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[導(dǎo)讀]摘要:介紹了一種具有多路輸出的單端反激式開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)方法,給出了利用單片開(kāi)關(guān)電源集成芯片TOP243Y的電源設(shè)計(jì)實(shí)例,對(duì)外圍輸入EMI濾波電路、鉗位電路、高頻變壓器、輸出整流濾波電路等部分的設(shè)計(jì)過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)

摘要:介紹了一種具有多路輸出的單端反激式開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)方法,給出了利用單片開(kāi)關(guān)電源集成芯片TOP243Y的電源設(shè)計(jì)實(shí)例,對(duì)外圍輸入EMI濾波電路、鉗位電路、高頻變壓器、輸出整流濾波電路等部分的設(shè)計(jì)過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)的分析和說(shuō)明,并對(duì)設(shè)計(jì)樣機(jī)進(jìn)行組裝和調(diào)試。
關(guān)鍵詞:開(kāi)關(guān)電源;TOP243Y;高頻變壓器;鉗位電路;樣機(jī)調(diào)試

    基于某課題項(xiàng)目中的嵌入式設(shè)備的電源需求,根據(jù)實(shí)際需要收集設(shè)計(jì)電源的參數(shù)指標(biāo),分析并設(shè)計(jì)一款基于TOP243Y的單片反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),最終通過(guò)樣機(jī)的組裝和調(diào)試對(duì)設(shè)計(jì)結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。

1 電源技術(shù)指標(biāo)的收集
   
本設(shè)計(jì)是基于一款嵌入式ARM開(kāi)發(fā)板而設(shè)計(jì)的電源,根據(jù)具體設(shè)備電源的需求,收集以下指標(biāo):輸入電壓范圍:220±20%;輸出電壓和對(duì)應(yīng)的電流值:5 V/1A,12V/1A,-12V/1A,輸出紋波:<1%,工作溫度:-40~85℃,電壓調(diào)整率:±0.1%,負(fù)載調(diào)整率:≤±5%,損耗因數(shù):0.5。

2 EMI濾波器及輸入整流電路設(shè)計(jì)
   
在大多數(shù)場(chǎng)合EMI電源濾波器主要抑制共模干擾信號(hào)。本設(shè)計(jì)EMI濾波器中的CX、CIN1和LCM就是用來(lái)濾除共模干擾的。共模電感通常取5~33 mH,本設(shè)計(jì)取為6 mH。整流橋選用1N4001(1A/1 000 V),此管可對(duì)電流電壓留有一定的余量。
    CIN1的值可通過(guò)式(1)進(jìn)行計(jì)算:
   
    可得:CIN1≈3.16×10-5F,留有一定余量,本設(shè)計(jì)取CIN1為33 μF。CX為X電容,在使用開(kāi)關(guān)電源的PI電路中,其最佳電容量是0.1~0.33 μF,本設(shè)計(jì)取為0.1 μF。

3 高頻變壓器的設(shè)計(jì)
3.1 變壓器磁芯的選擇
   
在單片開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,通常選擇錳鋅鐵氧體材料的磁芯,磁芯截有效面積可用下面經(jīng)驗(yàn)公式(2)計(jì)算:
   
    其中Ae是磁芯有效面積,ηr是變壓器的轉(zhuǎn)換效率,通常取0.75~0.95之間數(shù),本設(shè)計(jì)取0.9。經(jīng)計(jì)算得到Ae≈0.85 cm2,然后查變壓器的磁芯對(duì)照表,最后選擇EE28磁芯。
3.2 計(jì)算脈沖信號(hào)量大占空比OMAX
    當(dāng)電網(wǎng)電壓在220±20%范圍內(nèi)變化時(shí),經(jīng)全波整流后的直流輸入電壓最小為Vin(min)為208.86V。根據(jù)公式(3)可得最大占空比為:
   
    其中VOR為反射電壓,是指當(dāng)功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷且次級(jí)電路處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),次級(jí)電壓感應(yīng)到初級(jí)端的電壓值。根據(jù)本設(shè)計(jì)要求計(jì)算時(shí)取VOR=110 V,VDS為主開(kāi)關(guān)導(dǎo)通對(duì)D、S間壓降,典型值為10 V。經(jīng)計(jì)算得到:DMAX≈0.36。
3.3 計(jì)算初級(jí)峰值電流
   
平均值電流如式(4)所示:
   
3. 4 計(jì)算變壓器原邊的電感量
   
    其中Z是損耗分配因子。一般取作0.5。經(jīng)計(jì)算可得:LP≈1 860.29μH
3.5 次級(jí)繞組匝數(shù)NS的計(jì)算
   
本文選用TOP243YN作為開(kāi)關(guān)電源的主芯片,對(duì)TOPSwitch器件來(lái)說(shuō):
    NS=0.6(VO+VD)       (7)
    式(7)中VO為輸出電壓,VD為輸出二極管正向壓降。本設(shè)計(jì)5 V輸出二極管采用超快恢復(fù)肖特基二極管,因此:NS≈3.4取整數(shù),次級(jí)繞組NS為4匝。
3.6 初級(jí)繞組匝數(shù)NP的計(jì)算
   
    取整數(shù),初級(jí)繞組NP為78匝。
3.7 偏置繞組匝數(shù)的計(jì)算
   
    其中VB是偏置電壓,這里取為12 V,VDB是偏置二極管正向電壓降,這里取為0.95 V。偏置繞組取整數(shù)則大約需要9匝。
3.8 其他2個(gè)次級(jí)繞組的匝數(shù)的計(jì)算
   
    ±12 V次級(jí)繞組的電壓:VS1=VO+VD+VL=12.9 V。故可得:n≈0.117 2,則兩個(gè)次級(jí)匝數(shù)計(jì)算為:NS1(2)≈9.05,取整數(shù)后,+12V次級(jí)繞組均取為9匝。
3.9 確定初級(jí)導(dǎo)線的內(nèi)徑
   
根據(jù)初級(jí)層數(shù)d、骨架寬度b和安全邊距M,利用式(11)計(jì)算有效骨架寬度bE:
    bE=d(b-2M)       (11)
    本設(shè)計(jì)中取d=3,b=9.6mm,M=0代入式(11):bE=28.8mm。
    利用式(12)計(jì)算導(dǎo)線的外徑:
   
    得到:DPM≈0.36mm,由AWG的導(dǎo)線規(guī)格表查得,與直徑0.36mm最接近線號(hào)是28AWG。
3.10 確定次級(jí)導(dǎo)線的內(nèi)徑
   
次級(jí)裸導(dǎo)線直徑可用式(13)表示:
   
    其中,根據(jù)文獻(xiàn)可得電流密度為式(14):
   
    代入電流密度和次級(jí)有效值電流的值,可得到次級(jí)導(dǎo)線線徑為:DSM≈0.98 mm。
    當(dāng)DSM>0.4mm時(shí),建議應(yīng)采用多股導(dǎo)線并繞NS匝,由AWG的導(dǎo)線規(guī)格表可得選用25AWG。與單股粗導(dǎo)線繞制方法相比,多股并繞能增大次級(jí)繞組的等效截面積,改善磁場(chǎng)耦合程度,減小漏感。
3.11 變壓器氣隙的計(jì)算
   
對(duì)于單端度激式變壓器的磁芯,為了避免磁芯飽和,減小變壓器的高頻磁芯損耗及發(fā)熱問(wèn)題,應(yīng)該在磁回路中加入一個(gè)適當(dāng)?shù)臍庀?sigma;。
   

4 無(wú)源RCD鉗位電路的參數(shù)設(shè)計(jì)
   
MOSFET管漏極增加鉗位保護(hù)電路,對(duì)尖峰電壓進(jìn)行鉗位或者吸收,防止開(kāi)關(guān)管損壞,如圖1所示。


4.1 確定鉗位電阻
   
漏源間電壓的經(jīng)驗(yàn)公式為:
   
    其中漏感取為62.4μH,取為27 kΩ。
4.2 確定鉗位電容CC
   
鉗位電容CC的值應(yīng)取得足夠大以保證其在吸收漏感能量時(shí)自身的脈動(dòng)電壓足夠小,可通過(guò)下式來(lái)確定最小值為:
   
4.3 確定鉗位二極管
   
鉗位電路中的二極管一般選擇快速恢復(fù)二極管,它的耐壓值應(yīng)大于最大直流輸入電壓。本設(shè)計(jì)選取快速恢復(fù)二極管FR106。

5 輸出整流濾波電路及后級(jí)濾波電路的設(shè)計(jì)
   
輸出整流濾波電路由整流二極管和濾波電容構(gòu)成。根據(jù)計(jì)算分析整流二極管可以選用的型號(hào)為SB150。另外兩路輸出及偏執(zhí)繞組的二極管分別為:12 V均選用肖特基整流SB180,偏置繞組選用超快恢復(fù)二極管MUR110。
    對(duì)輸出濾波電容的選擇來(lái)說(shuō),紋波電流和ESR(等效串聯(lián)阻抗)是它的2個(gè)重要參數(shù)。在保證控制環(huán)路的帶寬足夠的前提下,應(yīng)選擇耐壓值高和容值低的濾波電容。本電源的輸出濾波電容選擇為:5 V輸出選擇為680μF/35 V低ESR電容,12V選擇為330μF/35V低ESR電容。若濾波效果不理想,可以在下級(jí)再串聯(lián)一個(gè)L、C濾波環(huán)節(jié),這里叫做后級(jí)濾波環(huán)節(jié)。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),L取2.2~10 μH,電容推薦選擇120 μF/35V低ESR電容。

6 反饋環(huán)路的設(shè)計(jì)
   
開(kāi)關(guān)電源依靠反饋控制環(huán)路來(lái)保證在不同的負(fù)載情況下得到所需的電流電壓。本設(shè)計(jì)采用穩(wěn)壓器TL431與光耦PC817A組合的環(huán)路動(dòng)態(tài)電流控制補(bǔ)償電路。

7 樣機(jī)組裝與調(diào)試
   
本設(shè)計(jì)最終電氣原理圖如圖1所示。根據(jù)電氣原理圖進(jìn)行前期的軟件仿真分析驗(yàn)證,之后就要進(jìn)行設(shè)計(jì)樣機(jī)的組裝和調(diào)試。組裝電路時(shí)注意電路板的規(guī)捌和元器件的選取,安裝設(shè)計(jì)要求來(lái)布局布線,并盡量選取和計(jì)算結(jié)果貼近的元器件。最終對(duì)完成組裝的樣機(jī)進(jìn)行先期的調(diào)試驗(yàn)證及各個(gè)元器件的失效性分析,最終方可用于實(shí)際的使用。本開(kāi)關(guān)電源裝置是為課題組某嵌入式系統(tǒng)提供的穩(wěn)定的三路直輸出流電源。最終通過(guò)示波器驗(yàn)證輸出穩(wěn)定,可用于實(shí)際課題實(shí)驗(yàn)中。示波器驗(yàn)證輸出波形如圖2所示:其中波形圖上下分別代表5 V和12 V輸出,經(jīng)分析基本符合設(shè)計(jì)輸出和紋波等要求。



8 結(jié)束語(yǔ)
   
文中主要分析與設(shè)計(jì)了一款單端反激式開(kāi)關(guān)電源,重點(diǎn)其前級(jí)整流濾波、鉗位電路及高頻變壓器的設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)理論分析,最后對(duì)樣機(jī)進(jìn)行組裝和調(diào)試,希望通過(guò)本文對(duì)設(shè)計(jì)者有一定啟發(fā)和示范作用。

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