1)、采用大面積芯片封裝

用1×1mm2 的大尺寸芯片取代現(xiàn)有的0.3×0.3mm2 的小芯片封裝，在芯片注入電流密度不能大幅度提高的情況下，是一種主要的技術發(fā)展趨勢。

2)、芯片倒裝技術

解決電極擋光和藍寶石不良散熱問題，從藍寶石襯底面出光。在p電極上做上厚層的銀反射器，然后通過電極凸點與基座上的凸點鍵合。基座用散熱良好的Si材料制得，并在上面做好防靜電電路。根據美國Lumileds公司的結果，芯片倒裝約增加出光效率1.6倍。芯片散熱能力也得到大幅改善，采用倒裝技術后的大功率發(fā)光二極管的熱阻可低到12～15℃/W。

3)、金屬鍵合技術

這是一種廉價而有效的制作功率LED的方式。主要是采用金屬與金屬或者金屬與硅片的鍵合技術，采用導熱良好的硅片取代原有的GaAs或藍寶石襯底，金屬鍵合型LED具有較強的熱耗散能力。

4)、開發(fā)大功率紫外光LED

UV LED配上三色熒光粉提供了另一個方向，白光色溫穩(wěn)定性較好，使其在許多高品質需求的應用場合(如節(jié)能臺燈)中得到應用。這樣的技術雖然有種種的優(yōu)點，但仍有相當的技術難度，這些困難包括配合熒光粉紫外光波長的選擇、UV LED制作的難度及抗UV封裝材料的開發(fā)等等。

5)、開發(fā)新的熒光粉和涂敷工藝

熒光粉質量和涂敷工藝是確保白光LED質量的關鍵。熒光粉的技術發(fā)展趨勢是開發(fā)納米晶體熒光粉、表面包覆熒光粉技術，在涂布工藝方面發(fā)展熒光粉均勻的熒光板技術，將熒光粉與封裝材料混合技術。

6)、開發(fā)新的封裝材料

開發(fā)新的安裝在LED芯片的底板上的高導熱率的材料，從而使LED芯片的工作電流密度約提高5～10倍。就目前的趨勢看來，金屬基座材料的選擇主要是以高熱傳導系數的材料為組成，如鋁、銅甚至陶瓷材料等，但這些材料與芯片間的熱膨脹系數差異甚大，若將其直接接觸很可能因為在溫度升高時材料間產生的應力而造成可靠性的問題，所以一般都會在材料間加上兼具傳導系數及膨脹系數的中間材料作為間隔。

原來的LED有很多光線因折射而無法從LED芯片中照射到外部，而新開發(fā)的LED在芯片表面涂了一層折射率處于空氣和LED芯片之間的硅類透明樹脂，并且通過使透明樹脂表面帶有一定的角度，從而使得光線能夠高效照射出來，此舉可將發(fā)光效率大約提高到了原產品的2倍。

目前對于傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂其熱阻高，抗紫外老化性能差，研發(fā)高透過率，耐熱，高熱導率，耐UV和日光輻射及抗潮的封裝樹脂也是一個趨勢。

在焊料方面，要適應環(huán)保要求，開發(fā)無鉛低熔點焊料，而且進一步開發(fā)有更高導熱系數和對LED芯片應力小的焊料是另一個重要的課題。

7)、多芯片型RGB LED

將發(fā)出紅、藍、綠三種顏色的芯片，直接封裝在一起配成白光的方式，可制成白光發(fā)光二極管。其優(yōu)點是不需經過熒光粉的轉換，藉由三色晶粒直接配成白光，除了可避免因為熒光粉轉換的損失而得到較佳的發(fā)光效率外，更可以藉由分開控制三色發(fā)光二極管的光強度，達成全彩的變色效果(可變色溫)，并可藉由芯片波長及強度的選擇得到較佳的演色性。利用多芯片RGB LED封裝型式的發(fā)光二極管，很有機會成為取代目前使用CCFL的LCD背光模塊中背光源的主要光源之一。

8)、多芯片集成封裝

目前大尺寸芯片封裝還存在發(fā)光的均勻和散熱等問題亟待解決。采用常規(guī)芯片進行高密度組合封裝的功率型LED可以獲得較高發(fā)光通量，是一種切實可行很有推廣前景的功率型LED固體光源。小芯片工藝相對成熟，各種高熱導絕緣夾層的鋁基板便于芯片集成和散熱。

9)、平面模塊化封裝

平面模塊化封裝是另一個發(fā)展方向，這種封裝的好處是由模塊組成光源，其形狀，大小具有很大的靈活性，非常適合于室內光源設計，芯片之間的級聯(lián)和通斷保護是一個難點。大尺寸芯片集成是獲得更大功率LED的可行途徑，倒裝芯片結構的集成，優(yōu)點或許更多一些。

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