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[導(dǎo)讀]分析了超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)對(duì)單刀多擲開關(guān)(SP4T)的要求。介紹了PIN管的基本結(jié)構(gòu)和主要指標(biāo),建立了PIN管的微波等效模型。采用串一并聯(lián)PIN管設(shè)計(jì)和制作了SP4T,并用ADS對(duì)設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了仿真和參數(shù)優(yōu)化,分析了仿真和實(shí)測(cè)結(jié)果的差異。實(shí)際電路的插入損耗最大為l.42 dB,隔離度最小為25 dB,滿足系統(tǒng)要求。

0 引 言
   
由于超高頻RFID的接收和發(fā)射頻率相同,讀卡器結(jié)構(gòu)基本為零中頻結(jié)構(gòu)。零中頻結(jié)構(gòu)的接收機(jī)射頻前端沒有選擇濾波器,對(duì)鄰近頻率的信號(hào)抗干擾能力很弱。我國在《800/900 MHz頻段射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)應(yīng)用規(guī)定(試行)》中規(guī)定的跳頻間隔為250 kHz,這對(duì)零中頻結(jié)構(gòu)的RFID讀卡器在多詢問機(jī)環(huán)境下工作是一個(gè)很大的技術(shù)難點(diǎn)。所以,在現(xiàn)階段的多詢問機(jī)環(huán)境下工作的UHF RFID讀卡器,基本是工作于時(shí)分復(fù)用方式。在讀卡器中加入單刀多擲開關(guān)(Single Pole 4Throw,SP4T),本機(jī)輪詢4個(gè)天線,可以取代另外的3個(gè)讀卡器,降低整個(gè)系統(tǒng)成本。

l SP4T設(shè)計(jì)和仿真
1.1 SP4T的主要技術(shù)指標(biāo)

    SP4T的主要技術(shù)指標(biāo)有插入損耗、隔離度、開關(guān)時(shí)間、VSWR和功率容量。對(duì)于系統(tǒng),要求SP4T的功率容量大于30 dBm,控制信號(hào)為1 kHz方波,插入損耗小于2 dB,VSWR小于1.5:1。
1.2 PIN結(jié)構(gòu)和等效電路
    PIN管是在重?fù)诫s的P層和N層之間加入一寬度較大的不摻雜本征I區(qū),真正的本征區(qū)不可能實(shí)現(xiàn),實(shí)際使用的PIN管I區(qū)多為低摻雜N區(qū)。I區(qū)使二極管級(jí)間電容減小,擊穿電壓提高。較寬的I區(qū)提高了二極管的反向擊穿電壓,使其功率容量增加。但同時(shí)使載流子渡越時(shí)間變長(zhǎng),阻抗變化緩慢,開關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)。I區(qū)面積增加時(shí),導(dǎo)通電阻減小,導(dǎo)通功率容量加大,結(jié)電容上升,截止頻率下降,限制了系統(tǒng)的工作頻率和帶寬。當(dāng)PIN管正偏時(shí),對(duì)微波信號(hào)等效為一線性電阻,阻值的大小決定于偏置電流,接近于短路。反偏時(shí),I區(qū)載流子耗盡,PIN管對(duì)微波信號(hào)等效為一恒定電容。其微波等效電路如圖1所示。

    圖1中:Ri為耗散損失引入的電阻,由于其遠(yuǎn)小于Cj的阻抗,常將其省略;Lp和Cp為引線電感和封裝電容,Lp和cp的存在使電路的高頻特性大大降低,所以頻率較高時(shí),一般采用管芯直接搭建電路。
1.3 SP4T的電路結(jié)構(gòu)
    基于PIN管的射頻切換開關(guān)有串聯(lián)式、并聯(lián)式和串一并聯(lián)結(jié)合式。設(shè)計(jì)中采用串一并聯(lián)結(jié)構(gòu)以達(dá)到上述指標(biāo),其基本的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。

    在SP4T中,四個(gè)通道完全一致,圖2中只畫出了第一、第二個(gè)通道。其中:R1,R2為直流偏置電阻,保證IN管工作于適當(dāng)?shù)恼娏?;C1,C3,C5為隔直電容;L2,L3為射頻扼流電感,它們與C2,C3一起構(gòu)成一個(gè)低通網(wǎng)絡(luò),以阻止射頻信號(hào)進(jìn)入電源;CONl和CON2為開關(guān)選擇控制信號(hào),輸人為+5 V,-5 V方波信號(hào)。當(dāng)CONl為-5 V,CON2為+5 V時(shí),D1和D4導(dǎo)通,D2和D3截止,通道一打開,通道二到通道四關(guān)閉。導(dǎo)通時(shí)的PIN管等效為一很小的串聯(lián)電阻Rs,截止的PIN管等效為一電阻Rr和電容Cj的串聯(lián),所以通道一打開,其余通道關(guān)閉時(shí)的等效電路如圖3所示。

1.4 主要元件選型和電路仿真
    分析電路可得,較小的Rs和Cj是獲得低插入損耗、高隔離度的必要條件,而電路的功率容量決定于PIN管的最大反向電壓和PDM,一般取中的最小值。綜合以上考慮,選取了MA-COM公司的MAP4P789,SC-79封裝。其參數(shù)為Vr=75 V,Cj=O.35 pF,Rs=1.5 Q 10 mA,封裝電感為0.6 nH,封裝電容為0.1 pF。將以上參數(shù)代入電路并用ADS仿真,如圖4,圖5所示。

    由圖4可以看出,閉合通道的插入損耗在860~950 MHz之間小于1 dB,而各斷開通道由于電路對(duì)稱,其隔離度的曲線重合在一起,均大于34 dB。圖5的VSWR曲線隨頻率的升高而增加,主要是由于斷開通道反偏結(jié)電容的影響。對(duì)于直流偏置電路,主要是保證PIN管的正偏工作電流為10 mA,這里取限流電阻值為500 Ω。在控制電壓為5 V的情況下,能保證PIN管的10 mA工作電流。C1,C3,C5為隔直電容,一方面對(duì)860~950 MHz控制信號(hào)的衰減較小,另一方面對(duì)1 kHz控制信號(hào)的衰減較大。為了避免控制信號(hào)進(jìn)入系統(tǒng)其他部分,這里取其電容值為20pF。C1和L1,C2和L2,C4和L3組成三個(gè)低通網(wǎng)絡(luò),其截止頻率取決于控制信號(hào)的最高頻率。對(duì)于1 kHz的方波信號(hào),取其上升時(shí)間為o.5μs,則其帶寬為BW=1/[2*tr(10%~90%)]=l/(2×O.5μs)=1 MHz,這里取C1,C2,C4的值為47 pF;L1,L2,L3的值為56 nH。該低通網(wǎng)絡(luò)在阻止高頻進(jìn)入電源的情況下,可以保證控制信號(hào)加到各PIN管。


2 實(shí)測(cè)結(jié)果及誤差分析
   
由于系統(tǒng)頻率不太高,考慮成本和生產(chǎn)因素,采用FR-4板材,完成電路并采用Agilent的網(wǎng)絡(luò)分析儀8712ET測(cè)試得其最大插入損耗為1.42 dB,最小隔離度為25 dB。相對(duì)于仿真結(jié)果,實(shí)際測(cè)試值有較大的惡化。主要原因有以下幾點(diǎn):
    (1)仿真時(shí)采用的模型不精確。由于仿真模型是根據(jù)廠家給出的參數(shù)建立的,寄生電容和寄生電感值是經(jīng)驗(yàn)值,這與實(shí)際值有些差異。
    (2)各支路微帶線之間的耦合。由于各支路的公共接點(diǎn)連接在一起,各微帶線之間距離很近,閉合通道的信號(hào)耦合到臨近的兩個(gè)斷開通道,惡化了系統(tǒng)的插入損耗和隔離度。
    (3)多路開關(guān)的斷開通道較多。其反偏等效電容并聯(lián)在閉合通道上,導(dǎo)致了插入損耗較大,這也是多路開關(guān)路數(shù)不能太多的主要原因。

3 結(jié) 語
    串一并聯(lián)PIN管形式的電路是實(shí)現(xiàn)高速,寬帶,多路微波開關(guān)的最佳方法。通過對(duì)PIN管的仔細(xì)選型,電路的認(rèn)真優(yōu)化,可以進(jìn)一步提高系統(tǒng)的帶寬,減小系統(tǒng)的插入損耗。

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