傳統(tǒng)的時(shí)域參數(shù)如阻抗、時(shí)延差的測(cè)試需要基于采樣示波器的TDR測(cè)試功能；而傳統(tǒng)的頻域參數(shù)如插入損耗、回波損耗、串?dāng)_等S參數(shù)的測(cè)試需要矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。由于很多場(chǎng)合時(shí)域和頻域測(cè)試都是同時(shí)需要的，所以可以采用基于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀并擴(kuò)展了TDR功能的一體化解決方案，如Keysight的ENA-TDR方案，其可以同時(shí)完成頻域、時(shí)域和眼圖的測(cè)量。測(cè)試方案如下圖所示。

基于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的時(shí)域反射TDR功能操作類(lèi)似傳統(tǒng)的基于采樣示波器的TDR儀器，但相對(duì)于傳統(tǒng)TDR，它有如下特點(diǎn)：

· 基于VNA的結(jié)構(gòu)，內(nèi)部很容易實(shí)現(xiàn)ESD保護(hù)電路，正弦波激勵(lì)信號(hào)在測(cè)量時(shí)會(huì)掃過(guò)VNA 的整個(gè)測(cè)量頻率范圍，測(cè)量結(jié)果從輸入與輸出信號(hào)的矢量比中得到。因此，即使保護(hù)電路會(huì)導(dǎo)致部分損耗，使用矢量比也可以消除這些損耗，從而確保測(cè)量精度不受影響可以確保產(chǎn)品的可靠工作，但采樣示波器TDR由于內(nèi)部ESD保護(hù)電路會(huì)降低階越發(fā)生器的性能，采樣示波器TDR內(nèi)部不使用ESD保護(hù)電路，所以非常容易因?yàn)镋SD損壞。

· ENA-TDR的用戶(hù)界面經(jīng)過(guò)重新設(shè)計(jì)，和傳統(tǒng)的TDR設(shè)備使用方式類(lèi)似，使現(xiàn)在的數(shù)字工程師可以輕松、直觀地進(jìn)行操作，使用戶(hù)可以同時(shí)進(jìn)行時(shí)域阻抗和頻域S參數(shù)測(cè)量以及靈活地選擇參數(shù)。它能夠生成仿真眼圖，在互連測(cè)試階段不需要使用額外的碼型發(fā)生器，因此可以降低擁有成本。

· 由于基于采樣示波器的噪聲相對(duì)網(wǎng)絡(luò)儀來(lái)說(shuō)較大，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)范圍和快速測(cè)量具有一定難度，需要通過(guò)取平均法可以降低噪聲，但是這會(huì)影響測(cè)量速度。ENA-TDR 具有>100 dB 動(dòng)態(tài)范圍，以觀察 DUT 的真實(shí)性能?？梢宰R(shí)別極低電平信號(hào)，如差分器件的串?dāng)_和模式轉(zhuǎn)換。具有極低的噪聲，當(dāng)IFBW 為 70 kHz 時(shí)，小于0.023 dBrms，用于精確和可重復(fù)的測(cè)量，基本可以忽略?xún)x器自身的底噪聲成分。

· 現(xiàn)在很多規(guī)范比如說(shuō)SAS要求測(cè)試Hot TDR，也就是在上電工作狀態(tài)下測(cè)試TDR，比如SATA要求測(cè)試MFTP下的阻抗，由于采樣示波器TDR采用寬帶接收機(jī)，在有輸入信號(hào)的情況下，需要加更多的平均以反映階約信號(hào)的反射特性，而網(wǎng)絡(luò)儀使用窄帶接收機(jī)，可以準(zhǔn)確接受掃頻信號(hào)頻點(diǎn)，不需要加平均也可以正確接收并測(cè)量反射特性。