態(tài)，寫(xiě)操作每次都寫(xiě)入4個(gè)64位的數(shù)。所以，我們將輸入的數(shù)據(jù)進(jìn)行并位成256位的數(shù)，每次寫(xiě)操作只需要從FIF00中讀出一個(gè)256位的數(shù)。假設(shè)我們采用1OOMHz的時(shí)鐘，每寫(xiě)4個(gè)64位的數(shù)大概需要10個(gè)時(shí)鐘周期。如果輸入的數(shù)據(jù)位寬為16位，那么由外部傳給FPGA的數(shù)據(jù)率要小于160 MHz。寫(xiě)操作完成的時(shí)候進(jìn)入空閑狀態(tài)，等待刷新標(biāo)志或者讀空標(biāo)志。讀的時(shí)候需要等待系統(tǒng)發(fā)出讀命令(read)，然后進(jìn)入讀狀態(tài)，讀出的數(shù)據(jù)由Ddrout[127：O]送到FIF01和FIF02中。通過(guò)控制FIF01和FIF02的寫(xiě)請(qǐng)求信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)將數(shù)據(jù)分別寫(xiě)入。讀的時(shí)候BL=4每次讀出4個(gè)64位數(shù)，執(zhí)行一次讀操作大約需要10個(gè)時(shí)鐘周期。如果輸出的數(shù)據(jù)位寬為16位，那么數(shù)據(jù)由FPGA向外傳輸?shù)乃俾室∮?60 MHzo控制模塊在讀寫(xiě)內(nèi)存條的時(shí)候控制數(shù)據(jù)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為時(shí)鐘速度的兩倍，數(shù)據(jù)模塊使用兩個(gè)時(shí)鐘一個(gè)是系統(tǒng)時(shí)鐘一個(gè)是2倍的系統(tǒng)時(shí)鐘。

因?yàn)镈DR SDRAM的控制相對(duì)復(fù)雜，我們可以使用內(nèi)存條的vefilog模型，通過(guò)對(duì)內(nèi)存條的vefilog仿真，我們可以知道自己程序的正確性，圖8為modelsim中的仿真波形。如果仿真過(guò)程正確，我就可以對(duì)程序進(jìn)行編譯，布局布線，然后下載到FPGA中，由于布局布線的延時(shí)，輸出的信號(hào)波形與仿真波形不一致，此時(shí)，可以通過(guò)調(diào)整FPGA內(nèi)部的鎖相環(huán)來(lái)調(diào)整時(shí)序，實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存條的控制。

4 結(jié)束語(yǔ)

通過(guò)介紹內(nèi)存條的工作原理，以及內(nèi)存條電路設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)的介紹，我們可以更合理的實(shí)現(xiàn)FPGA與內(nèi)存條的互連。最后，給出FPGA內(nèi)部對(duì)內(nèi)存條控制的方法，以及給出仿真波形，實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存條的控制。實(shí)現(xiàn)FPGA對(duì)DDRSDRAM內(nèi)存條的控制，可以實(shí)現(xiàn)大容量高速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，在工程中的得到廣泛的應(yīng)用。（山西電子技術(shù) 作者：李 旋，劉慶華，廖丁毅 桂林電子科技大學(xué)）

[1].DDRSDRAMdatasheethttp://www.dzsc.com/datasheet/DDRSDRAM_256478.html.
[2].PCBdatasheethttp://www.dzsc.com/datasheet/PCB_1201640.html.