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[導(dǎo)讀]確保測(cè)試期間使用的電纜符合測(cè)試系統(tǒng)最大電壓額定值。在功率器件關(guān)閉狀態(tài)特性分析期間經(jīng)常遇到高壓、低電流測(cè)試,要使用能夠?qū)崿F(xiàn)這類(lèi)測(cè)試所需性能的電纜。在高壓測(cè)試時(shí),要保證充分絕緣,并使漏電流和系統(tǒng)電容帶來(lái)的

確保測(cè)試期間使用的電纜符合測(cè)試系統(tǒng)最大電壓額定值。在功率器件關(guān)閉狀態(tài)特性分析期間經(jīng)常遇到高壓、低電流測(cè)試,要使用能夠?qū)崿F(xiàn)這類(lèi)測(cè)試所需性能的電纜。

在高壓測(cè)試時(shí),要保證充分絕緣,并使漏電流和系統(tǒng)電容帶來(lái)的影響最小化。

適當(dāng)絕緣

使用電纜的耐壓額定值至少是測(cè)試系統(tǒng)電壓的最大值。為了實(shí)現(xiàn)低電流測(cè)量,要在測(cè)試夾具中使用高質(zhì)量絕緣體。絕緣電阻與待測(cè)器件電阻并聯(lián),將帶來(lái)測(cè)量誤差(參見(jiàn)圖1)。利用2657A型源測(cè)量單元(SMU),在測(cè)試電路中可能出現(xiàn)高達(dá)3kV電壓,因此,相對(duì)于測(cè)得的通過(guò)待測(cè)器件的電流,通過(guò)這些絕緣體產(chǎn)生的電流就較大。為了得到良好的測(cè)量結(jié)果,要確保絕緣電阻比待測(cè)器件電阻高幾個(gè)數(shù)量級(jí)。

圖 1 絕緣體中產(chǎn)生的電流影響待測(cè)器件電流的測(cè)量。為了實(shí)現(xiàn)測(cè)量誤差最小化,要確保絕緣體電阻(RL)比待測(cè)器件電阻(RDUT)高得多。

漏電流與系統(tǒng)電容

使用保護(hù)可以把測(cè)試電路中絕緣體的影響降到最低。保護(hù)是強(qiáng)制將電路中的一個(gè)低阻節(jié)點(diǎn)與高阻輸入端節(jié)點(diǎn)近似等電位的一種技術(shù)。在圖1中,即使采用高質(zhì)量絕緣體,但來(lái)自絕緣體的電流泄漏仍然存在。當(dāng)測(cè)量電流在納安范圍時(shí),這種泄露就可能帶來(lái)問(wèn)題。請(qǐng)注意保護(hù)是如何改進(jìn)測(cè)量的,參見(jiàn)圖2。漏電流將通過(guò)高阻測(cè)量節(jié)點(diǎn)(HI)流出,因此,測(cè)量中不包括漏電流。

圖 2 利用保護(hù)可以使電路中絕緣體電壓降低為接近0V,從而減少漏電流。測(cè)量中出現(xiàn)的任何剩余的泄露都將通過(guò)高阻測(cè)量節(jié)點(diǎn)流出。

由于保護(hù)端與高阻端處于同一電位,保護(hù)電壓就是危險(xiǎn)電壓。因此,要使用三軸電纜布防保護(hù)電路,并保護(hù)操作人員免遭觸電危險(xiǎn)。在三軸電纜中,高阻端與中心導(dǎo)體連接,內(nèi)部屏蔽層為保護(hù),外部屏蔽層接地。圖3給出三軸電纜截面示意圖。

保護(hù)還可以使系統(tǒng)電容的影響降到最低。系統(tǒng)電容影響電壓源的建立和電流測(cè)量。測(cè)試設(shè)置必須允許以等于或低于預(yù)期的器件測(cè)量本底噪聲對(duì)電容充電和建立電流。這些設(shè)置的高阻特性必將導(dǎo)致較長(zhǎng)的建立時(shí)間。圖3說(shuō)明保護(hù)如何降低電纜電容的影響。常見(jiàn)的三軸電纜電容大約是40pF/英尺。對(duì)于一根兩、三米長(zhǎng)的電纜來(lái)說(shuō),其電容大約是幾百皮法,電壓建立時(shí)間是數(shù)十毫秒,具體取決于測(cè)試設(shè)置的最大電流。將保護(hù)置于三軸電纜的內(nèi)部屏蔽層意味著電纜絕緣體中沒(méi)有電壓降。因此,這個(gè)絕緣體的電容不需要充電。在穩(wěn)定狀態(tài)情況下,根據(jù)2657A型源測(cè)量單元(SMU)的性能指標(biāo),高阻端(HI)的保護(hù)電壓在4mV以?xún)?nèi)。吉時(shí)利HV-CA-554型產(chǎn)品是三軸高壓電纜,能夠安全地傳輸信號(hào),保護(hù)電壓高達(dá)3280V。吉時(shí)利HV-CA-554型電纜可以滿(mǎn)足3kV電壓、低電流測(cè)量系統(tǒng)需求。為了實(shí)現(xiàn)建立時(shí)間和泄漏電流最小化,源測(cè)量單元(SMU)的保護(hù)都直接到達(dá)器件管腳。這樣做,可以避免對(duì)系統(tǒng)其他電容充電的需求。由于保護(hù)電壓可能高達(dá)3kV,務(wù)必確保保護(hù)端處于遠(yuǎn)離其他導(dǎo)體的安全距離內(nèi)。

圖 3 當(dāng)VHI≈VG時(shí),電容器和電阻器的電壓降是0V。事實(shí)上,保護(hù)避免了因電纜絕緣帶來(lái)的漏電流,而且由于不需要對(duì)電纜電容進(jìn)行充電,因此,實(shí)現(xiàn)響應(yīng)時(shí)間最小化。

在某些系統(tǒng)中,必須轉(zhuǎn)換至同軸連接。對(duì)于高壓測(cè)試來(lái)說(shuō),SHV是工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)同軸連接器。吉時(shí)利公司提供的SHV-CA-553電纜組合允許從高壓三軸向SHV的轉(zhuǎn)換。這些電纜組合使用三軸電纜,因此,在連接至SHV之前,可以盡可能地實(shí)施保護(hù)。使用同軸連接將導(dǎo)致性能降級(jí),因?yàn)閺谋Wo(hù)截止端點(diǎn)起,保護(hù)帶來(lái)的益處將喪失殆盡。這意味著必須對(duì)殘存的電纜電容和測(cè)試系統(tǒng)電容進(jìn)行充電。

在設(shè)計(jì)測(cè)試夾具時(shí),用戶(hù)可能采取措施,通過(guò)縮短布線(xiàn)長(zhǎng)度以及三軸-同軸轉(zhuǎn)換后器件連接長(zhǎng)度的辦法實(shí)現(xiàn)電容最小化。

在探測(cè)臺(tái)上,轉(zhuǎn)換至同軸連接的影響可能更大,在這里,線(xiàn)纜和連接取決于晶片的大小以及器件方向(縱向或橫向)。如果把電纜電容考慮在內(nèi),探測(cè)臺(tái)中的電容可能輕易達(dá)到納法量級(jí),從而導(dǎo)致較長(zhǎng)的電容充電時(shí)間和測(cè)量建立時(shí)間。

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