STT-MRAM自旋磁阻內(nèi)存升級(jí)GF 12nm工藝
[導(dǎo)讀]MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，但同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的優(yōu)點(diǎn)。
STT-MRAM則進(jìn)一步通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入，具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、損耗小、速度快等一系列優(yōu)點(diǎn)，只是容量密度提升困難，所以想取代內(nèi)存、閃存暫時(shí)不現(xiàn)實(shí)，但非常適合用在各種嵌入式領(lǐng)域。
GF、Everspin的良好合作由來(lái)已久，2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的，單顆容量32MB，2019年的第二代則升級(jí)為GF 28nm，單顆容量翻了兩番達(dá)到128MB。
就在日前，GF 22FDX工藝成功試產(chǎn)了eMRAM，-40℃到125℃環(huán)境下可工作10萬(wàn)個(gè)周期，數(shù)據(jù)保持可長(zhǎng)達(dá)10年。
進(jìn)一步升級(jí)到12nm，自然有利于進(jìn)一步提升MRAM的容量密度，并繼續(xù)降低成本，尤其是隨著MRAM芯片容量的提高，迫切需要更先進(jìn)的工藝。
GF 12nm工藝包括12LP、12LP+兩個(gè)版本，雖然算不上多先進(jìn)但也有廣闊的用武之地。
下載文檔
