源測量單元(SMU)是一種精密的儀器，可同時對同一通道的電流和電壓進行同步源測量。 該功能使得SMU成為從精準直流電源到分析分立元件或集成電路等半導體組件的特性等各種應用的理想之選。

某些SMU針對特定的應用或者需求作了優(yōu)化，例如泄露測試、大功率IV掃描、為具有快速瞬態(tài)響應的移動設備供電。 這些儀器完美地提供了某一特定的功能，但是您可能需要多個這樣的SMU來完全分析需要各種不同激勵或功能的設備的特性。 或者，您也可以選擇系統(tǒng)SMU，它將高功率、高精度、高速源測量功能集成到單個儀器上， 使您能夠執(zhí)行各種不同的功能以及通過同一針腳進行各種不同的設備測試。 這不僅簡化了連接，而且減少了使用儀器的種類和數(shù)量，降低了測試系統(tǒng)的占地空間和總體成本。

NI SMU將傳統(tǒng)的臺式SMU的高功率和精確度以及NI技術集于一身，具有更快速、更靈活、更小巧的特性。 這種結合使得這些儀器不僅能夠實現(xiàn)傳統(tǒng)SMU之外的功能，而且變成一款多功能的儀器，可用作為：

• 精密電源
• 快速瞬變電源
• 電壓表、電流表或歐姆表
• 隔離高壓/電流數(shù)字化儀
• 高電壓/電流序列發(fā)生器
• 脈沖發(fā)生器
• 可編程負載

將這些功能集成到單個儀器使得成為測試各種不同設備的理想之選，這些設備可能包含以下需求：

• 高功率輸入輸出，同時具有高速采樣功能，例如電源管理集成電路(PMIC)
• 高速瞬態(tài)響應，例如射頻電源放大器
• 精準測量及大功率脈沖掃頻，例如功率晶體管和高亮度LED
• 通過同一引腳進行精準IV和低頻電容測量，例如微型機電系統(tǒng)設備(MEM)

基于NI SMU的模塊化特性和緊湊的尺寸，您可以將幾個SMU集成到混合信號自動化測試應用中，或者借助單個4U PXI機箱中的17個SMU通道來搭建高密度半導體測試系統(tǒng)。

NI系統(tǒng)SMU所具有的寬功率范圍、高測量精度可以滿足大部分直流測試需求。 此外，NI SMU擴展了傳統(tǒng)SMU的功能，實現(xiàn)了快速采樣、快速更新以及基于NI技術的SMU響應自定義化。 這使得SMU能夠用于各種不同的應用，而此前則需要連接各種外部儀器，如示波器、函數(shù)發(fā)生器或高度專業(yè)化的電源。

更寬范圍的脈沖

NI SMU可以產(chǎn)生高至500 W的脈沖，這使您可以快速測試大功率設備的IV特性而無需串聯(lián)多個源測量單元。 在更寬的脈沖范圍下進行測試不僅可以使SMU在其常規(guī)的IV范圍之外運行，而且可以最小化待測設備(DUT)的散熱量，減少對熱管理設備的需求。

SourceAdapt技術

NI SMU采用了新一代SourceAdapt技術，使您可以自定義SMU的控制循環(huán)，從而實現(xiàn)對任意給定負載的最優(yōu)響應——即使是高電容或者電感負載。 消除過壓不僅保護了待測設備，而且也消除了振蕩引發(fā)的系統(tǒng)穩(wěn)定性問題。 此外，上升和下降時間的最小化也可幫助您最大程度縮短測試時間。

這個功能對高電容負載特別重要，因為它可以避免損壞待測設備或者儀器。 傳統(tǒng)的SMU使用固定的模擬控制循環(huán)，通過從“常態(tài)”跳轉到“高電容”模式來防止源測量單元陷入不穩(wěn)定狀態(tài)。 但是，在高電容模式運行時，SMU的上升時間被極大地限制了，而且電容負載通常被限制在50 uF。 由于SourceAdapt技術可讓您直接訪問SMU的數(shù)字控制循環(huán)，您可以優(yōu)化任意負載的源測量單元響應，即使是針對2,500 uF的電容器，如下圖所示。

如上圖所示，SMU為一個電容2,500 uF和電阻2Ω的待測設備提供了源電壓。 電壓上升到3.3 V且電流達到極值10 A后大約停留了1 ms。如果不采用SourceAdapt技術，在這種無功負載狀態(tài)下，傳統(tǒng)的SMU可能會變得不穩(wěn)定，并且有可能會損壞待測設備或儀器。

測試PMIC，如下圖所示的德州儀器公司的降壓轉換器，需要配置兩個SMU。 第一個SMU為待測設備提供了特定電壓的輸入電源。第二個SMU通過增量掃描電流充當負載。

通過測量DUT輸入輸出端的電壓電流，就可以計算出DC－DC轉換器的功率效率，如下圖所示。 NI PXIe-4139提供了寬IV范圍和硬件定時的序列引擎，使其成為從低功率到高功率快速掃描的理想選擇。

此外，NI PXIe-4139的快速采樣率使您可以捕獲線路和負載的瞬態(tài)變化，而使用傳統(tǒng)儀器則需要連接一個外部示波器。 這一瞬態(tài)行為對于分析DC分量以及傳統(tǒng)SMU無法測量的參數(shù)的特性至關重要。

上圖所示的LED來自于CREE公司，具有一個典型的37 V正向電壓，最高電流達2.5 A。即使這些數(shù)值超過了NI PXIe-4139的20 W直流上限，您仍然可以通過擴展的脈沖范圍來分析該設備的特性。 脈沖使您不僅只需使用一個SMU就可分析LED的特性，還可最小化通過測試設備消散的熱量，避免需要創(chuàng)建自定義散熱器。

上圖通過使用一組50 us脈沖并使電流逐漸增大到最大值來顯示大功率LED的IV特性。 使用50 us的窄脈沖寬度不僅可以最小化LED的自熱影響，而且還可以減少總體測試時間。 如果沒有NI SourceAdapt技術，精準地創(chuàng)建窄脈沖是不可能的，該技術優(yōu)化了SMU對特定待測設備的響應，并可提供最快的上升時間，且無過壓或振蕩現(xiàn)象。

NI系統(tǒng)SMU在體積小巧的PXI組成結構中提供高達500 W的脈沖電源，同時也提供了高達100 fA的電流敏感度。 這些儀器不僅提供了卓越的直流性能，而且也通過增加內置數(shù)字化儀和可自定義的SMU響應克服了傳統(tǒng)儀器的種種局限性。 此外，NI系統(tǒng)SMU還提供了前所未有的通道密度，將多達17個系統(tǒng)SMU通道封裝在一個19英寸4U的機架空間中。 功率、精度、速度和高通道密度的結合造就了NI系統(tǒng)SMU，您下一個測試系統(tǒng)不可或缺的選擇！