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[導(dǎo)讀]   1前言   印制電路板(PCB)信號(hào)完整性是近年來熱議的一個(gè)話題,國(guó)內(nèi)已有很多的研究報(bào)道對(duì)PCB信號(hào)完整性的影響因素進(jìn)行分析,但對(duì)信號(hào)損耗的測(cè)試技術(shù)的現(xiàn)狀介紹較為少見。   PCB傳輸線信號(hào)損耗來

  1前言

  印制電路板(PCB)信號(hào)完整性是近年來熱議的一個(gè)話題,國(guó)內(nèi)已有很多的研究報(bào)道對(duì)PCB信號(hào)完整性的影響因素進(jìn)行分析,但對(duì)信號(hào)損耗測(cè)試技術(shù)的現(xiàn)狀介紹較為少見。

  PCB傳輸線信號(hào)損耗來源為材料的導(dǎo)體損耗和介質(zhì)損耗,同時(shí)也受到銅箔電阻、銅箔粗糙度、輻射損耗、阻抗不匹配、串?dāng)_等因素影響。在供應(yīng)鏈上,覆銅板(CCL)廠家與PCB快件廠的驗(yàn)收指標(biāo)采用介電常數(shù)和介質(zhì)損耗;而PCB快件廠與終端之間的指標(biāo)通常采用阻抗和插入損耗,如圖1所示。

  

  圖1 PCB材料及組裝的部分技術(shù)指標(biāo)

  針對(duì)高速PCB設(shè)計(jì)和使用,如何快速、有效地測(cè)量PCB傳輸線信號(hào)損耗,對(duì)于PCB設(shè)計(jì)參數(shù)的設(shè)定和仿真調(diào)試和生產(chǎn)過程的控制具有重要意義。

  2 PCB插入損耗測(cè)試技術(shù)的現(xiàn)狀

  目前業(yè)界使用的PCB信號(hào)損耗測(cè)試方法從使用的儀器進(jìn)行分類,可分為兩大類:基于時(shí)域或基于頻域。時(shí)域測(cè)試儀器為時(shí)域反射計(jì)(Time DomainReflectometry,簡(jiǎn)稱TDR)或時(shí)域傳輸計(jì)(TimeDomain Transmission,簡(jiǎn)稱TDT);頻域測(cè)試儀器為矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(Vector Network Analyzer,簡(jiǎn)稱VNA)。在IPC-TM650試驗(yàn)規(guī)范中,推薦了5種試驗(yàn)方法用于PCB信號(hào)損耗的測(cè)試:頻域法、有效帶寬法、根脈沖能量法、短脈沖傳播法、單端TDR差分插入損耗法。

  2.1頻域法

  頻域法(Frequency Domain Method)主要使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量傳輸線的S參數(shù),直接讀取插入損耗值,然后在特定頻率范圍內(nèi)(如1 GHz ~ 5 GHz)用平均插入損耗的擬合斜率來衡量板材合格/不合格。

  頻域法測(cè)量準(zhǔn)確度的差異主要來自校準(zhǔn)方式。根據(jù)校準(zhǔn)方式的不同,可細(xì)分為SLOT(Short-Line-Open-Thru)、Multi-Line TRL(Thru-Reflect-Line)和Ecal(Electronic calibration)電子校準(zhǔn)等方式。

  SLOT通常被認(rèn)為是標(biāo)準(zhǔn)的校準(zhǔn)方法,校準(zhǔn)模型共有12項(xiàng)誤差參數(shù),SLOT方式的校準(zhǔn)精度是由校準(zhǔn)件所確定的,高精度的校準(zhǔn)件由測(cè)量設(shè)備廠家提供,但校準(zhǔn)件價(jià)格昂貴,而且一般只適用于同軸環(huán)境,校準(zhǔn)耗時(shí)且隨著測(cè)量端數(shù)增加而幾何級(jí)增長(zhǎng)。

  Multi-Line TRL方式主要用于非同軸的校準(zhǔn)測(cè)量,根據(jù)用戶所使用的傳輸線的材料以及測(cè)試頻率來設(shè)計(jì)和制作TRL校準(zhǔn)件,如圖2所示。盡管Multi-Line TRL相比SLOT設(shè)計(jì)和制造更為簡(jiǎn)易,但是Multi-Line TRL方式校準(zhǔn)耗時(shí)同樣隨著測(cè)量端數(shù)的增加而成幾何級(jí)增長(zhǎng)。

  

  圖2 Multi-line TRL校準(zhǔn)件

  為了解決校準(zhǔn)耗時(shí)的問題,測(cè)量設(shè)備廠家推出了Ecal電子校準(zhǔn)方式,Ecal是一種傳遞標(biāo)準(zhǔn),校準(zhǔn)精度主要由原始校準(zhǔn)件所確定,同時(shí)測(cè)試電纜的穩(wěn)定性、測(cè)試夾具裝置的重復(fù)性和測(cè)試頻率的內(nèi)插算法也對(duì)測(cè)試精度有影響。一般先用電子校準(zhǔn)件將參考面校準(zhǔn)至測(cè)試電纜末端,然后用去嵌入的方式,補(bǔ)償夾具的電纜長(zhǎng)度。如圖3所示。

  

  圖3 VNA Ecal方式校準(zhǔn)圖和測(cè)試示意圖

  

  以獲得差分傳輸線的插入損耗為例,3種校準(zhǔn)方式比較如表1所示。

  2.2有效帶寬法

  有效帶寬法(Effective Bandwidth,簡(jiǎn)稱EBW)從嚴(yán)格意義來說是一個(gè)定性的傳輸線損耗α的測(cè)量,無法提供定量的插入損耗值,但是提供一個(gè)稱之為EBW的參數(shù)。有效帶寬法是通過TDR將特定上升時(shí)間的階躍信號(hào)發(fā)射到傳輸線上,測(cè)量TDR儀器和被測(cè)件連接后的上升時(shí)間的最大斜率,確定為損耗因子,單位MV/s.更確切地說,它確定的是一個(gè)相對(duì)的總損耗因子,可以用來識(shí)別損耗在面與面或?qū)优c層之間傳輸線的變化[8]。由于最大斜率可以直接從儀器測(cè)得,有效帶寬法常用于印制電路板的批量生產(chǎn)測(cè)試。EBW測(cè)試示意圖如圖4所示。

  

  圖4 EBW測(cè)試示意圖

  2.3根脈沖能量法

  根脈沖能量法(Root ImPulse Energy,簡(jiǎn)稱RIE)通常使用TDR儀器分別獲得參考損耗線與測(cè)試傳輸線的TDR波形,然后對(duì)TDR波形進(jìn)行信號(hào)處理。RIE測(cè)試流程如圖5所示:

  

  圖5 RIE測(cè)試流程圖

  2.4短脈沖傳播法

  短脈沖傳播法(Short Pulse Propagation,簡(jiǎn)稱SPP)測(cè)試原理為利用測(cè)量?jī)蓷l不同長(zhǎng)度的傳輸線,如30 mm和100 mm,通過測(cè)量這兩個(gè)傳輸線線長(zhǎng)之間的差異來提取參數(shù)衰減系數(shù)和相位常數(shù),如圖6所示。使用這種方法可以將連接器、線纜、探針和示波器精度的影響降到最小。若使用高性能的TDR儀器和IFN(Impulse Forming Network),測(cè)試頻率可高達(dá)40 GHz.

  

  圖6 SPP測(cè)試圖和測(cè)試流程

  2.5單端TDR差分插入損耗法

  單端TDR差分插入損耗法(Single-Ended TDRto Differential Insertion Loss,簡(jiǎn)稱SET2DIL)有別于采用4端口VNA的差分插損測(cè)試,該方法使用兩端口TDR儀器,將TDR階躍響應(yīng)發(fā)射到差分傳輸線上,差分傳輸線末端短接,如圖7所示。SET2DIL法測(cè)量典型的測(cè)量頻率范圍為2 GHz ~ 12 GHz,測(cè)量準(zhǔn)確度主要受測(cè)試電纜的時(shí)延不一致和被測(cè)件阻抗不匹配的影響。SET2DIL法優(yōu)勢(shì)在于無需使用昂貴的4端口VNA及其校準(zhǔn)件,被測(cè)件的傳輸線的長(zhǎng)度僅為VNA方法的一半,校準(zhǔn)件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,校準(zhǔn)耗時(shí)也大幅度降低,非常適合用于PCB制造的批量測(cè)試,如圖8所示。

  

  圖7 VNA與SET2DIL差分損耗測(cè)試結(jié)構(gòu)圖

  

  圖8 SET2DIL批量測(cè)試圖

  3測(cè)試設(shè)備及測(cè)試結(jié)果

  采用介電常數(shù)3.8、介質(zhì)損耗0.008、RTF銅箔的CCL分別制作SET2DIL測(cè)試板、SPP測(cè)試板和Multi-Line TRL測(cè)試板;測(cè)試設(shè)備為DSA8300采樣示波器和E5071C矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀;各方法差分插入損耗測(cè)試結(jié)果如表2所示。

  

  4結(jié)語

  本文主要介紹了目前業(yè)界使用的幾種PCB傳輸線信號(hào)損耗測(cè)量方法。由于采用的測(cè)試方法不同,測(cè)得插入損耗值也不一樣,測(cè)試結(jié)果不能直接做橫向?qū)Ρ龋虼藨?yīng)根據(jù)各種技術(shù)方法的優(yōu)勢(shì)和限制,并且結(jié)合自身的需求選擇合適的信號(hào)損耗測(cè)試技術(shù)。

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