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[導(dǎo)讀](1)集成電路前工藝設(shè)備根據(jù)其工藝性質(zhì),主要有以下幾種。外延爐:用于外延材料生長。氧化擴散設(shè)備:用于制取氧化層和實現(xiàn)摻雜。制膜設(shè)備:主要有電子束蒸發(fā)臺、磁控濺射臺、等離子體增強化學(xué)汽相淀積(PECVD)設(shè)備。離

(1)集成電路前工藝設(shè)備根據(jù)其工藝性質(zhì),主要有以下幾種。

外延爐:用于外延材料生長。

氧化擴散設(shè)備:用于制取氧化層和實現(xiàn)摻雜。

制膜設(shè)備:主要有電子束蒸發(fā)臺、磁控濺射臺、等離子體增強化學(xué)汽相淀積(PECVD)設(shè)備。

離子注入機:用于高精度摻雜,根據(jù)注入能量、束流大小和硅片尺寸不同有多種規(guī)格。

腐蝕、刻蝕設(shè)備:主要AD7890BN-4有化學(xué)濕法腐蝕和等離子體化學(xué)干法刻蝕設(shè)備,干法刻蝕具有良好的選擇性和定向性。

光刻設(shè)備:有勻膠機、曝光機、顯影設(shè)備、堅膜烘焙機等設(shè)備。

純水制取設(shè)備:用于為工藝生產(chǎn)提供純凈無雜質(zhì)、無細菌的水。

環(huán)境控制設(shè)備:包括水、風(fēng)、電、氣、冷、濕、暖七大類型,主要是為集成電路生產(chǎn)提供潔凈的環(huán)境,必要的動力和恒定的溫度、濕度。

在線檢測儀器:主要用于檢驗、測控集成電路制造過程中的各種工藝參數(shù),主要有膜厚測量儀、結(jié)深測量儀、C-V特性測量儀、C-T特性測量儀、薄膜應(yīng)力測試儀、表面缺陷檢查儀、激光橢偏儀、線寬測量儀、電子顯微鏡、原子力顯微鏡等,還有各種放大倍率的光學(xué)顯微鏡、晶體管特性圖示儀等部分常規(guī)儀器。

(2)后工藝的主要設(shè)備有以下幾種。

裂片機:主要用于對加定完畢的硅片上的集成電路進行分割,壓焊機:包括有超聲、金球焊接設(shè)備,實現(xiàn)管芯內(nèi)部引線端與外管殼外引線的電氣連接。

封裝設(shè)備:按不同工藝,有儲能對象機、平行封焊機、玻璃熔封設(shè)備、塑封機以及激光電子束封貼機等。

老化篩選設(shè)備:有高/低溫箱,靜/動態(tài)老化臺,各種測試儀器、儀表、離心、振動等設(shè)備。

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