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[導讀]摘要:介紹一種實用的導電聚合物薄膜電阻率測量系統(tǒng)。電阻率的測量原理基于四探針法與比率測量法,以低值恒壓激勵代替恒流激勵,使2種方法結(jié)合在一起;然后以ARM7微控制器為系統(tǒng)核心,構(gòu)建了量程自適應的半自動式系統(tǒng)

摘要:介紹一種實用的導電聚合物薄膜電阻率測量系統(tǒng)。電阻率的測量原理基于四探針法與比率測量法,以低值恒壓激勵代替恒流激勵,使2種方法結(jié)合在一起;然后以ARM7微控制器為系統(tǒng)核心,構(gòu)建了量程自適應的半自動式系統(tǒng)架構(gòu);對電路實際能達到的分辨率和設計要求分辨率進行詳細的分析;最后測量了系列標準電阻和部分導電聚合物薄膜樣品的電阻率值,與標準方法進行了時比,分析了系統(tǒng)各項指標。
關(guān)鍵詞:電阻率;四探針;比率測量法;導電聚合物薄膜

0 引言
    導電聚合物材料的電學特性是通過摻雜來控制其電阻率來改變的。因此精確測量導電聚合物的電阻率具有重要意義。半導體工業(yè)中普遍使用四探針測量儀測量無機半導體材料的電阻率。而導電聚合物屬于有機半導體材料,導電機理不同,且電阻率區(qū)間跨度較大(為10-3~1010Ω·cm)。使用四探針測量儀無法滿足應用要求。目前,進行較高電阻率測量時可以按照國標(GB3048.3—83)方法搭建測量電路。但是,該方法對樣品的外形有嚴格要求,電路搭建費時、耗力;激勵電壓大小難于掌控,電壓過小影響測量精度,電壓過大會導致較大的電流,可能影響樣品特性,且過高的電壓危險性很大。為了避免壓片、塑型等前處理過程,也為了在寬范圍內(nèi)準確、安全地測量,這里進行了必要的改進。

1 測量原理
1.1 四探針電阻測量法
    四探針法可以減小接觸電阻和導線電阻的影響。采用恒壓激勵信號Vs代替原本在1和4探針間的恒流信號。如圖1所示。


    通過樣品的電流:
 
    式中:Rw為導線電阻;Rct為針腳(1,4)接觸電阻;R14為樣品電阻。
    為了求得樣品電流I,需要通過其他途徑得到總電阻Rx。在此引入比率測量法。如圖2所示。

    式中:Vin為輸入的基準參考電壓(對應圖2中的Vs);Vout為放大電路的輸出電壓;Rf為反饋電阻。
1.2 測量的分辨率
    電阻測量的理論分辨率:
   
    當Vin和Rf恒定時,分辨率隨著待測樣品電阻率的增加而急劇減小。通過以下方式實現(xiàn)在全量程范圍內(nèi)都保持較高的分辨率:
    (1)在測量較大的Rx時配給較大的Rf;
    (2)改變激勵信號的電壓值。
    通過程控放大技術(shù),按照電阻值范圍設計了不同的檔位,并針對檔位選擇了不同的激勵信號電壓值,對應關(guān)系見表1。
1.3 電流的限制
    半導體材料電阻率測量時對流過樣品的電流有比較嚴格的要求:
    (1)電流不能過小,以確保內(nèi)側(cè)探針間電壓可測;
    (2)電流不能過大,以減小熱效應對樣品電阻率的影響;
    (3)測量較大電阻率樣品時,應該減小注入電流,以減小少子注入的影響。
    流通電流影響樣品電阻率值,但是通常電阻率不受電流影響的范圍是很廣的,根據(jù)這個范圍的界限可以得出安全操作電流。
    本方法中流經(jīng)測試樣品的電流:
   

2 系統(tǒng)設計
    系統(tǒng)采用LPC2148 ARM7芯片為數(shù)學運算和控制的核心單元,系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖3所示。


2.1 控制處理單元
    控制處理單元包括LCD液晶顯示電路、鍵盤輸入電路、串口通信電路、反饋控制電路1和2和微控制器。預置限流電阻Rc用于限定小電阻率材料測量時通過的電流,流過的電流可由式(9)計算得出。全量程范圍內(nèi)可保證測量電流小于2 mA。各參數(shù)與檔位如表1所示。

2.2 信號調(diào)理單元
    包括可控恒壓產(chǎn)生電路、差分放大電路、比率測量電路和模數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換電路。恒壓源采用ADR01,產(chǎn)生10 V的基準電壓輸出,進一步得到0.1 V和0.01 V的基準信號;圖2中內(nèi)側(cè)兩探針間電壓的測量采用AD620差分放大電路及高精度運放AD546,通過反饋控制電路2調(diào)節(jié)增益電阻RG來改變輸出信號的幅度;模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路采用16位的∑-△型AD7705,使用3.401V參考電壓時測量分辨率到達52μV/LSB。如圖4所示。


  

   
2.3 阻值預判電路
    阻值預判機制的引入緣于采用了3個檔位的恒壓激勵信號。為了防止在未知測量電阻的情況下注入過大的電流,必須預判樣品的電阻值,然后再選擇合適的檔位和激勵信號。該電路基于惠通斯電橋構(gòu)建。如圖5所示。



3 程序設計
    依照式(1),式(3),式(10),最終得到的待測電阻計算公式為:
 
    式中:R1,R2,Rf為已知的增益電阻;Rc為限流電阻;Vg為內(nèi)測兩探針間的電壓;Vo為比率測量電路的輸出電壓值;C為探針平臺的探針系數(shù)。主程序流程圖如圖6所示。



4 系統(tǒng)測試
4.1 測量范圍和精度
    通過對標準精密電阻的測量來考察系統(tǒng)的有效測量范圍和精度極限。選擇相對精度為0.01%的精密E24系列電阻,測量結(jié)果如表3
所示。


    試驗測定電阻有效測量范圍為10 Ω~1 000 MΩ,當探針系數(shù)C為0.628 cm時,則電阻率測量范圍為:6.28~6.28×108Ω·cm,相對誤差小于1%。
4.2 對比實驗
    參照國標GB3048.3—83方法搭建測量電路,樣品采用在有機玻璃基底上生長的不同摻雜濃度的炭黑-聚吡咯復合材料薄膜??刂茦悠返碾娮杪蕝^(qū)間在102~105Ω·cm。隨機抽取20份樣品進行對比測試,結(jié)果如圖7所示。對比發(fā)現(xiàn),使用該系統(tǒng)得到的測量值與采用標準方法測得的量值很好地相符。


4.3 測量精密度
    選擇不同濃度區(qū)間的3份樣品,每份樣品測量20次,考察系統(tǒng)的測量精密度得到圖8的結(jié)果。
    經(jīng)過20次測量測得A樣品的電阻率平均值為11254.44Ω·cm,標準差為9.77;B樣品的電阻率平均值為6485.34Ω·cm,標準差為8.54;C樣品的電阻率平均值為895.47 Ω·cm,標準差為1.45。

5 結(jié)語
    提出了四探針與比率測量法結(jié)合的方法用于測量導電聚合物薄膜材料的電阻率;設計實現(xiàn)了導電聚合物薄膜材料電阻率測量系統(tǒng);最后采用標準電阻和薄膜樣品進行了測量實驗。實驗表明:系統(tǒng)的有效電阻率測量范圍6.28~6.28×108Ω·cm;測量相對誤差小于1%;系統(tǒng)具有較高的精密度,單個樣品多次測量的標準差與平均值的比例小于千分之一。相對于國標方法,系統(tǒng)具有操作簡便,安全系數(shù)高等優(yōu)點,可以直接對實驗過程中制備的導電聚合物薄膜材料進行測量,提高實驗效率。

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