在高速時鐘電路中，尤其要注意元件的RF去耦問題。究其原因，主要是因為元件會把一部分能量耦合到電源/地系統(tǒng)之中。這些能量以共?；虿钅F的形式傳播到其他部件中。陶瓷片電容需要比時鐘電路要求的自激頻率更大的頻率，這樣可選擇一個自激頻率在10～30 MHz，邊沿速率是2 ns或者更小的電容。同理可知，由于許多PCB的自激范圍是200～400 MHz，當把PCB結(jié)構(gòu)看做一個大電容時，可以選用適當?shù)娜ヱ铍娙荩鰪奅MI的抑制。表5－1和表5－2所示給出了電容選擇方面有用的數(shù)據(jù)。從這兩個表中，可以知道由于引線中不可避免存在較小電感，表面安裝元件具有更高的（大約兩個數(shù)量級）自激頻率。

鋁電解電容不適用于高頻去耦，主要用于電源或電力系統(tǒng)的濾波。

由實際經(jīng)驗可知，選擇不同去耦電容的依據(jù)，通常是根據(jù)時鐘或處理器的第一諧波來選擇。但是，町電流是由3次或5次諧波產(chǎn)生的，此時就應(yīng)該考慮這些諧波，采用較大的分立電容去耦。在達到200～300 MHz以上頻率的電流工作狀態(tài)后，0.1μF與0.01μF并聯(lián)的去耦電容由于感性太強，轉(zhuǎn)換速度緩慢，不能提供滿足需要的充電電流。

在PCB上放置元件時，必須提供對高頻RF的去耦。必須確保所選去耦電容能滿足可能的要求?？紤]自激頻率的時候需要考慮對重要諧波的抑制，一般考慮到時鐘的5次諧波。以上這些要點對高速時鐘電路尤為重要。

對去耦電容容抗的計算是選擇去耦電容的基礎(chǔ)，表示為

其中，Xc是容抗（Ω）；f是諧振頻率（Hz）；C為電容大小。

選擇去耦電容的關(guān)鍵是計算所用電容的容值大小，這里向大家介紹常在高速電路里使用的波形法。

如圖1所示，邏輯狀態(tài)由0轉(zhuǎn)換到1，實際的時鐘邊沿速率發(fā)生了變化。雖然切換位置仍然保持不變，但t₁、t₂，已改變，這是因為電容充、放電使信號邊沿變化變緩的原因。

圖1 時鐘信號的容性影響

利用表的公式可以計算圖1中的時鐘邊沿變化率。在設(shè)計時要注意的是，必須確保最慢的邊沿變化率不會影響其工作性能。

傅里葉分析可以從時域到頻域?qū)π盘栠M行分析。在射頻（RF）頻譜分布中，射頻能量隨頻率下降而減少，從而改善了電磁干擾（EMI）的性能。

表 電容方程

在計算去耦電容之前，需要先畫出戴維寧等效電路。總的阻抗值等于電路中兩個電阻的并聯(lián)。假定圖2所示的戴維寧等效電路中，Z_Ｓ＝150Ω，Z_L＝1.0 kΩ，那么

圖2 戴維寧等效電路

方法一：在已知時鐘信號的邊沿速率時，用式（5－9）來計算。

其中，當信號的邊沿速率t_r，單位為ns時，電容最大值C_max，單位為nF；當tr，單位為ps時，C_max，單位為pF；R₁為網(wǎng)絡(luò)的總電阻，單位為Ω。

由式（5－9）可知，必須選擇適當?shù)碾娙?，使當t_r＝3.3RC時滿足信號上升/下降沿的需要。選擇不當會引起基線漂移。這里的基線就是判斷邏輯1或0的穩(wěn)態(tài)電平。3.3是時間常數(shù)，其3倍等于一個上升時間。
例：（1）如果設(shè)計信號的邊沿速率為10 ns，電路等效阻抗為130Ω，計算最大電容值為

（2）某信號上、下沿均為8.33ns：頻率為80MHz；R為典型的TTL巴參數(shù)33Ω；則tr＝tf＝3.3 ns（為上、下沿的1/4）。計算最大電容值為

方法二：首先決定所要濾除的最高頻率，然后用式（5－10）獲得在最小信號畸變情況下的最大電容值。

例：在Rt＝130Ω的情況下，濾除一個50MHz的信號，在忽略源內(nèi)阻Zc時，求C_min。

在使用去耦旁路電容時，需要考慮以下幾點：

· 使電容的引線最短，線路電感最小。

· 選擇適合的額定電壓和介電常數(shù)的電容。

· 如果邊沿速率的畸變?nèi)菰S3倍于C的大小，應(yīng)使用大一級的電容標稱值。

· 電容安裝好后，必須檢查是否工作正常。

· 太大的電容會導(dǎo)致信號的過大畸變。

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