脈沖Vds-id 的測(cè)試參數(shù)

時(shí)間：2018-10-10 16:40:13

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[導(dǎo)讀] 漏極電壓Vd，從0至4V進(jìn)行掃描，在每個(gè)Vd掃描之后，門(mén)極電壓Vg步進(jìn)到下一個(gè)數(shù)值。傳統(tǒng)的只有直流的Vds-id和通過(guò)4200-RBT,偏置T型接頭的直流IV測(cè)試之間的主要區(qū)別是SMU的數(shù)量。通過(guò)偏置T型接頭進(jìn)行的直流

漏極電壓Vd，從0至4V進(jìn)行掃描，在每個(gè)Vd掃描之后，門(mén)極電壓Vg步進(jìn)到下一個(gè)數(shù)值。傳統(tǒng)的只有直流的Vds-id和通過(guò)4200-RBT,偏置T型接頭的直流IV測(cè)試之間的主要區(qū)別是SMU的數(shù)量。通過(guò)偏置T型接頭進(jìn)行的直流IV測(cè)試，使用2個(gè)SMU[2]，其源和本體連接到地（SMA的同軸電纜屏蔽層）。

Vds–id-pulse測(cè)試如圖7所示。由于脈沖測(cè)試是UTMS（用戶(hù)測(cè)試模塊），所以參數(shù)是通過(guò)圖7所示的表格界面來(lái)改變的。對(duì)于脈沖Vds-id[3]，門(mén)極電壓不是階梯的，所以將下一個(gè)Vds-id曲線附加到圖上之前，必須輸入每一個(gè)門(mén)極電壓。

圖7.脈沖Vds-id UTM definition選項(xiàng)頁(yè)

請(qǐng)注意，直流和脈沖測(cè)試的參數(shù)都可以很容易的進(jìn)行修改，允許對(duì)晶體管行為特性進(jìn)行交互式觀察。下面章節(jié)運(yùn)行Pulse IV測(cè)試部分會(huì)涵蓋運(yùn)行Vds-id測(cè)試的程序。