導讀: MOCVD技術(shù)在半導體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發(fā)展中的半導體超精細加工技術(shù)，MOCVD技術(shù)的進一步發(fā)展將會給微電子技術(shù)和光電子技術(shù)帶來更廣闊的前景。

一、引言

近年來，隨著半導體工業(yè)的發(fā)展以及高速光電信息時代的來臨，LPE、VPE等技術(shù)在半導體業(yè)生產(chǎn)中的作用越來越小;MBE與MOCVD技術(shù)相比，由于其設備復雜、價格更昂貴，生長速度慢，且不適pC-長含有高蒸汽壓元素(如P)的化合物單晶，不宜于工業(yè)生產(chǎn)。而金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD)，1968年由美國洛克威公司的Manasevit等人提出制備化臺物單晶薄膜的一項新技術(shù);到80年代初得以實用化。經(jīng)過近20年的飛速發(fā)展，成為目前半導體化臺物材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。廣泛應用于包括半導體器件、光學器件、氣敏元件、超導薄膜材料、鐵電/鐵磁薄膜、高介電材料等多種薄膜材料的制備。

二、MOCVD的主要技術(shù)特點

國內(nèi)外所制造的MOCVD設備，大多采用氣態(tài)源的輸送方式，進行薄膜的制備。氣態(tài)源MOCVD設備，將MO源以氣態(tài)的方式輸送到反應室，輸送管道里輸送的是氣體，對送入反應室的MO源流量也以控制氣體流量來進行控制。因此，它對MO源先體提出應具備蒸氣壓高、熱穩(wěn)定性佳的要求。用氣態(tài)源MOCVD法沉積一些功能金屬氧化物薄膜，要求所選用的金屬有機物應在高的蒸氣壓下具有高的分子穩(wěn)定性，以避免輸送過程中的分解。然而，由于一些功能金屬氧化物的組分復雜，元素難以合成出氣態(tài)MO源和有較高蒸氣壓的液態(tài)MO源物質(zhì)，而蒸氣壓低、熱穩(wěn)定性差的MO源先體，不可能通過鼓泡器(bubbler)由載氣氣體輸運到反應室。

然而采用液態(tài)源輸送的方法，是目前國內(nèi)外研究的重要方向。采用將液態(tài)源送入汽化室得到氣態(tài)源物質(zhì)，再經(jīng)過流量控制送入反應室，或者直接向反應室注入液態(tài)先體，在反應室內(nèi)汽化、沉積。這種方式的優(yōu)點是簡化了源輸送方式，對源材料的要求降低，便于實現(xiàn)多種薄膜的交替沉積以獲得超品格結(jié)構(gòu)等。

三、MOCVD技術(shù)的優(yōu)缺點

MOCVD技術(shù)在薄膜晶體生長中具有獨特優(yōu)勢：

1、能在較低的溫度下制備高純度的薄膜材料，減少了材料的熱缺陷和本征雜質(zhì)含量;

2、能達到原子級精度控制薄膜的厚度;

3、采用質(zhì)量流量計易于控制化合物的組分和摻雜量;

4、通過氣源的快速無死區(qū)切換，可靈活改變反應物的種類或比例，達到薄膜生長界面成份突變。實現(xiàn)界面陡峭;

5、能大面積、均勻、高重復性地完成薄膜生長。適用于工業(yè)化生產(chǎn);

正是MOCVD這些優(yōu)勢(與MBE技術(shù)一起)。使化合物單晶薄膜的生長向結(jié)構(gòu)區(qū)域選擇的微細化，組分多元化和膜厚的超薄化方向發(fā)展，推進著各種異質(zhì)結(jié)材料應運而生，實現(xiàn)了生長出的半導體化合物材料表面平滑、摻雜均勻、界面陡峭、晶格完整、尺寸精確，滿足了新型微波、毫米波半導體器和先進的光電子器的要求，使微波、毫米波器件和先進的光電子器件的設計和制造由傳統(tǒng)的“摻雜工程”進人到“能帶工程”和“電子特性與光學特性裁剪”的新時代。人們已經(jīng)能夠在原子尺度上設計材料的結(jié)構(gòu)參數(shù)，從而人為確定材料的能帶結(jié)構(gòu)和波涵數(shù)，制備出量子微結(jié)構(gòu)材料。

但MOCVD設備也有自身的缺點，它與MBE設備一樣價格不菲，而且由于采用了有機金屬做為源，使得在使用MOCVD設備時不可避免地對人體及環(huán)境產(chǎn)生一定的危害。這些都無形中增加了制備成本。對于低壓生氏，系統(tǒng)只需要配置機械泵和壓力控制器就可控制生長壓力;但是所配置的泵要有較大的氣體流量承載量。MOCVD生長中，我們所用的許多反應源(例如PH3、AsH3、H2S以及一些MO源)都是有毒的物品，進行合理的尾氣循環(huán)處理是非常必要的。因此，在設計和使用時要考慮到這些因素，做好安全防護措。對于一些功能金屬氧化物薄膜而言，尋找高蒸氣壓、熱穩(wěn)定性佳的MO源先體是比較困難的事。這就使得傳統(tǒng)的MOCVD技術(shù)不能夠制備上述的金屬氧化物薄膜，更不能同時制備不同材料的薄膜。對源材料要求苛刻，這在很大程度上制約了金屬氧化物的MOCVD技術(shù)的發(fā)展。

為了克服上述技術(shù)或設備存在的缺點，解決傳統(tǒng)MOCVD設備存在氣態(tài)源MOCVD不同材料之間蒸氣壓差大難以控制及輸送的障礙的問題，對源材料要求降低，便于實現(xiàn)金屬氧化物薄膜中多種薄膜的交替沉積。國內(nèi)外發(fā)展MOCVD技術(shù)的關(guān)鍵是合適的源材料，或者采用變通的先體輸運技術(shù)。

四、MOCVD技術(shù)在光電方面新的應用

MOCVD技術(shù)經(jīng)過近20多年的飛速發(fā)展，為滿足微電子、光電子技術(shù)發(fā)展兩個方面的需求，制備了GaAlAs/GaAs、InGaAsdGaAs/GaAs、GaInp/GaAs、GaInAs/AlInAs、GMnAs/GaInp、InAs/InSb、InGaN/GaN、A1GaN/GaN、SiGe、HgcdTe、GaInAsp/Inp、A1GaInp/GaAs、A1GaInAs/GaAs等多種薄膜晶體材料系列。MOCVD技術(shù)解決了高難的生長技術(shù)與量大面廣所要求的低廉價格之間的尖銳矛盾。

MOCVD技術(shù)的發(fā)展與化合物半導體材料研究和器件制造的需求緊密相關(guān)，反過來又促進了新型器件的研制，目前各種主要類型的化合物半導體器件制作中都用到了MOCVD技術(shù)。用于制作系列高端器件：HEMT、PHEMT、HFET、HBT、量子阱激光器，垂直腔面激光器、SEED、紅外級聯(lián)激光器、微腔、量子阱光折變器、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、高電子遷移率晶體管、太陽能電池、激光器、光探測器、場效應晶體管以及發(fā)光二極管(LED)，極大地推動了微電子、光電子技術(shù)的發(fā)展，取得了舉世矚目、驚人的成就。

目前用于軍事電裝備的微波毫米器件、高溫半導體器特別是先進的光電子器件，都采用MOCVD和MBE為主流技術(shù)進行薄膜材料生長，這些高端器件直接影響著軍事裝備的功能、性能和先進性。為了國家的安全和營造經(jīng)濟建設的和平環(huán)境，不斷提高我國軍事力量，是關(guān)系到國家安危頭等大事。國防建設迫切需要發(fā)展MOCVD技術(shù)。

五、MOCVD技術(shù)在光電方面的發(fā)展趨勢

目前的主要發(fā)展趨勢是：

1、向高投片量、向高產(chǎn)量方向發(fā)展;

2、基片向大尺寸方向發(fā)展;

3、薄膜厚度向薄層、超薄層方向發(fā)展，超晶格、量子阱、量子線、量子點材料和器件研究十分火熱。量子阱器件、量子點激光器已問世，其發(fā)展?jié)摿o可估量，成為向納米電子技術(shù)進軍的基地;

4、薄膜結(jié)構(gòu)區(qū)域向微細化，組分向多元化方向發(fā)展。滿足器件多功能、小尺寸、低功耗、高功率密度、便于集成的發(fā)展要求;

5、多種襯底上異質(zhì)材料的生長同時并進開發(fā)，GaAs技術(shù)目前最為成熟，充分發(fā)揮InP襯底的優(yōu)異性能，挖掘lnP襯底的潛力的研究正在廣泛進行;

6、寬帶隙的材料研究受到高度重視，特別是以CaN為代表的第三代半導體材料的研究，已成為各國業(yè)內(nèi)科學家研發(fā)的熱點;SiC材料已研制成功許多性能優(yōu)異的器件，如MOSFET、MESFET、JFET等。

MOCVD技術(shù)在半導體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發(fā)展中的半導體超精細加工技術(shù)，MOCVD技術(shù)的進一步發(fā)展將會給微電子技術(shù)和光電子技術(shù)帶來更廣闊的前景。