[導讀]介紹了一種使用VCO實現(xiàn)調(diào)頻的鎖相環(huán)電路并給出了關(guān)鍵技術(shù),變?nèi)荻O管直接調(diào)頻和鎖相,環(huán)路濾波器的設計及實驗結(jié)果。該電路不僅具有低相位噪聲、高穩(wěn)定載波、很小的非線性失真,而且具有理想的音頻調(diào)制頻響。
摘 要:介紹了一種使用VCO實現(xiàn)調(diào)頻的鎖相環(huán)電路并給出了關(guān)鍵技術(shù),變?nèi)荻O管直接調(diào)頻和鎖相,環(huán)路濾波器的設計及實驗結(jié)果。該電路不僅具有低相位噪聲、高穩(wěn)定載波、很小的非線性失真,而且具有理想的音頻調(diào)制頻響。 關(guān)鍵詞:調(diào)頻;變?nèi)荻O管;自動相位控制 |
---調(diào)頻廣播具有抗干擾性能強、聲音清晰等優(yōu)點,獲得了快速的發(fā)展。調(diào)頻電臺的頻帶通常大約是200~250kHz,其頻帶寬度是調(diào)幅電臺的數(shù)十倍,便于傳送高保真立體聲信號。由于調(diào)幅波受到頻帶寬度的限制,在接收機中存在著通帶寬度與干擾的矛盾,因此音頻信號的頻率局限于30~8000Hz的范圍內(nèi)。在調(diào)頻時,可以將音頻信號的頻率范圍擴大至30~15000Hz,使音頻信號的頻譜分量更為豐富,聲音質(zhì)量大為提高。 ---許多中小功率的調(diào)頻發(fā)射機都采用變?nèi)荻O管直接調(diào)頻技術(shù),即在工作于發(fā)射載頻的LC振蕩回路上直接調(diào)頻,采用晶體振蕩器和鎖相環(huán)路來穩(wěn)定中心頻率。較之中頻調(diào)制和倍頻方法,這種方法的電路簡單、性能良好、副波少、維修方便,是一種較先進的頻率調(diào)制方案。
變?nèi)荻O管直接調(diào)頻原理 ---二極管通過改變外加反向電壓可以改變空間電荷區(qū)的寬度,從而改變勢壘電容的大小。變?nèi)荻O管是就是利用這種特性制成的特殊的PN結(jié)二極管,是一種電抗可變的非線性電路元件,一般使用的材料為硅或砷化鎵。圖1是變?nèi)荻O管的特性曲線,圖2是變?nèi)荻O管直接調(diào)頻示意圖。 ---變?nèi)荻O管在反向偏置時,結(jié)電容可用下式來表示:,其中,VD為PN結(jié)內(nèi)建電位差,Cj0為外加反向電壓u=0時的結(jié)電容,n為電容變化指數(shù)。n取決于變?nèi)荻O管PN結(jié)的雜質(zhì)分布規(guī)律,對于緩變結(jié)n值等于1/3,突變結(jié)n值等于1/2,超突變結(jié)n值在1~5之間。 ---變?nèi)荻O管在反向偏置直接調(diào)頻電路中,不能工作于正向偏壓區(qū)。如圖2所示,為了保證變?nèi)荻O管在調(diào)制電壓變化過程中保持反向偏壓,必須加上一個大于調(diào)制信號振幅的反向直流偏壓E0。所以在單音調(diào)制時,變?nèi)荻O管上的電壓u=E0+UΩcosΩt,得到結(jié)電容變化規(guī)律為(見本期雜志) ---式中,稱為電容調(diào)制度, ---為靜態(tài)工作點時的結(jié)電容。 ---則振蕩回路的諧振角頻率為:(見本期雜志) ---式中,是未受調(diào)制時的振蕩角頻率,即載波角頻率。將式中作為變量,并在處展開為泰勒級數(shù),得到:(見本期雜志) ---從上式可以看出,振蕩器的頻率變化量中不僅包含有與調(diào)制信號成正比的分量,而且含有調(diào)制信號的二次諧波及更高次諧波分量,同時還有中心頻率的漂移。一般總是在保證最大角頻偏的前提下,選擇具有較大變?nèi)葜笖?shù)n的管子,減小電容調(diào)制度m,從而減小中心頻率的漂移,提高振蕩器的頻率穩(wěn)定度,還要消除各次諧波失真分量,實現(xiàn)線性調(diào)頻。
鎖相穩(wěn)頻技術(shù) ---對于變?nèi)荻O管直接調(diào)頻電路來說,由于調(diào)制器是由普通的LC自激振蕩器和并聯(lián)的變?nèi)荻O管組成,所以有很多因素會引起振蕩頻率發(fā)生變化,這些因素包括變?nèi)荻O管的非線性、電源電壓的變動、負載的變化、溫度等環(huán)境條件的變化、電路元器件老化、機械振動等。為了消除這些導致中心頻率不穩(wěn)定的因素,除了注意電路和結(jié)構(gòu)的設計外,還應當采用自動相位控制電路使中心頻率穩(wěn)定在規(guī)定范圍以內(nèi)。
---圖3是典型的鎖相穩(wěn)頻電路的結(jié)構(gòu)框圖。共包括四個部分:壓控振蕩器、鑒相器、基準晶體振蕩器和分頻器。放大的調(diào)制信號加入壓控振蕩器,對其進行頻率調(diào)制,經(jīng)過調(diào)制的高頻信號一路送至后面的放大電路,另一部分送入分頻器進行分頻。分頻器輸出的方波信號送入鑒相器中,與基準晶體振蕩器經(jīng)過分頻后得到的基準信號進行比較,實現(xiàn)相位鎖定。鑒相器的輸出信號經(jīng)過環(huán)路濾波器送入壓控振蕩器中,控制壓控振蕩器的振蕩頻率,從而達到穩(wěn)定頻率的目的。 ---由于調(diào)頻的結(jié)果使壓控振蕩器輸出信號的瞬時頻率總是偏離其基準值,而環(huán)路的功能就是要抑制這種頻偏,這就產(chǎn)生了一個矛盾。為了解決這個矛盾,應該使調(diào)制信號的頻譜處于環(huán)路通帶之外,也就是需要在鑒相器和壓控振蕩器之間加一個低通濾波器,將其濾除。環(huán)路只對引起壓控振蕩器平均中心頻率不穩(wěn)定的那一部分起作用,也就是說,已調(diào)信號在中心頻率附近很小的一個頻偏范圍內(nèi)變化。
主要電路工作原理 ---本電路實際上是一個小功率調(diào)頻發(fā)射機,其調(diào)制部分采用了變?nèi)荻O管直接調(diào)頻技術(shù),主要功能是實現(xiàn)87~108MHz頻段內(nèi)以100kHz為間隔的調(diào)頻激勵源;輸入調(diào)頻信號為音頻(30Hz~15kHz),要求實現(xiàn)最大頻偏為75kHz,其框圖如圖4所示。 ---下面簡單分析一下各主要部分的工作原理。 ● VCO電路 ---VCO電路是實現(xiàn)頻率調(diào)制與載波生成的關(guān)鍵性電路部分,其具體電路如圖5所示。 ---4個性能一致的超突變結(jié)變?nèi)荻O管MV209采取較為復雜的串并聯(lián)形式,通過電路的復雜性來換取性能的改善,并采用部分接入法接入諧振回路,即將變?nèi)荻O管C與容量較小的耦合電容C1串聯(lián),再與一個電容C2并聯(lián),構(gòu)成回路總電容。這樣做不會改變變?nèi)荻O管的調(diào)頻特性,雖然會在一定程度上減小調(diào)頻電路的最大頻偏,但是可以改善變?nèi)荻O管結(jié)電容隨溫度變化而帶來的中心頻率漂移問題,同時通過調(diào)整耦合電容C1的大小,可以保證變?nèi)荻O管工作在線性區(qū),并控制頻偏大小。在保證最大頻偏的前提下,盡量消除非線性失真、降低輸出信號的相位噪聲。 ---起振電路中選用具有低轉(zhuǎn)角頻率、低噪聲指數(shù)的雙極性晶體管2SC3356,以提高VCO電路頻譜近端的頻譜質(zhì)量。在起振電路后附加一級射隨器,以減小負載電路對起振電路的影響,從而獲得良好的性能。已調(diào)信號通過射隨器后,分為兩路,一路反饋至MC145170的FIN端口,以構(gòu)成鎖相回路,另一路送入后端的放大電路,以滿足系統(tǒng)的輸出功率要求。
鎖相穩(wěn)頻電路 ---鑒相器是穩(wěn)定頻率的核心部分,該部分由數(shù)字鑒相-鑒頻集成芯片MC145170和環(huán)路低通濾波器組成,如圖6所示。 標準晶體振蕩器選用MORION公司的溫補晶振MV68系列(10MHz),頻率偏差小于5×10-6,短期頻率穩(wěn)定度為10-9/S,相位噪聲小于-145dBc/Hz/10kHz,完全可以保證電路滿足系統(tǒng)對頻偏的要求。 ---鎖相環(huán)集成芯片選用了摩托羅拉公司的MC145170,來實現(xiàn)調(diào)頻激勵源的中心頻率在87~108MHz內(nèi)以100kHz為間隔的變化。摩托羅拉公司生產(chǎn)的MC145170是一片可用于MF、HF和VHF波段的、串行碼輸入編程的單模CMOS鎖相環(huán)頻率合成器芯片。該芯片內(nèi)含完全可編程的÷R和÷N計數(shù)器,輸入譯碼器,在fin腳內(nèi)置一放大器,可外接晶體振蕩器,可編程的參考輸出,具有線性轉(zhuǎn)移功能的單端或雙端鑒相器和可調(diào)整的C寄存器。 ---在實際電路中,選用10kHz的鑒相頻率,因此設置R=1000,N=8700~10800。同時設置C寄存器為(C7C6C5C4C3C2C1C0)=(10000000),選擇φR與φV雙端輸出,禁止LD、fR、fV、REFOUT輸出,以減小電路功耗,同時降低無用端口對電路的影響。 ---常用的環(huán)路濾波器有RC積分濾波器、無源比例積分濾波器和有源比例積分濾波器。由它們的傳遞函數(shù)可知,有源比例積分濾波器具有兩個獨立可調(diào)參數(shù),更重要的是具有滯后-超前特性,有利于環(huán)路的穩(wěn)定。因此,在設計中采用有源比例積分濾波器,其電原理圖如圖7所示。 ---由前面的分析可知,該鎖相環(huán)是一窄帶載波跟蹤環(huán),故BL應小于調(diào)制頻率30Hz。因此應通過調(diào)整環(huán)路濾波器的參數(shù)R1、R2與C,使得BL小于30Hz。取ξ=0.7,令BL=10Hz,N=10000,,C=10μF,kv=2π×1.2×106(rad/v)≈7.54×106(rad/v),則根據(jù)公式,可以得到R1=170kΩ,R2=7.5kΩ。
PCB板的設計與測試結(jié)果 ---頻率合成器對饋電電源、地線分布等電磁兼容問題都有著較嚴格的要求。這是因為電源和數(shù)據(jù)總線的噪聲能耦合到鎖相環(huán)系統(tǒng)中,使得相噪和雜散變壞。因此,在布局PCB版圖時,應做到一下幾點。 ---(1)對鑒相器、壓控振蕩器分別單獨供電、單獨穩(wěn)壓,穩(wěn)壓器的輸入、輸出端都接有Π型濾波電路; ---(2)布線、元件排列應該盡量整齊; ---(3)電源線應該加寬,約為1mm寬,信號線寬度也要達到0.75mm。 ---采取以上措施能夠有效地濾除所有無用頻率和電源紋波,抑制各種干擾和噪聲,降低頻率合成器的相位噪聲和雜散。下面表1和表2給出了在載頻為100MHz時的各項測試指標,表3則給出了該電路在各載頻頻點的調(diào)頻信噪比指標。 ---從表中的數(shù)據(jù)可以看出,本電路完全滿足了系統(tǒng)的要求,并且在相位噪聲、非線性失真、音頻頻率響應和調(diào)頻信噪比等方面都有很好的特性。相位噪聲小于 -100dBc/Hz/10kHz,非線性失真小于0.1%,音頻頻率響應非常理想,調(diào)頻信噪比達到80dB以上。與此同時,載波頻率穩(wěn)定度控制在200Hz以內(nèi),輸出信號頻率偏差不超過1kHz,各項指標滿足國家廣電總局的技術(shù)要求。而且,本電路調(diào)試量小,成本也不高,更易于進行批量生產(chǎn)。 |
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