摘要：實現(xiàn)基于ISO14443A協(xié)議的13．56 MHz RFID芯片的設計，并在SMIC 0．18 μm工藝下流片，芯片測試結果良好。RFID芯片模擬前端部分在AC—DC電源產生部分采用了新的結構，不需要引入LDO就可以產生穩(wěn)定的電源。在數(shù)據(jù)接收部分采用了新結構，可以抵御工藝偏差引起的器件參數(shù)的變化。在數(shù)據(jù)發(fā)送部分，從系統(tǒng)上作了優(yōu)化，使模擬部分的電路變得簡單可靠。整個模擬部分的電流小于100μA。
關鍵詞：射頻識別；整流器；限幅器；調制器；解調器

引言
    RFID(射頻識別)被廣泛地應用在人們的日常生活中，如門禁、市民卡、機場、物流等領域。RFID芯片的需求量與日俱增，給低功耗、小面積的芯片設計帶來了挑戰(zhàn)。低功耗、小面積、低成本的RFID芯片在激烈的市場競爭中更有優(yōu)勢。本文給出的RFID芯片設計，從整個系統(tǒng)上對數(shù)字部分電路的功耗作了優(yōu)化，并且對模擬電路部分作了一些改進，減小了芯片功耗和面積，從而降低了成本。該RFID芯片于2010年6月在SMIC 0．18 μm工藝下流片，工作情況良好。

1 RFID系統(tǒng)結構
    圖1為RFID系統(tǒng)結構框圖。整個RFID系統(tǒng)包括讀卡器、RFID芯片和耦合線圈?？ㄅc讀卡器通信過程中的能量和數(shù)據(jù)通過線圈耦合，當二者無數(shù)據(jù)交互時，讀卡器向空間中發(fā)送13．56 MHz的正弦載波信號?？拷x卡器時，片外線圈會耦合空間中的磁場為RFID芯片提供能量，使模擬前端和其他部分上電，準備交互。RFID芯片接收到的數(shù)據(jù)是100％的幅度調制，采用改進型的曼徹斯特編碼。RFID發(fā)送到讀卡器的數(shù)據(jù)也采用幅度調制。

2 模擬前端結構
    圖2為模擬前端的結構框圖，L為片外電感，C為片內電容，LC諧振在13．56 MHz。RFID讀卡器通過線圈發(fā)送能量和數(shù)據(jù)，LC諧振回路接收讀卡器發(fā)出的信號，并通過模擬前端電路提取出電源和數(shù)據(jù)，提供給整個芯片，以使卡與讀卡器進行交互。

    當RFID靠近讀卡器時，整流器產生的電源電壓被LC諧振電路提高，當電壓提高的一定值時，限幅器工作，使電源電壓被箝位并穩(wěn)定在設定的值上，給其他模擬模塊和數(shù)字部分供電。上電復位電路(POR)工作，給出復位信號，使數(shù)字部分復位。讀卡器發(fā)出的數(shù)據(jù)是載波為13．56
MHz數(shù)據(jù)率為106 kb／s的100％幅度調制信號，通過解調器解調提供給數(shù)字部分處理。RFID通過調制器向讀卡器發(fā)出載波為13．56 MHz數(shù)據(jù)率為847 kb／s的幅度調制信號。

3 模擬前端電路設計
3．1 電源產生
    圖3為電源產生電路，由整流器和限幅器組成。當卡與讀卡器無數(shù)據(jù)交互時，讀卡器向空間中發(fā)射13．56MHz的正弦交變電磁場。圖3中L為片外電感，C為片內電容，LC匹配的諧振頻率為13．56 MHz，C1為穩(wěn)壓儲能電容。當卡由遠及近靠近讀卡器時，LC發(fā)生諧振，RF1和RF2上的電壓被諧振電路抬高，整流器開始工作，將正弦交變電壓轉化為直流電壓VDD。當空間中電磁場強度很弱時，VDD電壓值較低，不能給芯片供電。隨著卡靠近讀卡器，LC耦合得到的能量變強，VDD升高到芯片工作所需要的額定電壓，芯片開始工作。但是，若卡繼續(xù)靠近讀卡器，VDD會繼續(xù)上升，上升到超過MOS的擊穿電壓時芯片內的器件會被燒壞而失效。所以，需要引入限幅器，使VDD穩(wěn)定在芯片工作的額定電壓，這里設定的是2V。

    限幅器的設計需要滿足兩點要求：第一，可精確調節(jié)；第二，高增益。正常情況下讀卡器提供的能量大于其正常工作需要的能量，多余的能量需要限幅器泄放掉。隨著卡靠近讀卡器，RF1和RF2的電壓升高，VDD和Vdect跟隨RF1、RF2上升，當：
    VDD≈V_dect=3Vthp+VREF (1)
    此時，M61、M62、M63組成的支路導通，M51的尺寸遠大于M52的尺寸，二者構成的反相器翻轉閾值為V_dect—Vthp，當M61所在支路導通時，M51和M52構成的反相器翻轉，X輸出高電壓，使M7打開，RF1和RF2通過M31、M32泄流，從而電壓VDD被箝位穩(wěn)定在式(1)所示的值上。反相器高增益使限幅器的靈敏度提高，當VDD恰好達到式(1)時，限幅器就開始泄流穩(wěn)壓，使VDD不隨讀卡器能量的變化而變化，以及不隨負載的變化而變化。高增益的限幅器可以看作理想的穩(wěn)壓二極管。由式(1)可知，只需調節(jié)VREF即可得到精確的想要的VDD，例如Vthp=0．4 V，需要VDD=2 V，只需設定VREF=0．8 V即可。此處設計的限幅器可以看作電壓可精確調節(jié)的理想穩(wěn)壓二極管。
3．2 數(shù)據(jù)接收
    圖4為數(shù)據(jù)接收電路，即解調電路。讀卡器向卡發(fā)送的數(shù)據(jù)是載波為13．56 MHz、數(shù)據(jù)率為106 kb／s的100％的幅度調制信號，波形可以看作106 kHz的方波與13．56 MHz的正弦波的乘積。數(shù)據(jù)解調的原理是：當RF1電壓為正弦波時(即有效數(shù)據(jù)1部分)，電壓信號由D0、I0、C1、C2構成的包絡檢波整形。在A點得到直流電壓為VREF6并帶有一定紋波的電壓信號，紋波的大小由C1、C2、I0的大小決定。選取REF6=0．6 V，VREF3=0．3 V，比較器輸出高電壓。當RF1電壓由正弦變?yōu)?(有效數(shù)據(jù)0部分)時，由于A點信號反應速度高于放大器帶寬，包絡檢波的A點電壓迅速降低，使VA<VREF3，比較器輸出低電壓，并且關閉放大器，使A點電壓穩(wěn)定在0，比較器的輸出保持0，等待下一個數(shù)據(jù)。

    由于工藝與溫度的偏差，導致I0、C1、C2的值發(fā)生變化，A點的紋波大小會發(fā)生變化。在RF1為正弦波，也就是數(shù)據(jù)為1的時候，若A點的紋波大于2(VREF6～VREF3)，數(shù)據(jù)解調將發(fā)生錯誤。比較器在有效數(shù)據(jù)為1時應輸出高電壓，但是由于A點電壓紋波過大導致比較器輸出在數(shù)據(jù)為1輸出13．56 MHz的方波，解調失敗。可以通過提高VREF6的值，從而提高A點紋波的容忍度，來解決這個問題。但是若A點電壓過高，使A點反應速度低于放大器帶寬，數(shù)據(jù)由1變?yōu)?時，A點不能迅速作出反應，產生低電壓，所以不能解調出數(shù)據(jù)0。所以VREF6的值的選取需要適中，最好可以由系統(tǒng)動態(tài)配置。
3．3 數(shù)據(jù)發(fā)送
    圖5為數(shù)據(jù)發(fā)送電路，即調制電路。卡發(fā)送到讀卡器的是載波為13．56MHz，數(shù)據(jù)率為847kb／s的幅度調制信號。此電路的原理是采用負載調制的方法達到協(xié)議要求的幅度調制的目的。當不需要發(fā)送數(shù)據(jù)時，數(shù)據(jù)線為0，RF1、RF2為13．56MHz的載波。需要發(fā)送數(shù)據(jù)時，數(shù)據(jù)線為847 kHz米勒編碼的方波。當數(shù)據(jù)為0時，RF1、RF2上的正弦電壓幅值較大。當數(shù)據(jù)為1時，M1打開，將RF1、RF2上的電壓拉低，即RF1、RF2上正弦信號的幅值變低，數(shù)據(jù)的變化會導致RF1、RF2上載波幅值變化，從而完成數(shù)據(jù)的發(fā)送。

    卡向讀卡器發(fā)送數(shù)據(jù)時，系統(tǒng)上作出了優(yōu)化，使模擬電路的設計變得簡單可靠。當發(fā)送數(shù)據(jù)1時，由線圈耦合過來的能量大部分由M1釋放，從而導致用于芯片正常工作的能量變少，使芯片不能正常工作，交互失敗。所以，當向外發(fā)送數(shù)據(jù)時，軟件使芯片內部嵌入的8051處理器進入休眠模式，降低整個芯片的功耗，從而使芯片安全渡過電源不足的階段。

4 仿真與測試
    圖6為仿真結果，卡與讀卡器的交互分為3個階段：
    ①二者無數(shù)據(jù)交互，此時卡開始上電或者處理接收到的數(shù)據(jù)，此時電源電壓穩(wěn)定；
    ②接收數(shù)據(jù)，線圈發(fā)出的上是100％的幅度調制信號，DATA_IN為解調后的數(shù)據(jù)；
    ③發(fā)送數(shù)據(jù)，卡產生的DATA_OUT是847 kHz的方波，對線圈上的電壓進行負載調制，調制后線圈上的電壓信號是幅度調制信號，這些信號會被讀卡器耦合并解調。

    在整個交互過程中電源電壓保持穩(wěn)定。測試結果與仿真結果基本一致。

結語
    本文討論了RFID芯片模擬前端的實現(xiàn)方法，在電源產生、數(shù)據(jù)收發(fā)方面采用了新技術，并且從整個系統(tǒng)上作了優(yōu)化，簡化了模擬前端的設計，使整個系統(tǒng)更可靠。該芯片已通過小額支付與門禁系統(tǒng)的實驗室測試，其對惡劣外界干擾的抵御能力需要進一步測試與改進。