晶體變換器的印刷電路基板的制作與調(diào)整

圖26晶體變換器的印刷電路基板

圖26晶體變換器的印刷電路基板

圖26所示的為晶體變換器的印刷電路基板。由于為VHF頻帶，可以使用紙樹脂基板。對于高頻率放大電路與頻率變換電路的輸入出端，利用接地銅箔隔離，以達到隔離效果。  雖然輸入頻率fs與所需要的輸出頻率人fIF的頻率為不同，但是，也不要將輸入與輸出太接近。

▲局部振蕩頻率的調(diào)整  首先，對于局部振蕩電路的晶體振蕩電路與頻率倍頻(×2)做調(diào)整。此為如圖27(a)所示，將頻率計頻器連接在T6的TP端子，調(diào)整T5與T6的鐵芯，使頻率成為68MHz(X1＝11.333MHz)或72MHz(X2＝12.000MHz)。由于鐵芯的位置不同，而可能成為2倍或3倍，必須注意調(diào)整。

(取出正確的2倍頻輸出)

接著，將計頻器從TP端子取下，連接高頻棒測試棒(第8章介紹的制作品)，再調(diào)整T5與T6，使輸出成為最大。  對于局部振蕩電路的調(diào)整，也可以如圖(b)所示，使用Dip-Meter(在第3章制作)。使用夾線(Clip）等作成1～2圈數(shù)的線圈，從TP端子取出fosc將Dip-Meter的轉(zhuǎn)盤指示在68MHz或74MHz附近，調(diào)整T5與T6的鐵芯，使Dip-Meter的指示計擺振至最大。  調(diào)整CT，使輸往頻率變換電路3SK73的G2的注入電壓約為0.5～1V。 ▲高頻率變換電路與頻率變換電路的調(diào)整  在與主接收機連接的接收狀態(tài)下，如圖28所示，連接信號產(chǎn)生器SSG。  然后，設(shè)定SSG頻率為122MHz，調(diào)整T1的鐵芯，使諧振點為122MHz(晶體頻率X2時，主接收機的頻率為50MHz)。再將SSG的頻率設(shè)定為124MHz(主接收機的頻率為52MHz)，調(diào)整T4鐵芯，使諧振點成為52MHz。  使用同樣方法，使T2諧振頻率為120MHz，T3為124MHz。以上的調(diào)整為做2～3次反復(fù)調(diào)整。

(一面觀察主接收機的S電表，一面調(diào)整鐵芯，使S電表指示擺振為最大。)

所制作的晶體變換器的特性 ▲VG2S與電功率放大率的測試  圖29所示的是VG2S從0～4V變化時的電功率放大率變化與高頻率放大電路的FET漏極電流變化的情況。此處的電功率放大率是包含至頻率變換電路為止的數(shù)據(jù)。 VG2S＝0V時的電功率放大率為32dB，VG2S＝4V時為43dB，放大率的調(diào)整量為11dB。漏極電流的最大值為18mA，漏極損失PD=18×6＝108mW，沒有超過最大損失值。

圖29 FET的VG2S改變時的Gp，ID特性(隨著VG2S的電壓變化，電功率放大率變化為30～44dB。主接收機的感度低，也可以使用。)

▲接收頻帶范圍的測試  圖30所示的為頻率從116M～130MHz為止變化時的電功率放大率。在中心頻率的122MHz與邊源的130MHz，感度差為11dB。可是，在實際接收Air Band時，也不太感覺出其邊端的差異。

圖30晶體變換器的接收頻率與電功率放大率(由于頻帶寬為14MHz，因此，在頻帶內(nèi)的電功率放大率差為11dB。使用上沒有什么問題。)