當(dāng)今，在沒(méi)有透徹掌握芯片、封裝結(jié)構(gòu)及PCB的電源供電系統(tǒng)特性時(shí)，高速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是很難成功的。事實(shí)上，為了滿(mǎn)足更低的供電電壓、更快的信號(hào)翻轉(zhuǎn)速度、更高的集成度和許多越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性的要求，很多走在設(shè)計(jì)前沿的公司在產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程中為了確保電源和信號(hào)的完整性，對(duì)電源供電系統(tǒng)的分析投入了大量的資金，人力和物力。電源供電系統(tǒng)(PDS)的分析與設(shè)計(jì)在高速電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別是在計(jì)算機(jī)、半導(dǎo)體、通信、網(wǎng)絡(luò)和消費(fèi)產(chǎn)業(yè)中正變得越來(lái)越重要。隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)不可避免的進(jìn)一步等比縮小，集成電路的供電電壓將會(huì)持續(xù)降低。隨著越來(lái)越多的生產(chǎn)廠家從130nm技術(shù)轉(zhuǎn)向90nm技術(shù)，可以預(yù)見(jiàn)供電電壓會(huì)降到1.2V，甚至更低，而同時(shí)電流也會(huì)顯著地增加。從直流IR壓降到交流動(dòng)態(tài)電壓波動(dòng)控制來(lái)看，由于允許的噪聲范圍越來(lái)越小，這種發(fā)展趨勢(shì)給電源供電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)。PCB電源供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)概覽通常在交流分析中，電源地之間的輸入阻抗是用來(lái)衡量電源供電系統(tǒng)特性的一個(gè)重要的觀測(cè)量。對(duì)這個(gè)觀測(cè)量的確定在直流分析中則演變成為IR壓降的計(jì)算。無(wú)論在直流或交流的分析中，影響電源供電系統(tǒng)特性的因素有：PCB的分層、電源板層平面的形狀、元器件的布局、過(guò)孔和管腳的分布等等。圖1：PCB上一些常見(jiàn)的會(huì)增加電流路徑阻性的物理結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。電源地之間的輸入阻抗概念就可以應(yīng)用在對(duì)上述因素的仿真和分析中。比如，電源地輸入阻抗的一個(gè)非常廣泛的應(yīng)用是用來(lái)評(píng)估板上去耦電容的放置問(wèn)題。隨著一定數(shù)量的去耦電容被放置在板上，本身特有的諧振可以被抑制掉，從而減少噪聲的產(chǎn)生，還可以降低邊緣輻射以緩解電磁兼容問(wèn)題。為了提高電源供電系統(tǒng)的可靠性和降級(jí)系統(tǒng)的制造成本，系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師必須經(jīng)常考慮如何經(jīng)濟(jì)有效地選擇去耦電容的系統(tǒng)布局。高速電路系統(tǒng)中的電源供電系統(tǒng)通?？梢苑殖尚酒⒓呻娐贩庋b結(jié)構(gòu)和PCB三個(gè)物理子系統(tǒng)。芯片上的電源柵格由交替放置的幾層金屬層構(gòu)成，每層金屬由X或Y方向的金屬細(xì)條構(gòu)成電源或地柵格，過(guò)孔則將不同層的金屬細(xì)條連接起來(lái)。對(duì)于一些高性能的芯片，無(wú)論內(nèi)核或是IO的電源供電都集成了很多去耦單元。集成電路封裝結(jié)構(gòu)，如同一個(gè)縮小了的PCB，有幾層形狀復(fù)雜的電源或地平板。在封裝結(jié)構(gòu)的上表面，通常留有去耦電容的安裝位置。PCB則通常含有連續(xù)的面積較大的電源和地平板，以及一些大大小小的分立去耦電容元件，及電源整流模塊(VRM)。邦定線(xiàn)、C4凸點(diǎn)、焊球則把芯片、封裝和PCB連接在了一起。整個(gè)電源供電系統(tǒng)要保證給各個(gè)集成電路器件提供在正常范圍內(nèi)穩(wěn)定的電壓。然而，開(kāi)關(guān)電流和那些電源供電系統(tǒng)中寄生的高頻效應(yīng)總是會(huì)引入電壓噪聲。其電壓變化可以由下式計(jì)算得到：這里ΔV是在器件處觀測(cè)到的電壓波動(dòng)，ΔI是開(kāi)關(guān)電流。Z是在器件處觀測(cè)到的整個(gè)電源供電系統(tǒng)電源與地之間的輸入阻抗。為了減小電壓波動(dòng)，電源與地之間要保持低阻。在直流情況下，由于Z變成了純電阻，低阻就對(duì)應(yīng)了低的電源供電IR壓降。在交流情況下，低阻能使開(kāi)關(guān)電流產(chǎn)生的瞬態(tài)噪聲也變小。當(dāng)然，這就需要Z在很寬的頻帶上都要保持很小。圖2：Sigrity PowerDC計(jì)算得到電源板層上的電流分布。注意到電源和地通常用來(lái)作為信號(hào)回路和參考平面，因此電源供電系統(tǒng)與信號(hào)分布系統(tǒng)之間有著很緊密的關(guān)系。然而，由于篇幅的限制，同步開(kāi)關(guān)噪聲(IO SSO)引入的電源供電系統(tǒng)的噪聲現(xiàn)象和電流回路控制問(wèn)題將不在這里討論。以下幾節(jié)將忽略信號(hào)系統(tǒng)，而單純注重電源供電系統(tǒng)的分析。直流IR壓降由于芯片的電源柵格(Power Grid)的特征尺寸很小(幾微米甚至更小)，芯片內(nèi)的電阻損耗嚴(yán)重，因此芯片內(nèi)的IR壓降已經(jīng)被廣泛地研究。而在下面幾種情況下，PCB上的IR壓降(在幾十到幾百毫伏的范圍內(nèi))對(duì)高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)同樣會(huì)有較大的影響。電源板層上有Swiss-Chess結(jié)構(gòu)、Neck-Down結(jié)構(gòu)和動(dòng)態(tài)布線(xiàn)造成的板平面被分割等情況(圖1)；電源板層上電流通過(guò)的器件管腳、過(guò)孔、焊球、C4凸點(diǎn)的數(shù)量不夠，電源平板厚度不足，電流通路不均衡等；系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要低電壓、大電流，又有較緊的電壓浮動(dòng)的范圍。圖3：包括和不包括電源整流模塊的平板對(duì)輸入阻抗。例如，一個(gè)高密度和高管腳數(shù)的器件由于有大量的過(guò)孔和反焊盤(pán)，在芯片封裝結(jié)構(gòu)及PCB的電源分配層上往往會(huì)形成所謂的Swiss-Chess結(jié)構(gòu)效應(yīng)。Swiss-Chess結(jié) 構(gòu)會(huì)產(chǎn)生很多高阻性的微小金屬區(qū)域。根據(jù)，由于電源供電系統(tǒng)中有這樣的高阻電流通路，送到PCB上元器件的電壓或電流有可能會(huì)低于設(shè)計(jì)要求。因此一個(gè)好的直流IR壓降仿真模擬是估計(jì)電源供電系統(tǒng)允許壓降范圍的關(guān)鍵。通過(guò)各種各樣可能性的分析為布局布線(xiàn)前后提供設(shè)計(jì)方案或規(guī)則。布線(xiàn)工程師、系統(tǒng)工程師、信號(hào)完整性工程師和電源設(shè)計(jì)工程師還可以將IR壓降分析結(jié)合在約束管理器(constraint manager)中，作為對(duì)PCB上每一個(gè)電源和地網(wǎng)表進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則核查的最終檢驗(yàn)工具(DRC)。這種通過(guò)自動(dòng)化軟件分析的設(shè)計(jì)流程可以避免靠目測(cè)，甚至經(jīng)驗(yàn)所不能發(fā)現(xiàn)的復(fù)雜電源供電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上的布局布線(xiàn)問(wèn)題。圖2展示了IR壓降分析可以準(zhǔn)確地指出一高性能PCB上電源供電系統(tǒng)中關(guān)鍵電壓電流的分布。